SIC
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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
EL1113-G Everlight Electronics Co Ltd EL1113-G -
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ECAD 7819 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori EL1113 DC 1 Transistor con base 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 4μs, 3μs 400mV
TLP719F(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP719F(F) -
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ECAD 3997 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Massa Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) TLP719 DC 1 Transistor con base 6-SDIP - 264-TLP719F(F) EAR99 8541.49.8000 1 8 mA - - 1,65 V 25 mA 5000 Vrm 20% a 16 mA - - -
TLP388(GB,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP388(GB,E 0,7900
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ECAD 8875 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori TLP388 DC 1 Transistor 6-SO, 4 derivazioni scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 125 50mA 2μs, 3μs 350 V 1,25 V 50 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
PS2861B-1Y-V-F3-L-A CEL PS2861B-1Y-V-F3-LA -
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ECAD 4363 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.500 50mA 4μs, 5μs 70 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
8224201001 Weidmüller 8224201001 -
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ECAD 7874 0.00000000 Weidmüller - Massa Obsoleto - - - - 32 - - - Non applicabile RS F40 16 OS OUT 5..48 VCC EAR99 8541.49.8000 1 - - 48 V - 100 mA - - - - -
FODM217BR2V onsemi FODM217BR2V 0,9400
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ECAD 939 0.00000000 onsemi FODM217 Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) FODM217 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 3μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
EL3H7(C)-G Everlight Electronics Co Ltd EL3H7(C)-G 0,2861
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ECAD 2771 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) EL3H7 DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903H70002 EAR99 8541.49.8000 150 50mA 5μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
140817143300 Würth Elektronik 140817143300 0,2900
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ECAD 495 0.00000000 Würth Elettronica WL-OCPT Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-DIP-SL scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.500 50mA 3μs, 4μs 35 V 1,24 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 200mV
TLP750(D4-TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP750(D4-TP1,F) -
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ECAD 8800 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP750 - 1 (illimitato) 264-TLP750(D4-TP1F) EAR99 8541.49.8000 1.500
EL3H7(F)(EA)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL3H7(F)(EA)-VG -
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ECAD 7894 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) EL3H7 DC 1 Transistor 4-SSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 5μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA - 200mV
VO4258H-X007T Vishay Semiconductor Opto Division VO4258H-X007T 4.0500
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ECAD 7 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano VO4258 BSI, cUR, FIMKO, UR 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 800 V 300 mA - NO 5 kV/μs 2mA -
TLP2312(V4-TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP2312(V4-TPL,E 1.7100
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ECAD 16 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori TLP2312 DC 1 Push-pull, totem 2,2 V ~ 5,5 V 6-SO, 5 Piombo scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP2312(V4-TPLETR EAR99 8541.49.8000 3.000 8 mA 5Mbps 2,2 n., 1,6 n 1,53 V 8 mA 3750 Vrm 1/0 20kV/μs 250ns, 250ns
HCPL2631WV onsemi HCPL2631WV -
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ECAD 2531 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) HCPL2631 DC 2 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 8-MDIP scaricamento Conformità ROHS3 Non applicabile REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50 mA 10Mbps 50ns, 12ns 1,4 V 30mA 2500 Vrm 2/0 5 kV/μs 75ns, 75ns
TLP161J(V4DMT7TRCF Toshiba Semiconductor and Storage TLP161J(V4DMT7TRCF -
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ECAD 8447 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Nastro e bobina (TR) Obsoleto TLP161 - 1 (illimitato) 264-TLP161J(V4DMT7TRCFTR EAR99 8541.49.8000 3.000
CNY117F-3 Vishay Semiconductor Opto Division CNY117F-3 0,2826
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ECAD 5567 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) CNY117 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2μs, 2μs 70 V 1,39 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 3μs, 2,3μs 400mV
TLP2630(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP2630(LF1,F) -
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ECAD 7720 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP2630 - 1 (illimitato) 264-TLP2630(LF1F) EAR99 8541.49.8000 50
140817140410 Würth Elektronik 140817140410 0,2900
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ECAD 100 0.00000000 Würth Elettronica WL-OCPT Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 4μs 35 V 1,24 V 60 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
ACPL-5601L-200 Broadcom Limited ACPL-5601L-200 95.6184
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ECAD 4430 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) ACPL-5601 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 3 V ~ 3,6 V 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato 3A001A2C 8541.49.8000 1 25 mA 10 MBd 20ns, 8ns 1,55 V 20 mA 1500 V CC 1/0 1kV/μs 100ns, 100ns
CNY17-2-W00E Broadcom Limited CNY17-2-W00E 0,2103
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ECAD 1939 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 65 150mA 5μs, 5μs 70 V 1,4 V 60 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA - 300mV
SFH618A-5X007T Vishay Semiconductor Opto Division SFH618A-5X007T 1.1600
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano SFH618 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 3,5 µs, 5 µs 55 V 1,1 V 60 mA 5300 Vrm 250% a 1 mA 500% a 1 mA 6μs, 5,5μs 400mV
FOD815SD Fairchild Semiconductor FOD815SD 0,1800
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ECAD 7058 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -30°C~105°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Darlington 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 27 80 mA 60 µs, 53 µs 35 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 600% a 1 mA 7500% a 1 mA - 1 V
IL410-X009T Vishay Semiconductor Opto Division IL410-X009T 3.7200
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ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano IL410 CSA, UR 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 1.000 1,16 V 60 mA 5300 Vrm 600 V 300 mA 500 µA 10 kV/μs 2mA 35 µs
TLP785(D4-GRH,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(D4-GRH,F -
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ECAD 7042 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(D4-GRHF EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 150% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP781F(D4-Y,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP781F(D4-Y,F) -
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ECAD 4224 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Obsoleto -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP781F DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP781F(D4-YF) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 150% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
PS9122-V-AX Renesas Electronics America Inc PS9122-V-AX 5.8100
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ECAD 2 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Striscia Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori PS9122 DC 1 Collettore aperto 7V 5-SO scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 20 20 mA 1Mbps 60ns, 70ns 1,6 V 25 mA 3750 Vrm 1/0 15 kV/μs 700ns, 500ns
H11A817BW Fairchild Semiconductor H11A817BW 0,0600
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ECAD 16 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
OPIA6010ATUA TT Electronics/Optek Technology OPIA6010ATUA -
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ECAD 4884 0.00000000 Tecnologia TT Electronics/Optek - Tubo Obsoleto -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 65 50mA 5μs, 4μs 60 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 60% a 1 mA 600% a 1 mA - 300mV
PS9001-Y-AX Renesas Electronics America Inc PS9001-Y-AX 5.1400
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ECAD 800 0.00000000 Renesas Electronics America Inc - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 125°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori PS9001 DC 1 Collettore aperto 4,5 V ~ 5,5 V 5-LSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 20 20 mA 10Mbps - 1,56 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 50 kV/μs 100ns, 100ns
EL208 Everlight Electronics Co Ltd EL208 -
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ECAD 7163 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Transistor con base 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 - 1,6 µs, 2,2 µs 80 V 1,3 V 60 mA 3750 Vrm 160% a 10 mA 320% a 10 mA 3μs, 3μs 400mV
HCPL-181-00AE Broadcom Limited HCPL-181-00AE 0,6400
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ECAD 1272 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HCPL-181 DC 1 Transistor 4-Mini-Appartamenti scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 200mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock