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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MCT2W | - |  | 8577 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MCT2W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 100 mA | 5300 Vrm | 20% a 10 mA | - | 1,1 µs, 50 µs | 400mV | |||||||||||||||
| LTV-702FM | 0,1095 | | 8609 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | LTV-702 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,4 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 320% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | PS2561L2-1-VA | - | | 4038 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS2561L21VA | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | FODM452V | 0,8406 | | 4606 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | FODM452 | DC | 1 | Transistor | 5-Mini-Appartamento | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20% a 16 mA | 50% a 16 mA | 400ns, 350ns | - | |||||||||||||||
 | EL2611S(TA)-V | 0,6636 | | 4450 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | EL2611 | DC | 1 | Collettore aperto | 7V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C180000057 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 40ns, 10ns | 1,4 V | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
 | PS9115-F4-A | - | | 4273 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 13 mA | 10Mbps | - | 1,65 V | 30mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 65ns, 65ns | |||||||||||||||||
 | HCPL0534 | 2.4400 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL05 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 15% a 16 mA | - | 450 n., 300 n | - | |||||||||||||||
 | S2S3LA0F | 1.6400 | | 10 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD | S2S3LA0 | CSA, UR | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 50 mA | 3,5mA | NO | 100 V/μs | 5mA | 100μs (massimo) | ||||||||||||||||
 | S21MT2 | - | | 7798 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | S21M | UR | 1 | Triac | 4-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1292-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 3,5mA | SÌ | 100 V/μs | 10mA | 50 µs (massimo) | |||||||||||||||
 | CNY172FM | - | | 1223 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY172 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNY172FM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 7500Vpk | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PC81710NIP1B | 1.0200 | | 2989 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PC81710 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 5000 Vrm | 100% a 500 µA | 600% a 500μA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | TLP385(D4-BL,E | 0,5500 | | 8372 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(D4-BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | TLP291-4(GB,E) | 1.4600 | | 2026 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP291 | DC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP785F(GB,F | - | | 7295 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(GBF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-523K | 761.1700 | | 3016 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-523 | DC | 2 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 5 MBd | 45ns, 10ns | 1,3 V | 8 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
 | SFH620A-3 | 0,9500 | | 4 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH620 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| 4N37 | - | | 3154 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N37 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 300mV | ||||||||||||||||
| OR-MOC3063(L) | 0,6400 | | 9419 | 0.00000000 | Shenzhen Oriente Components Co., Ltd | - | Tubo | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 5007-OR-MOC3063(L) | 3.300 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 4N28(CORTO,F) | - | | 6801 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N28 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 4N28(CORTO) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 100mA | 2μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 80 mA | 2500 Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 500mV | |||||||||||||||
 | HCPL2503SV | - | | 3051 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL25 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 12% a 16 mA | - | 450 n., 300 n | - | ||||||||||||||||
 | EL3063S(TA)-V | 0,3232 | | 1989 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3063 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903630112 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
 | HCPL-2201#560 | - | | 4531 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 25 mA | 5 MBd | 30ns, 7ns | 1,5 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 300ns, 300ns | ||||||||||||||||
 | EL817(S1)(B)(TU) | - | | 4031 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| CNY1713SD | - | | 10000 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY171 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNY1713SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | PS9317L2-AX | - | | 9991 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SDIP Ala di gabbiano | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1,56 V | 30mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
| VOT8125AB | 0,4069 | | 3415 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VOT8125 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-VOT8125AB | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||||||
| H11G1W | - | | 3524 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11G | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11G1W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 100 V | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 1000% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs | 1 V | |||||||||||||||
| 4N29 | - | | 3795 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N29 | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | 5 µs, 40 µs (massimo) | 1 V | ||||||||||||||||
 | SFH601-1 | 1.5000 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH601 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 100 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| EL3033 | 0,8274 | | 2801 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL303 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903330100 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - |
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