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Optoisolatori(15749)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
TLP2361(V4-TPR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2361(V4-TPR,E 1.0700
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 ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2361 DC 1 Push-pull, totem 2,7 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 10 mA 15 MBd 3ns, 3ns 1,5 V 10mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 80ns, 80ns
TIL117S1(TB) Everlight Electronics Co Ltd TIL117S1(TB) -
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 ECAD 1724 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TIL117 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 390717L123 EAR99 8541.49.8000 1.000 - 6μs, 8μs 80 V 1,32 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 10 mA - 10μs, 9μs 400mV
EL212(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL212(TA)-V -
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 ECAD 5707 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) EL212 DC 1 Transistor con base 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C110000561 EAR99 8541.49.8000 2.000 - 1,6 µs, 2,2 µs 80 V 1,3 V 60 mA 3750 Vrm 50% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
CNY17F-4S(TB)-V Everlight Electronics Co Ltd CNY17F-4S(TB)-V -
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 ECAD 1120 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17F DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171793 EAR99 8541.49.8000 1.000 - 6μs, 8μs 80 V 1,65 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 10μs, 9μs 300mV
FOD617D3SD onsemi FOD617D3SD -
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 ECAD 8343 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FOD617 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,35 V 50 mA 5000 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA - 400mV
H11L1W onsemi H11L1W -
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 ECAD 5825 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) H11L DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 1,6 mA 5300 Vrm 1/0 - -
SFH655A-X009T Vishay Semiconductor Opto Division SFH655A-X009T -
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 ECAD 3713 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano SFH655 DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 125 mA 14μs, 14μs 55 V 1,15 V 60 mA 5300 Vrm 600% a 1 mA - 16μs, 15μs 1 V
4N25S-TA Lite-On Inc. 4N25S-TA -
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 ECAD 6735 0.00000000 Lite-On Inc. 4N2X Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 4N25 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 4N25STA EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA 3μs, 3μs 30 V 1,2 V 80 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - - 500mV
PS2913-1-V-F3-K-AX Renesas Electronics America Inc PS2913-1-V-F3-K-AX 0,7900
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 ECAD 6876 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, conduttori piatti PS2913 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1555-2 EAR99 8541.49.8000 3.500 30mA 10μs, 10μs 120 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 100% a 1 mA 200% a 1 mA 80 µs, 50 µs 300mV
PS2501AL-1-L-A CEL PS2501AL-1-LA -
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 ECAD 3527 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2501 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
TLP754(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP754(F) -
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 ECAD 8364 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -40°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP754 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP754F EAR99 8541.49.8000 50 15 mA 1Mbps - 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 550ns, 400ns
HCPL-5630#200 Broadcom Limited HCPL-5630#200 93.1240
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 ECAD 5295 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-5630 DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 35ns, 35ns 1,5 V 20 mA 1500 V CC 2/0 1kV/μs 100ns, 100ns
MOC5007SR2VM onsemi MOC5007SR2VM -
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 ECAD 8696 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 1 megahertz - - 1,6 mA 7500Vpk 1/0 - -
TCET1108G Vishay Semiconductor Opto Division TCET1108G 0,1761
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 ECAD 9610 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TCET1108 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 3μs, 4,7μs 70 V 1,25 V 60 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA 6μs, 5μs 300mV
TLP5702(D4-TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP5702(D4-TP,E -
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 ECAD 9095 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) TLP5702 DC 1 Push-pull, totem 15 V~30 V 6-SO scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP5702(D4-TPETR EAR99 8541.49.8000 1.500 50 mA - 15ns, 8ns 1,55 V 20 mA 5000 Vrm 1/0 20kV/μs 200ns, 200ns
SFH615A-4XSM Isocom Components 2004 LTD SFH615A-4XSM 0,6200
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 ECAD 17 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano SFH615 DC 1 Transistor - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4,6 µs, 15 µs 70 V 1,65 V (massimo) 50 mA 5300 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 6μs, 25μs 400mV
ACPL-570KL-300 Broadcom Limited ACPL-570KL-300 631.8867
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 ECAD 5101 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 8-CSMD, Ala di gabbiano ACPL-570 DC 1 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 40mA - 20 V 1,4 V 10 mA 1500 V CC 200% a 5 mA - 2μs, 6μs -
CNY17F3TM onsemi CNY17F3TM -
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 ECAD 3187 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
PS9822-2-N-AX CEL PS9822-2-N-AX -
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 ECAD 3743 0.00000000 CEL NEPOC Massa Interrotto alla SIC -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 2 Collettore aperto 2,7 V ~ 3,6 V 8-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato PS98222NAX EAR99 8541.49.8000 20 25 mA 1Mbps - 1,6 V 15 mA 2500 Vrm 2/0 - 700ns, 500ns
PS8101-V-K-AX CEL PS8101-VK-AX -
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 ECAD 8134 0.00000000 CEL NEPOC Massa Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori DC 1 Transistor 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 20 8 mA - 35 V 1,7 V 25 mA 3750 Vrm 20% a 16 mA 35% a 16 mA 500ns, 600ns -
H11N2300 onsemi H11N2300 -
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 ECAD 4705 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11N DC 1 Collettore aperto - 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 5 MHz - 1,4 V 5mA 7500 Vrm 1/0 - 330ns, 330ns
OPIA6010ATRA TT Electronics/Optek Technology OPIA6010ATRA -
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 ECAD 6535 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 5μs, 4μs 60 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 60% a 1 mA 600% a 1 mA - 300mV
TLP785F(GRL-F7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(GRL-F7,F -
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 ECAD 9435 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(GRL-F7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
HCPL-261N#060 Broadcom Limited HCPL-261N#060 2.3501
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 ECAD 3954 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) HCPL-261 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 10 MBd 42ns, 12ns 1,3 V 10mA 3750 Vrm 1/0 1kV/μs 100ns, 100ns
SFH615AGR Vishay Semiconductor Opto Division SFH615AGR 0,7100
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 ECAD 2 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) SFH615 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA - 70 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 2μs, 25μs 400mV
VO3063-X009T Vishay Semiconductor Opto Division VO3063-X009T 0,6186
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 ECAD 3520 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano VO306 cUR, UR 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 600 V 100 mA 200μA (suggerimento) SÌ 1,5 kV/μs 5mA -
TCLT1007 Vishay Semiconductor Opto Division TCLT1007 0,7200
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 ECAD 80 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TCLT1007 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 4,7μs 70 V 1,25 V 60 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA 6μs, 5μs 300mV
PS2801-1-L-A CEL PS2801-1-LA -
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 ECAD 8721 0.00000000 CEL - Striscia Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS28011LA EAR99 8541.49.8000 50 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 6μs, 5μs 300mV
TLP504A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP504A(F) -
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 ECAD 8450 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP504 DC 2 Transistor 8-DIP scaricamento 1 (illimitato) TLP504AF EAR99 8541.49.8000 50 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
MCT2713S onsemi MCT2713S -
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 ECAD 2888 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MCT2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MCT2713S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,25 V 100 mA 5300 Vrm 45% a 10 mA 90% a 10 mA 1μs, 48μs 400mV
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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