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Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
ACPL-M21L-060E	3.2400	Richiesta di offerta	2320	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 105°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori	ACPL-M21	DC		1	Push-pull, totem	2,7 V ~ 5,5 V	5-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	10 mA	5 MBd	11ns, 11ns		1,5 V	8 mA	3750 Vrm				1/0	25 kV/μs	250ns, 250ns
PC3SD11YXPCF	-	Richiesta di offerta	9211	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	5-SMD, Ala di gabbiano	PC3SD11		CSA, UR, VDE	1	Triac		6-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								NO	1kV/μs	5mA	100μs (massimo)
TLP385(D4-GR,E	0,5500	Richiesta di offerta	4492	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP385	DC		1	Transistor		6-SO, 4 derivazioni	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		TLP385(D4-GRE	EAR99	8541.49.8000	125	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm							100% a 5 mA	300% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP127(F)	-	Richiesta di offerta	4433	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Obsoleto				TLP127							-		1 (illimitato)		264-TLP127(F)	EAR99	8541.49.8000	150
HCPL-263A-520	-	Richiesta di offerta	4433	Broadcom limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano		DC		2	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	Ala di gabbiano 8-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50 mA	10 MBd	42ns, 12ns		1,3 V	10mA	5000 Vrm				2/0	1kV/μs	100ns, 100ns
PC3H4J00000F	-	Richiesta di offerta	5659	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		CA, CC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm							20% a 1 mA	400% a 1 mA	-	200mV
HCPL-2601#300	1.5196	Richiesta di offerta	5858	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	HCPL-2601	DC		1	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	Ala di gabbiano 8-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	516-1077-5	EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	10 MBd	24ns, 10ns		1,5 V	20 mA	3750 Vrm				1/0	10 kV/μs	100ns, 100ns
OPI1280-018	6.5670	Richiesta di offerta	3176	Tecnologia TT Electronics/Optek	-	Massa	Attivo	-20°C~75°C	Foro passante	Non standard, 4 derivazioni	OPI1280	DC		1	Transistor		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	100	-		-	33V	2,3 V (massimo)		-							-	-	-	-
MOC8102X	0,6200	Richiesta di offerta	6503	Componenti Isocom 2004 LTD	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	MOC8102	DC		1	Transistor		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	65	50mA		2μs, 2μs	30 V	1,15 V	60 mA	5300 Vrm							73% a 10 mA	117% a 10 mA	-	400mV
SFH615A-2XSM	0,6400	Richiesta di offerta	920	Componenti Isocom 2004 LTD	-	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	SFH615	DC		1	Transistor		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		3μs, 14μs	70 V	1,65 V (massimo)	50 mA	5300 Vrm							63% a 10 mA	125% a 10 mA	4,2 µs, 23 µs	400mV
TLP2662(D4-TP1,F)	1.8800	Richiesta di offerta	5134	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	TLP2662	DC		2	Collettore aperto	2,7 V ~ 5,5 V	8-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile			EAR99	8541.49.8000	1.500	25 mA	10 MBd	12ns, 3ns		1,55 V	20 mA	5000 Vrm				2/0	20kV/μs	75ns, 75ns
TCMT1102	0,6300	Richiesta di offerta	78	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	TCMT1102	DC		1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		5,5 µs, 7 µs	70 V	1,35 V	60 mA	3750 Vrm							63% a 10 mA	125% a 10 mA	9,5 µs, 8,5 µs	300mV
HCPL-4731-320E	3.4466	Richiesta di offerta	6908	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	0°C ~ 70°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	HCPL-4731	DC		2	Darlington		Ala di gabbiano 8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	60mA		-	18 V	1,25 V	10 mA	5000 Vrm							600% a 500μA	8000% a 500μA	3μs, 34μs	-
PC4SF21YVZBH	-	Richiesta di offerta	5101	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori	PC4SF21		BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE	1	Triac		6-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA								SÌ	500 V/μs	7mA	50 µs (massimo)
PS8501L2-E3-AX	-	Richiesta di offerta	5138	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	8 mA		-	35 V	1,7 V	25 mA	5000 Vrm							15% a 16 mA	-	220ns, 350ns	-
PS2565-1-V	-	Richiesta di offerta	4220	CEL	NEPOC	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		CA, CC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	100	50mA		3μs, 5μs	80 V	1,17 V	80 mA	5000 Vrm							80% a 5 mA	400% a 5 mA	-	300mV
HCPL-6231	213.4889	Richiesta di offerta	6061	Broadcom limitata	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	20-CLCC	HCPL-6231	DC		2	Push-pull, totem	4,5 V~20 V	20-LCCC (8,89x8,89)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1	15 mA	5 MBd	45ns, 10ns		1,3 V	8 mA	1500 V CC				2/0	1kV/μs	350ns, 350ns
FOD785DSD	0,1760	Richiesta di offerta	4204	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-PDIP-GW	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-FOD785DSDTR	EAR99	8541.49.8000	1.500	50mA		18μs, 18μs (massimo)	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
4N25VM	0,7200	Richiesta di offerta	13	onsemi	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	4N25	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	30 V	1,18 V	60 mA	4170Vrm							20% a 10 mA	-	2μs, 2μs	500mV
MOC3022	-	Richiesta di offerta	1231	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	MOC302			1	Triac		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC3022QT	EAR99	8541.49.8000	50						50 mA	5300 Vrm	400 V		100μA								NO		10mA
H11B8153S	-	Richiesta di offerta	9253	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	H11B	DC		1	Darlington		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	H11B8153S-NDR	EAR99	8541.49.8000	2.000	80 mA		300 µs, 250 µs (massimo)	35 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							600% a 1 mA	7500% a 1 mA	-	1 V
TLP131(F)	-	Richiesta di offerta	6869	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori	TLP131	DC		1	Transistor con base		6-MFSOP, 5 derivazioni	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		TLP131F	EAR99	8541.49.8000	150	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	50 mA	3750 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
HCPL0531R1	-	Richiesta di offerta	9874	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HCPL05	DC		2	Transistor		8-SOIC	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	8 mA		-	20 V	1,45 V	25 mA	2500 Vrm							19% a 16 mA	50% a 16 mA	450 n., 300 n	-
4N32300	-	Richiesta di offerta	2115	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	4N32	DC		1	Darlington con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	4N32300-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	150mA		-	30 V	1,2 V	80 mA	5300 Vrm							500% a 10 mA	-	5 µs, 100 µs (massimo)	1 V
HCNR200-000E	4.8100	Richiesta di offerta	1	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,400", 10,16 mm)	HCNR200	DC		1	Fotovoltaico, Linearizzato		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	42	-		-	-	1,6 V	25 mA	5000 Vrm							0,25% a 10 mA	0,75% a 10 mA	-	-
HCPL-5701	109.2900	Richiesta di offerta	67	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	HCPL-5701	DC		1	Darlington		8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		3A001A2C	8541.49.8000	1	40mA		-	20 V	1,4 V	10 mA	1500 V CC							200% a 5 mA	-	2μs, 8μs	110mV
FODM3022R4_NF098	-	Richiesta di offerta	3214	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	FODM30		cUR, UR	1	Triac		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.500					1,2 V	60 mA	3750 Vrm	400 V	70 mA	300μA (suggerimento)								NO	10 V/μs (punta)	10mA	-
PS2703-1-F3-LA	-	Richiesta di offerta	7342	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PS2703	DC		1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	559-1445-2	EAR99	8541.49.8000	3.500	30mA		10μs, 10μs	120 V	1,1 V	50 mA	3750 Vrm							100% a 5 mA	300% a 5 mA	-	300mV
CNY171300	-	Richiesta di offerta	1430	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	CNY171	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		1μs, 2μs	70 V	1,35 V	100 mA	5300 Vrm							40% a 10 mA	80% a 10 mA	2μs, 3μs	300mV
SL5583W	-	Richiesta di offerta	8628	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,400", 10,16 mm)	SL5583	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	SL5583W-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	100mA		-	50 V	1,2 V	100 mA	5300 Vrm							40% a 10 mA	320% a 10 mA	20 µs, 50 µs (massimo)	400mV