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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP785F(BLL-F7,F | - |  | 2014 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(BLL-F7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | IL420-X008T | - | | 7635 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD | IL420 | CQC, CSA, cUR, UR | 1 | Triac | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300 mA | 500μA | NO | 10 kV/μs | 2mA | 35 µs | |||||||||||||||||
 | VO4256D | 1.0712 | | 8953 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO4256 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300 mA | - | NO | 5 kV/μs | 1,6 mA | - | ||||||||||||||||
 | FODM217CV | 1.0800 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | FODM217 | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | FODM217 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | FODM217CVOS | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||
| OPI8015 | 2.1600 | | 14 | 0.00000000 | Strumenti texani | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 70°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,75 V ~ 5,25 V | 6-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.33.0001 | 139 | 200kBd | 30ns, 9ns | 1,2 V | 25 mA | 3540Vpk | 1/0 | - | 5μs, 5μs (tipico) | |||||||||||||||||
 | 4N38TVM | 0,2300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.311 | 100mA | - | 80 V | 1,15 V | 80 mA | 4170Vrm | 20% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 1 V | |||||||||||||||||||
 | SFH6916 | 3.0200 | | 8 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | SFH6916 | DC | 4 | Transistor | 16-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 40 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | 5μs, 4μs | 400mV | |||||||||||||||
 | MOC8105300W | - | | 7663 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8105300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 65% a 10 mA | 133% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | ILD615-1 | 1.9100 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | ILD615 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | - | ||||||||||||||||
| PC400J000007 | - | | 8674 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | - | - | - | - | - | - | - | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
 | SFH1617A-3 | 1.0300 | | 3 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH1617 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | H11AA4SD | - | | 4892 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AA4SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||
 | MOCD207R1VM | - | | 7084 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD20 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 1,6 µs, 2,2 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,8μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | FODM3010R4 | - | | 8199 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 250 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 15 mA | - | ||||||||||||||||
 | 6N137A-X017T | 1.6700 | | 47 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N137 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10 MBd | 27ns, 10ns | 1,35 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| HCPL-3760-300E | 7.1200 | | 1253 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-3760 | CA, CC | 1 | Darlington | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mA | 14μs, 0,4μs | 20 V | - | 3750 Vrm | - | - | 4,5 µs, 8 µs | - | ||||||||||||||||
 | HCPL2530M | 0,9500 | | 719 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 316 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450ns, 500ns | - | |||||||||||||||||||
 | TLP628MX2 | - | | 4261 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - | 1 (illimitato) | 264-TLP628MX2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 10μs, 10μs | 400mV | ||||||||||||||||
| HCPL2531SVM | 1.2600 | | 973 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 238 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 250ns, 260ns | - | |||||||||||||||||||
 | PC452 | - | | 5678 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 100 µs, 20 µs | 350 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 1000% a 1 mA | - | - | 1,2 V | |||||||||||||||||
 | PS9117A-AX | 5.6900 | | 339 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1,65 V | 30mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| TLP781(D4-GR-FD,F) | - | | 2489 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781(D4-GR-FDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-M701 | 1.7238 | | 2574 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | HCPL-M701 | DC | 1 | Darlington | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60mA | - | 18 V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 500% a 1,6 mA | 3500% a 500μA | 500ns, 1μs | - | ||||||||||||||||
| MOCD213R2M | 1.1300 | | 50 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD213 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 1,6 µs, 2,2 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | - | 3μs, 2,8μs | 400mV | |||||||||||||||
| VO4157D-X007T | - | | 4324 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4157 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 700 V | 300 mA | 500μA | SÌ | 5 kV/μs | 1,6 mA | - | ||||||||||||||||
| PS8741 | - | | 6258 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 2 | Fotovoltaico, Linearizzato | 16-SOP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | - | - | - | 1,1 V | 50 mA | 1500 Vrm | - | - | - | - | ||||||||||||||||
| 74OL6010S | - | | 8203 | 0.00000000 | onsemi | OPTOLOGICO™ | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 74OL601 | Logica | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 40 mA | 15 MBd | 50ns, 5ns | - | - | 5300 Vrm | 1/0 | 5 kV/μs | 180ns, 120ns | ||||||||||||||||
| CNX35USD | - | | 7247 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNX35 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNX35USD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 160% a 10 mA | 20μs, 20μs | 400mV | |||||||||||||||
 | ACPL-M61L-500E | 3.4800 | | 4506 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | ACPL-M61 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 10 mA | 10 MBd | 12ns, 12ns | 1,3 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 80ns, 80ns | |||||||||||||||
 | LH1262CACTR | 4.0600 | | 5 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | LH1262 | DC | 2 | Fotovoltaico | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1μA | - | 15 V | 1,26 V | 50 mA | 5300 Vrm | - | - | 35 µs, 90 µs | - |
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