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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP3083F(D4,F | 1.7400 |  | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 600 µA | SÌ | 2 kV/μs (tip.) | 5mA | - | ||||||||||||||||||
 | PS2911-1-V-F3-A | - | | 5980 | 0.00000000 | CEL | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 40mA | 5μs, 10μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 1 mA | 400% a 1 mA | 40 µs, 120 µs | 300mV | |||||||||||||||||
 | H11AA3TM | - | | 8416 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | FODM121BR1V | - | | 8603 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11D1S | - | | 2453 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11D | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 300 V | 1,15 V | 80 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||||||||||||
| MOC81053SD | - | | 8978 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC81053SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 65% a 10 mA | 133% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| 4N30-V | - | | 1710 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150024 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 5 µs, 40 µs (massimo) | 1 V | ||||||||||||||||
 | PC901V0NSZXF | - | | 3879 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | OPIC™ | Tubo | Obsoleto | -25°C~85°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 3V~15V | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 425-2206-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | - | 100 n., 50 n | 1,1 V | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | 2 kV/μs (tip.) | 3μs, 6μs | ||||||||||||||||
| 4N26-X017T | 0,2803 | | 9310 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N26 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,36 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-814-000E | 0,5800 | | 658 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-814 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| 8008260000 | - | | 6759 | 0.00000000 | Weidmüller | * | Massa | Obsoleto | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 4N26X | - | | 6355 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N26 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 500mV | ||||||||||||||||
 | PS9513L2-E3-AX | - | | 7230 | 0.00000000 | CEL | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~20 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 750ns, 500ns | ||||||||||||||||
 | ACPL-M484-560E | 1.5886 | | 9500 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | ACPL-M484 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 30 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 mA | - | 6ns, 6ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 30 kV/μs | 120ns, 150ns | |||||||||||||||
 | ACFL-5211T-560E | 2.5101 | | 3978 | 0.00000000 | Broadcom limitata | Automotive, AEC-Q100, R²Coupler™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 12-BSOP (0,295", larghezza 7,50 mm) | ACFL-5211 | DC | 2 | Transistor | 12-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 32% a 10 mA | 100% a 10 mA | 150 nanometri, 500 nanometri | - | |||||||||||||||
| TLP121(Y-TPR,F) | - | | 1498 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP121 | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP121(Y-TPRF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | MOCD207R1M | - | | 7618 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD20 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 150mA | 1,6 µs, 2,2 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,8μs | 400mV | ||||||||||||||||
| IL755-1X007 | 0,7379 | | 3665 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | IL755 | CA, CC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 50 µs, 50 µs | 60 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 750% a 2 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||||
 | HCPL-7710-560E | 2.8549 | | 4273 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-7710 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 12,5 MBd | 13ns, 5ns | - | - | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
| PS2581L2-F3-A | - | | 1014 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TCET1101G | 0,5500 | | 4084 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TCET1101 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
| H11AV2™ | - | | 2322 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 70 V | - | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||
| HCPL-4701#300 | 2.7595 | | 1541 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-4701 | DC | 1 | Darlington con base | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 18 V | 1,25 V | 10 mA | 3750 Vrm | 600% a 500μA | 8000% a 500μA | 3μs, 34μs | - | |||||||||||||||
| 6N139SDVM | 0,6900 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 435 | 60mA | - | 18 V | 1,3 V | 20 mA | 5000 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 240ns, 1,3μs | - | |||||||||||||||||||
 | IS829 | 1.0800 | | 283 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | IS829 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 35 V | 1,4 V (massimo) | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3 µs, 2,5 µs | 200mV | |||||||||||||||
 | 6N139 | - | | 7355 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6N139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,3 V | 20 mA | 2500 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 1,5 µs, 7 µs | - | ||||||||||||||||
| HWXX58438SS1R | - | | 6014 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | HWXX5 | - | 751-HWXX58438SS1R | OBSOLETO | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP292-4(LGB,E | 1.7900 | | 6005 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500μA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
| PS2562-1-VA | 1.7100 | | 77 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PS2562 | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1385 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 200mA | 100 µs, 100 µs | 40 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 1 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||
| TLP571(LF1,F) | - | | 9065 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP571 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP571(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 |
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