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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N39300 | - |  | 3741 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N39 | UR, VDE | 1 | SCR | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N39300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 200 V | 300mA | 1mA | NO | 500 V/μs | 30mA | 50 µs (massimo) | |||||||||||||||
 | MCT2202S | - | | 2197 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT2202S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 100 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||
 | HMA121FR2 | - | | 5546 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
| CNX39US | - | | 3038 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNX39 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNX39US-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 60% a 10 mA | 100% a 10 mA | 20μs, 20μs | 400mV | |||||||||||||||
 | EL206(TB) | - | | 1690 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | EL206 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C110000597 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80 V | 1,3 V | 60 mA | 3750 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | 6N139S | - | | 4429 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 6N139S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,3 V | 20 mA | 2500 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 1,5 µs, 7 µs | - | |||||||||||||||
 | VOS618A-X001T | 0,6200 | | 9133 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | VOS618 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 7μs | 80 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | 600% a 1 mA | 5μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | VO4256H-X007T | 2.9800 | | 6640 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4256 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | - | NO | 5 kV/μs | 2mA | - | ||||||||||||||||
 | 4N49A | 31.8588 | | 2835 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | DC | 1 | Transistor con base | TO-78-6 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 250 | 50mA | 25μs, 25μs | 40 V | 1,5 V (massimo) | 40 mA | 1000 V CC | 200% a 1 mA | 1000% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | VO2601-X007T | 2.1400 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | VO2601 | DC | 1 | Aprire lo scarico | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10 MBd | 23ns, 7ns | 1,4 V | 20 mA | 5300 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | HCPL-0211 | 6.9700 | | 1 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-0211 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 8-SO alto | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | 5 MBd | 30ns, 7ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 5kV/μs, 10kV/μs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
| H11C13SD | - | | 9081 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11C | UR, VDE | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11C13SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 200 V | 300mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | |||||||||||||||
| TLP627M(D4-TP5,E | 0,3090 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP627 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150mA | 60 µs, 30 µs | 300 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 110 µs, 30 µs | 1,2 V | ||||||||||||||||
 | TLP250HF(TP4,F) | - | | 5555 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP250 | DC | 1 | Push-pull, totem | 10 V~30 V | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP250HF(TP4F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2A | - | 50ns, 50ns | 1,57 V | 5mA | 3750 Vrm | 1/0 | 40 kV/μs | 500ns, 500ns | ||||||||||||||||
 | ILD1205T | - | | 2725 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ILD1205 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 4000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 5μs, 4μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | PC725V0YSZXF | - | | 9424 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -25°C~100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 425-2162-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 150mA | 100 µs, 20 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | 15000% a 1 mA | - | 1,2 V | |||||||||||||||||
 | EL3H7(A)(EA)-VG | 0,1578 | | 6880 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C110001786 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | FOD2743AT | - | | 9645 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | FOD274 | DC | 1 | Transistor | 8-MDIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,07 V | 5000 Vrm | 50% a 1 mA | 100% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||||||||||
| PS2761B-1Y-V-F3-A | 1.2300 | | 3034 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2761 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50mA | 4μs, 5μs | 70 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 8μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
 | LDA101STR | - | | 1169 | 0.00000000 | Divisione Circuiti Integrati IXYS | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | LDA101 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 1 mA | 3750 Vrm | 33% a 1 mA | - | 7μs, 20μs | 500mV | |||||||||||||||
| 4N37SVM | - | | 7249 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N37 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N37SVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 300mV | |||||||||||||||
 | MOC5009TM | - | | 2010 | 0.00000000 | onsemi | GlobalOptoisolator™ | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC500 | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 1 megahertz | - | - | 10mA | 7500Vpk | 1/0 | - | - | |||||||||||||||
| PS2801-1-V-F3-YA | - | | 7189 | 0.00000000 | CEL | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | PC815XYJ000F | - | | 1244 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||||
| H11C4 | - | | 8132 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11C | UR | 1 | SCR | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | ||||||||||||||||
| PC4SD21NTZD | - | | 8791 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | PC4SD21 | CSA, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 425-1405-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 3,5mA | SÌ | 500 V/μs | 3mA | 50 µs (massimo) | ||||||||||||||
 | HCNR201-000E | 6.4000 | | 2581 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | HCNR201 | DC | 1 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 42 | - | - | - | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | 0,36% a 10 mA | 0,72% a 10 mA | - | - | |||||||||||||||
| 74OL6000W | - | | 9433 | 0.00000000 | onsemi | OPTOLOGICO™ | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 74OL600 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 mA | 15 MBd | 45ns, 5ns | - | - | 5300 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
| 4N25SR2M | 0,7400 | | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N25 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 500mV | |||||||||||||||
| MOC8107300W | - | | 5311 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8107300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 300% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV |
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