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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (massimo) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
HCPL-817-W6BE Broadcom Limited HCPL-817-W6BE 0,1603
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ECAD 8246 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL-817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 4μs, 3μs 70 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
HMHAA280R3 onsemi HMHAA280R3 -
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ECAD 1814 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) HMHAA28 CA, CC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 400mV
EL817(M)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL817(M)-VG -
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ECAD 4933 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) EL817 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 6μs, 8μs 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
TLP182(GR,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP182(GR,E 0,5700
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ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP182 CA, CC 1 Transistor 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP182(GRE EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,25 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 300mV
MOC3010SR2VM onsemi MOC3010SR2VM -
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ECAD 5645 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC301 IEC/EN/DIN, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3010SR2VM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 1,15 V 60 mA 4170Vrm 250 V 100μA (suggerimento) NO - 15 mA -
CNY17F2TVM onsemi CNY17F2TVM 0,6900
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ECAD 5 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17F2 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato 2156-CNY17F2TVM-488 EAR99 8541.49.8000 50 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
PC817X4NIP1B SHARP/Socle Technology PC817X4NIP1B -
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ECAD 4056 0.00000000 Tecnologia SHARP/Socle - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 6.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA - - - - 200mV
PC3SF21YVZBH Sharp Microelectronics PC3SF21YVZBH -
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ECAD 7359 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Interrotto alla SIC -30°C~100°C Foro passante 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori PC3SF21 BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE 1 Triac 6-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600 V 100 mA 3,5mA 1kV/μs 7mA 50 µs (massimo)
MOC3062SM onsemi MOC3062SM 1.5600
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ECAD 8718 0.00000000 onsemi - Tubo Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC306 UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3062SM-NDR EAR99 8541.49.8000 50 1,3 V 60 mA 4170Vrm 600 V 500μA (suggerimento) 600 V/μs 10mA -
PS2565L-2-V CEL PS2565L-2-V -
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ECAD 9031 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 2 Transistor 8-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 45 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
TLP630(TA,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP630(TA,F) -
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ECAD 4822 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP630 CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento 264-TLP630(TAF) EAR99 8541.49.8000 1 50mA 2μs, 3μs 55 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
CNY17-1X016 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-1X016 0,2509
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ECAD 1731 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,39 V 60 mA 5000 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
PS9821-1-F4-A CEL PS9821-1-F4-A -
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ECAD 3092 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Collettore aperto 2,7 V ~ 3,6 V 8-SSOP scaricamento 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 1.500 25 mA 15Mbps 20ns, 5ns 1,65 V 20 mA 2500 Vrm 1/0 15 kV/μs 75ns, 75ns
HCPL-2530-520E Broadcom Limited HCPL-2530-520E 1.2907
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ECAD 4295 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-2530 DC 2 Transistor 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 8 mA - 20 V 1,5 V 25 mA 5000 Vrm 7% a 16 mA 50% a 16 mA 200ns, 1,3μs -
PC3SD11NTZBH SHARP/Socle Technology PC3SD11NTZBH -
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ECAD 5410 0.00000000 Tecnologia SHARP/Socle - Tubo Attivo -30°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) PC3SD11 CSA, UR 1 Triac 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600 V 100 mA 3,5mA NO 1kV/μs 7mA 100μs (massimo)
4N27SR2M Fairchild Semiconductor 4N27SR2M 0,2600
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ECAD 144 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 1.167 - - 30 V 1,18 V 60 mA 4170Vrm 10% a 10 mA - 2μs, 2μs 500mV
HCPL-4503-360E Broadcom Limited HCPL-4503-360E 1.0762
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ECAD 8205 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano HCPL-4503 DC 1 Transistor Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 8 mA - 20 V 1,5 V 25 mA 3750 Vrm 19% a 16 mA 50% a 16 mA 200ns, 600ns -
HCPL-2630#500 Broadcom Limited HCPL-2630#500 -
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ECAD 1351 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 2 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10 MBd 24ns, 10ns 1,5 V 15 mA 3750 Vrm 2/0 5 kV/μs 100ns, 100ns
CNY17-3X001 Vishay Semiconductor Opto Division CNY17-3X001 0,7100
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ECAD 960 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY17 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,39 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
74OL60113SD onsemi 74OL60113SD -
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ECAD 2705 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
CNW83SD onsemi CNW83SD -
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ECAD 8247 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNW83 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 100mA - 50 V - 100 mA 5900 Vrm 0,4% a 10 mA - - 400mV
SFH615A-1X001 Vishay Semiconductor Opto Division SFH615A-1X001 0,2798
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ECAD 3409 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) SFH615 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,35 V 60 mA 5300 Vrm 40% a 10 mA 80% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
TCMT1600 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT1600 0,7700
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) TCMT1600 CA, CC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 4,7μs 70 V 1,35 V 60 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 300% a 5 mA 6μs, 5μs 300mV
FODM2705R1 onsemi FODM2705R1 -
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ECAD 6931 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM27 CA, CC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
FODM3052R4 onsemi FODM3052R4 -
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ECAD 3535 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM30 BSI, CSA, UL 1 Triac 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 1,2 V 60 mA 3750 Vrm 600 V 70 mA 300μA (suggerimento) NO 1kV/μs 10mA -
TLP750(NEMIC,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(NEMIC,F) -
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ECAD 2996 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (illimitato) 264-TLP750(NEMICF) EAR99 8541.49.8000 50
TLP781F(BLL-LF7,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(BLL-LF7,F) -
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ECAD 3705 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP781F DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(BLL-LF7F) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
OPIA406CTUE TT Electronics/Optek Technology OPIA406CTUE -
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ECAD 6798 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Tubo Obsoleto -30°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Darlington 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 6.000 90 mA 200 µs, 200 µs 40 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 20% a 1 mA - - 1 V
FOD4118SD Fairchild Semiconductor FOD4118SD -
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ECAD 1386 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4118 CSA, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 99 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
PS2811-4-V-F3-A CEL PS2811-4-V-F3-A -
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ECAD 7058 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 4 Transistor 16-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 40mA 4μs, 5μs 40 V 1,15 V 50 mA 2500 Vrm 100% a 1 mA 400% a 1 mA - 300mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock