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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EL3063S(TA)-V | 0,3232 |  | 1989 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3063 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903630112 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | 4N25-560E | 0,2203 | | 2909 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N25 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | 3μs, 3μs | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | |||||||||||||||
| EL3033S(TA) | - | | 6586 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3033 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903330104 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | PC818I | 0,3000 | | 1 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | PC818 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1473-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 7μs, 6μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 10% a 1 mA | 100% a 1 mA | -, 650μs (massimo) | 400mV | ||||||||||||||||
 | PS2562L-1-A | - | | 5986 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Preliminare | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 200mA | 100 µs, 100 µs | 40 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 1 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||||
 | HCPL-3760-500E | 6.9100 | | 4 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-3760 | CA, CC | 1 | Darlington | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 30mA | 14μs, 0,4μs | 20 V | - | 3750 Vrm | - | - | 4,5 µs, 8 µs | - | ||||||||||||||||
 | FOD617B300 | - | | 7191 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
| ACPL-827-560E | 0,3711 | | 8891 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ACPL-827 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| PS2561-1-VWA | - | | 3890 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PS2561 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1268 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | 17-4 milioni di yuan | 0,1200 | | 9885 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | CNY17 | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 174 milioni di yuan | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150mA | 5μs, 5μs | 70 V | 1,45 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | PC817X3CSP9F | 0,0900 | | 6600 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | PC817 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | 4N39300 | - | | 3741 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N39 | UR, VDE | 1 | SCR | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N39300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 200 V | 300 mA | 1mA | NO | 500 V/μs | 30mA | 50 µs (massimo) | |||||||||||||||
 | APT1211SX | 1.8800 | | 4 | 0.00000000 | Lavori elettrici Panasonic | APP | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | APT1211 | cUR, VDE | 1 | Triac | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,21 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 50 mA | 3,5mA | SÌ | 500 V/μs | 10mA | 100μs (massimo) | |||||||||||||||||
 | TLP385(GRL-TPR,E | 0,5600 | | 4446 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
| 4N29 | - | | 3795 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N29 | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | 5 µs, 40 µs (massimo) | 1 V | ||||||||||||||||
 | PS2561AL-1-F3-QA | - | | 2299 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP626(F) | - | | 6179 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | MOC5009FR2M | - | | 5618 | 0.00000000 | onsemi | GlobalOptoisolator™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC500 | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 1 megahertz | - | - | 10mA | 7500Vpk | 1/0 | - | - | |||||||||||||||
 | PVI1050NS-T | - | | 5892 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | PVI | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, ala di gabbiano, 4 conduttori | PVI1050 | DC | 2 | Fotovoltaico | 8-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 4 (72 ore) | REACH Inalterato | PVI1050NST | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 5μA | - | 5 V | - | 2500 Vrm | - | - | 300 µs, 220 µs (massimo) | - | |||||||||||||||
 | EL3H7(E)(TA)-G | - | | 1269 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | VO4158D | 1.4209 | | 6507 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO4158 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300 mA | 500μA | SÌ | 5 kV/μs | 1,6 mA | - | ||||||||||||||||
| MOC8100FR2VM | - | | 8822 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC810 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8100FR2VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 7500Vpk | 30% a 1 mA | - | 20μs, 20μs (massimo) | 500mV | |||||||||||||||
| HCPL-5400#100 | 103.6493 | | 7441 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | Giunto di testa 8-CSMD | HCPL-5400 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,75 V ~ 5,25 V | Giunto di testa a 8 DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 40Mbps | 15ns, 10ns | 1,35 V | 10mA | 1500 V CC | 1/0 | 500 V/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | VOS618A-X001T | 0,6200 | | 9133 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | VOS618 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5μs, 7μs | 80 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 1 mA | 600% a 1 mA | 5μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||
| HCPL-7721-500E | 7.0800 | | 4739 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-7721 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 25 MBd | 9ns, 8ns | - | - | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
 | 4N49A | 31.8588 | | 2835 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | TO-78-6 Lattina di metallo | DC | 1 | Transistor con base | TO-78-6 | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 250 | 50mA | 25μs, 25μs | 40 V | 1,5 V (massimo) | 40 mA | 1000 V CC | 200% a 1 mA | 1000% a 1 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | K3010PG | - | | 2118 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | K3010 | BSI, CQC, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,25 V | 80 mA | 5300 Vrm | 250 V | 100 mA | 100μA (suggerimento) | NO | 10 kV/μs (tip.) | 15 mA | - | ||||||||||||||||
 | 5962-0824203HTA | 104.7992 | | 1209 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | 5962-0824203 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | Ala di gabbiano 16-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | FODM3011R3 | - | | 4134 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 250 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | MOC216R1M | - | | 1190 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOC216 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC216R1M-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,07 V | 60 mA | 2500 Vrm | 50% a 1 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV |
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