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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 140816141410 | 0,3800 |  | 1 | 0.00000000 | Würth Elettronica | WL-OCPT | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP-M | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 732-140816141410 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,24 V | 60 mA | 5000 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | ||||||||||||||||
 | RV1S9213ACCSP-10YC#KC0 | 1.8700 | | 6240 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 5-SMD, Ala di gabbiano | RV1S9213 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V~25 V | 5-LSSO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 15 mA | 1Mbps | - | 1,56 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 50 kV/μs | 750ns, 500ns | |||||||||||||||
 | PS9317L-AX | - | | 1916 | 0.00000000 | Renesas | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 6-SDIP | - | 2156-PS9317L-AX | 1 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1,56 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||||||
 | IL440-6 | - | | 1782 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL440 | BSI, CSA, cUR, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 100 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 50 V/μs (tip.) | 5mA | - | |||||||||||||||
 | FODM121AR4 | 0,2449 | | 4142 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
 | 140816144200 | 0,3800 | | 839 | 0.00000000 | Würth Elettronica | WL-OCPT | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-DIP-SLM | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,24 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | |||||||||||||||||
 | MOC3012M | 0,2800 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | * | Massa | Attivo | MOC301 | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.081 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | S208T02F | - | | 8986 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -25°C~100°C | Foro passante | 4-SIP | S208T | UL | 1 | Triac, Potenza | 4-SIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 1,2 V | 50 mA | 3000 Vrm | 600 V | 8A | 50mA | SÌ | 30 V/μs | 8 mA | 10 ms (massimo) | |||||||||||||||||
 | HCPL2531SDM | 0,7600 | | 571 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 397 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 250ns, 260ns | - | |||||||||||||||||||
| EL852S1(TA) | 0,3708 | | 6392 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | EL852 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | - | 1080-EL852S1(TA)TR | EAR99 | 8541.41.0000 | 1.000 | 150mA | 300 µs, 100 µs (massimo) | 350 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | 15000% a 1 mA | - | 1,2 V | ||||||||||||||||||
| TLP5702(D4-TP4,E | 1.5200 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5702 | DC | 1 | Push-pull, totem | 15 V~30 V | 6-SO | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 200ns, 200ns | ||||||||||||||||||
| OR-MOC3021(L)S-TA1 | 0,5300 | | 9286 | 0.00000000 | Shenzhen Oriente Components Co., Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1.000 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 200μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||||
 | 4N31S1(TA)-V | - | | 2068 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150046 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 10 mA | - | 5 µs, 40 µs (massimo) | 1,2 V | ||||||||||||||||
 | TPC816S1D STRACCIO | - | | 3457 | 0.00000000 | Società di semiconduttori di Taiwan | TPC816 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-0466-060E | 1.5363 | | 9230 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-0466 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 30 V | 8-SO alto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 15 mA | - | - | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||||||||||
 | ACPL-217-500E | 0,7200 | | 40 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | ACPL-217 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
| H11B1-X009T | - | | 1014 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 100mA | - | 25 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 500% a 1 mA | - | 5 µs, 30 µs | 1 V | |||||||||||||||
 | 6N138-500E | 0,6123 | | 7 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N138 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 7V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 300% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 1,6 µs, 10 µs | - | |||||||||||||||
 | TLP785F(Y-TP7,F | - | | 6359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(Y-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11N3SVM | - | | 6525 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11N | DC | 1 | Collettore aperto | 4 V~15 V | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 5 MHz | 7,5 n, 12 n | 1,4 V | 30mA | 4170Vrm | 1/0 | - | 330ns, 330ns | ||||||||||||||||
| TIL917C | 0,2500 | | 9 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.210 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| HWXX34838DF1 | - | | 9256 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | HWXX3 | - | 751-HWXX34838DF1 | OBSOLETO | 1.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EL817(S)(TA) | - | | 4553 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | HCPL-5700 | 99.6500 | | 4031 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-5700 | DC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 8μs | 110mV | |||||||||||||||
| FOD785CSD | 0,1760 | | 3661 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-PDIP-GW | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 488-FOD785CSDTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 18μs, 18μs (massimo) | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
| TLP620-2(D4-TP1,F) | - | | 7918 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | 264-TLP620-2(D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | PC123X1YIP1B | - | | 5403 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | PC123 | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PC123X1 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 890Vpk | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
| HCPL-060L-560E | 3.1100 | | 8 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-060 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SO alto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50 mA | 15 MBd | 24ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| CNY17F2TVM | - | | 4526 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 4170Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| PS2805C-1-VA | 3.2700 | | 7276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2805C | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mA | 5μs, 7μs | 80 V | 1,2 V | 30 mA | 2500 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 10μs, 7μs | 300mV |
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