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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TPC817A C9G | - |  | 3336 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | TPC817 | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | PC123 | - | | 4244 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1308-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | 74OL6011300 | - | | 6703 | 0.00000000 | onsemi | OPTOLOGICO™ | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 74OL601 | Logica | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V~15 V | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 mA | 15 MBd | 50ns, 5ns | - | - | 5300 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 180ns, 120ns | ||||||||||||||||
 | PS8802-1-F3-A | - | | 4598 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-SSOP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8 mA | - | 35 V | 1,7 V | 25 mA | 2500 Vrm | 15% a 16 mA | 45% a 16 mA | 300ns, 600ns | - | |||||||||||||||||
| PS2501A-1-A | - | | 4486 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS2501A1A | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,17 V | 30 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | H11C4S | - | | 6476 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11C | UR | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11C4S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300 mA | - | NO | 500 V/μs | 20 mA | - | |||||||||||||||
| TLP9121A(HNEGBTL,F | - | | 3405 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9121A(HNEGBTLF | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | FODM3011R2 | - | | 1812 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 250 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | MOC3083S-TA1 | 0,8100 | | 30 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | MOC308x | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC308 | CSA, FIMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | 800 V/μs | 5mA | - | |||||||||||||||||
 | PS2532L-4 | - | | 6936 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | DC | 4 | Darlington | 16-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 150mA | 100 µs, 100 µs | 300 V | 1,15 V | 80 mA | 5000 Vrm | 1500% a 1 mA | 6500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||
 | 6N139-500E | 1.7800 | | 6 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 500% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 200ns, 2μs | - | |||||||||||||||
 | ILD621GB-X001 | - | | 3150 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ILD621 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| HCPL-4503-560E | 1.0762 | | 4083 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-4503 | DC | 1 | Transistor | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
 | H11A4SVM | - | | 8689 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A4SVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 10% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||
| H11A5300 | - | | 1880 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A5300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 30% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP2391(TPL,E | 1.3100 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2391 | CA, CC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 10 MBd | 3ns, 3ns | 1,55 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | 4N37 | 0,4600 | | 4 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | 4N3X | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N37 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 160-1306-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 100mA | 3μs, 3μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 1500 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 300mV | |||||||||||||||
| H11N1 | - | | 8343 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 5 MHz | - | 1,4 V | 3,2 mA | 7500 Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | |||||||||||||||
| H11A53SD | - | | 5993 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11A53SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 30% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | |||||||||||||||
| PC357N5J000F | - | | 7073 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-Miniflat | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | - | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | FOD4218SV | 6.1300 | | 60 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD4218 | cUL, FIMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,28 V | 30 mA | 5000 Vrm | 800 V | 500μA | NO | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | ||||||||||||||||
| 74OL6000S | - | | 9706 | 0.00000000 | onsemi | OPTOLOGICO™ | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 74OL600 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 mA | 15 MBd | 45ns, 5ns | - | - | 5300 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||
 | HMA2701R1 | - | | 1577 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA270 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| HCNR200#500 | 3.1150 | | 7856 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCNR200 | DC | 1 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | - | - | - | 1,6 V | 25 mA | 5000 Vrm | 0,25% a 10 mA | 0,75% a 10 mA | - | - | |||||||||||||||
| ILD1213T | - | | 7657 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | - | - | ILD1213 | - | - | - | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
| HCPL-7721-320 | - | | 2137 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 10 mA | 25 MBd | 9ns, 8ns | - | - | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 40ns, 40ns | ||||||||||||||||
| 4N27-X009 | 0,2209 | | 5769 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N27 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,36 V | 60 mA | 5000 Vrm | 10% a 10 mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||||
| 5962-9085501HXA | 90.8044 | | 6914 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 5962-9085501 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 35ns, 35ns | 1,5 V | 20 mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
| HCPL-4502-020E | 0,9834 | | 4420 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-4502 | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | |||||||||||||||
| CNY1743SD | - | | 8554 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY174 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNY1743SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV |
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