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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tempo di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora | Grado | Qualificazione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | EL1113-G | - |  | 7819 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori | EL1113 | DC | 1 | Transistor con base | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
| TLP719F(F) | - | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) | TLP719 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SDIP | - | 264-TLP719F(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | - | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 20% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||
 | TLP388(GB,E | 0,7900 | | 8875 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP388 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | PS2861B-1Y-V-F3-LA | - | | 4363 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50mA | 4μs, 5μs | 70 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||||
| 8224201001 | - | | 7874 | 0.00000000 | Weidmüller | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | - | 32 | - | - | - | Non applicabile | RS F40 16 OS OUT 5..48 VCC | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | - | 48 V | - | 100 mA | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
 | FODM217BR2V | 0,9400 | | 939 | 0.00000000 | onsemi | FODM217 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | FODM217 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||
| EL3H7(C)-G | 0,2861 | | 2771 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903H70002 | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | CNY17F4S | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.480 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||
 | 140817143300 | 0,2900 | | 495 | 0.00000000 | Würth Elettronica | WL-OCPT | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-DIP-SL | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 3μs, 4μs | 35 V | 1,24 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
| TLP750(D4-TP1,F) | - | | 8800 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP750 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP750(D4-TP1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3H7(F)(EA)-VG | - | | 7894 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | VO4258H-X007T | 4.0500 | | 7 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4258 | BSI, cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300mA | - | NO | 5 kV/μs | 2mA | - | ||||||||||||||||||
 | TLP2312(V4-TPL,E | 1.7100 | | 16 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2312 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,2 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP2312(V4-TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | 5Mbps | 2,2 n., 1,6 n | 1,53 V | 8 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||||
 | ACPL-M72T-560E | 2.0450 | | 9891 | 0.00000000 | Broadcom limitata | R²Coupler™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | ACPL-M72 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 10ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 4000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 100ns, 100ns | Automobilistico | AEC-Q100 | ||||||||||||||||
 | HCPL2631WV | - | | 2531 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | HCPL2631 | DC | 2 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-MDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1,4 V | 30mA | 2500 Vrm | 2/0 | 5 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||||
| TLP161J(V4DMT7TRCF | - | | 8447 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP161 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP161J(V4DMT7TRCFTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | EL3031S1(TA) | - | | 4357 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | EL3031 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903310006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 250 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||
| CNY117F-3 | 0,2826 | | 5567 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY117 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||||
| TLP2630(LF1,F) | - | | 7720 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2630 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2630(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | BRT12-F | - | | 2188 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | BRT12 | CQC, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,1 V | 20 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | 500 µA | NO | 10 kV/μs | 1,2 mA | - | ||||||||||||||||||
| H11AV1SR2VM | 0,4100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 723 | - | - | 70 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | 300% a 10 mA | 15μs, 15μs (massimo) | 400mV | |||||||||||||||||||||
 | 4N55#200 | 97.8152 | | 5677 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N55 | DC | 2 | Transistor con base | 16-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 18 V | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 9% a 16 mA | - | 400ns, 1μs | - | |||||||||||||||||
| MOC3061SR2VM | - | | 1373 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 15 mA | - | |||||||||||||||||||||
 | CNY17F1300W | - | | 6556 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNY17F1300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 2μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||
| TLP781F(D4-GRL,F,L | - | | 7417 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-GRLFW | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||
| TLP531(HIT-BL-T1,F | - | | 3100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP531 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP531(HIT-BL-T1F | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | 140817140410 | 0,2900 | | 100 | 0.00000000 | Würth Elettronica | WL-OCPT | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 4μs | 35 V | 1,24 V | 60 mA | 5000 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
| ACPL-5601L-200 | 95.6184 | | 4430 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | ACPL-5601 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 3,6 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 20ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||||
| OR-357C-TP-G-(CG) | 0,7300 | | 2282 | 0.00000000 | Shenzhen Oriente Components Co., Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3.000 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | CNY17-2-W00E | 0,2103 | | 1939 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150mA | 5μs, 5μs | 70 V | 1,4 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | - | 300mV |
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