SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC8111W Fairchild Semiconductor MOC8111W 0,1100
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ECAD 8432 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 2.000 - 2μs, 11μs 70 V 1,15 V 90 mA 5300 Vrm 20% a 10 mA - 3μs, 18μs 400mV
6N137-300E Broadcom Limited 6N137-300E 2.0200
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ECAD 2606 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N137 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 20 mA 3750 Vrm 1/0 1kV/μs 75ns, 75ns
CNY17-4X017 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-4X017 0,2509
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ECAD 3544 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,39 V 60 mA 5000 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
OP316A TT Electronics/Optek Technology OP316A -
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ECAD 2975 0.00000000 Tecnologia TT Electronics/Optek - Massa Obsoleto - - - - Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 25
EL3041S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3041S(TA)-V 0,4798
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ECAD 1889 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano EL3041 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903410012 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 400 V 100 mA 280 µA (sugger.) 1kV/μs 15 mA -
TLP127(MBSSM-TPL,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP127(MBSSM-TPL,F -
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ECAD 4766 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano TLP127 DC 1 Darlington 6-MFSOP, 4 derivazioni - 1 (illimitato) 264-TLP127(MBSSM-TPLFTR EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 40 µs, 15 µs 300 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 1000% a 1 mA - 50 µs, 15 µs 1,2 V
CNX39U3SD onsemi CNX39U3SD -
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ECAD 5846 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNX39 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNX39U3SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 30 V 1,15 V 100 mA 5300 Vrm 60% a 10 mA 100% a 10 mA 20μs, 20μs 400mV
5962-9800103K2A Broadcom Limited 5962-9800103K2A 575.5800
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ECAD 6586 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 20-CLCC 5962-9800103 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 20-LCCC (8,89x8,89) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 35ns, 35ns 1,5 V 20 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 100ns, 100ns
PS2861B-1Y-F3-L-A CEL PS2861B-1Y-F3-LA -
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ECAD 5107 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato PS2861B-1Y-F3-L-ATR EAR99 8541.49.8000 3.500 50mA 4μs, 5μs 70 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
PS8902-Y-F3-AX Renesas Electronics America Inc PS8902-Y-F3-AX 5.0000
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ECAD 2728 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,543", larghezza 13,80 mm) PS8902 DC 1 Transistor 8-LSDIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 35 V 1,65 V 25 mA 7500 Vrm 15% a 16 mA 35% a 16 mA - -
PS2501L-1-W-A Renesas Electronics America Inc PS2501L-1-WA -
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ECAD 3678 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2501 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1237 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
FOD2741BT Fairchild Semiconductor FOD2741BT 1.0000
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ECAD 8970 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1 50mA - 30 V 1,5 V (massimo) 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA - 400mV
H11A4S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd H11A4S1(da confermare) -
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ECAD 7171 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A4 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171141 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 10% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
5962-8767907K2A Broadcom Limited 5962-8767907K2A 628.7029
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ECAD 2083 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 20-CLCC 5962-8767907 DC 2 Transistor con base 20-LCCC (8,89x8,89) scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - 20 V 1,55 V 20 mA 1500 V CC 9% a 16 mA - 400ns, 1μs -
H11AG1SR2M onsemi H11AG1SR2M 1.5700
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ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11AG DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 50 mA 4170Vrm 100% a 1 mA - 5μs, 5μs 400mV
EL3H7(E)(TA)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7(E)(TA)-G -
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ECAD 1269 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) EL3H7 DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 5μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 200mV
VOA300-F-X017T Vishay Semiconductor Opto Division VOA300-F-X017T 5.4000
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor Automobilistico, AEC-Q102 Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano VOA300 DC 3 Fotovoltaico, Linearizzato 8-SMD scaricamento 3 (168 ore) EAR99 8541.49.8000 1.000 - 800ns, 800ns - 1,4 V 60 mA 5300 Vrm - - - -
TLP759(D4-LF2,J,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP759(D4-LF2,J,F) -
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ECAD 6708 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP759 DC 1 Transistor con base 8-DIP scaricamento 264-TLP759(D4-LF2JF) EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
PC817X3CSP9F SHARP/Socle Technology PC817X3CSP9F 0,0900
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ECAD 6600 0.00000000 Tecnologia SHARP/Socle PC817 Nastro e bobina (TR) Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile OBSOLETO 0000.00.0000 2.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
PC354NTJ000F Sharp Microelectronics PC354NTJ000F -
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ECAD 5788 0.00000000 Microelettronica Sharp - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 750 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 20% a 1 mA 400% a 1 mA - 200mV
4N37M Lite-On Inc. 4N37M 0,1095
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ECAD 9885 0.00000000 Lite-On Inc. 4N3X Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) 4N37 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 65 100mA 3μs, 3μs 30 V 1,2 V 60 mA 1500 Vrm 100% a 10 mA - - 300mV
PS9821-1-A CEL PS9821-1-A -
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ECAD 2186 0.00000000 CEL NEPOC Massa Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Collettore aperto 2,7 V ~ 3,6 V 8-SSOP scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS9821-1 EAR99 8541.49.8000 100 25 mA 15Mbps 20ns, 5ns 1,65 V 20 mA 2500 Vrm 1/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
EL2601S1(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL2601S1(TA) 0,7503
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ECAD 5231 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano EL2601 DC 1 Collettore aperto 7V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C180000084 EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 40ns, 10ns 1,4 V 50mA 5000 Vrm 1/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
ILD66-4 Vishay Semiconductor Opto Division ILD66-4 -
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ECAD 6624 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) ILD66 DC 2 Darlington 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 - 200 µs, 200 µs (massimo) 60 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 500% a 2 mA - - 1 V
VO618A-3X018T Vishay Semiconductor Opto Division VO618A-3X018T 0,4400
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 14μs 80 V 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 100% a 1 mA 200% a 1 mA 4,2 µs, 23 µs 400mV
HMHA2801AR4V onsemi HMHA2801AR4V -
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ECAD 7017 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHA28 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
SFH610A-4-LB Vishay Semiconductor Opto Division SFH610A-4-LB -
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ECAD 1816 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor SFH610A Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP - REACH Inalterato 751-SFH610A-4-LB EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 15μs 70 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 6μs, 25μs 400mV
74OL60003SD onsemi 74OL60003SD -
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ECAD 1711 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL600 Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 45ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
MCT2EM Everlight Electronics Co Ltd MCT2EM -
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ECAD 4769 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 65 - 3μs, 3μs 80 V 1,23 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
EL3082S(TA) Everlight Electronics Co Ltd EL3082S(TA) -
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ECAD 7191 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano EL3082 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903820004 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 800 V 100 mA 280 µA (sugger.) 600 V/μs 10mA -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock