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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PS2805-1-A | - |  | 4088 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Striscia | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-VSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | PS28051A | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||
 | H11B3300 | - | | 6886 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11B | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11B3300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 25 V | 1,35 V | 100 mA | 5300 Vrm | 100% a 1 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | ||||||||||
 | FODM453R1V | - | | 4317 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | FODM45 | DC | 1 | Transistor | 5-Mini-Appartamento | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,6 V | 25 mA | 3750 Vrm | 20% a 16 mA | 50% a 16 mA | 400ns, 350ns | - | |||||||||||
 | FOD073LR1 | - | | 1580 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FOD073 | DC | 2 | Darlington | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 500 | 60mA | - | 7V | 1,35 V | 20 mA | 2500 Vrm | 400% a 500μA | 7000% a 500μA | 5 µs, 25 µs | - | |||||||||||
 | TLP732(GR-LF2,F) | - | | 5089 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP732 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP732(GR-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||
 | IL4116 | - | | 8777 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL4116 | BSI, CSA, cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300 mA | 200μA | SÌ | 10 kV/μs | 1,3 mA | 35 µs | |||||||||||
 | MOC3043FVM | - | | 2988 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC304 | - | 1 | Triac | 6-SMD | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3043FVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 60 mA | 7500Vpk | 400 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | - | 5mA | - | |||||||||||
| IL4218-X001 | - | | 3204 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL4218 | BSI, CSA, cUR, FIMKO, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,3 V | 60 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300 mA | 200μA | NO | 10 kV/μs | 700μA (suggerimento) | - | |||||||||||
 | HCPL-181-06AE | 0,7200 | | 32 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-181 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||
 | 4N27 | 0,6900 | | 984 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N27 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,3 V | 60 mA | 5000 Vrm | 10% a 10 mA | - | - | 500mV | |||||||||||
 | PC3H4 | - | | 2059 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 20% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 200mV | ||||||||||||
 | VOT8024AM-T | 1.2500 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VOT8024 | cUL, UL | 1 | Triac | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 5mA | - | |||||||||||
 | PS2561BL1-1-DA | - | | 4383 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 40 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||
 | 4N28300W | - | | 7943 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 4N28 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N28300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 100 mA | 5300 Vrm | 10% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 500mV | ||||||||||
 | HCPL-4701-360E | 1.8922 | | 1509 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-4701 | DC | 1 | Darlington con base | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 60mA | - | 18 V | 1,25 V | 10 mA | 3750 Vrm | 600% a 500μA | 8000% a 500μA | 3μs, 34μs | - | ||||||||||
 | SFH6156-4T | 0,5500 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH6156 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||
 | ACPL-K370-500E | 5.1600 | | 4551 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,268", larghezza 6,81 mm) | ACPL-K370 | CA, CC | 1 | Darlington | 8-SO allungato | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 30mA | 25 µs, 0,3 µs | 20 V | - | 5000 Vrm | - | - | 3,7 µs, 8,5 µs | - | |||||||||||
 | H11A617CW | - | | 4464 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | |||||||||||
 | EL817(S1)(B)(TD) | 0,1601 | | 9115 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||
 | TLP183(Y,E | 0,5100 | | 20 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(SI | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||
 | CNY17F-1S1(TA) | - | | 9375 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171740 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | ||||||||||
| EL3H7(D)(TA)-G | 0,2378 | | 3896 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903H70007 | EAR99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||
 | LTV-845S-TA1 | - | | 4970 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-8x5 | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | LTV-845 | DC | 4 | Darlington | 16-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | LTV845TA1 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | |||||||||||
| H11AV2SVM | - | | 5631 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AV2SVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 70 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 50% a 10 mA | - | 15μs, 15μs | 400mV | ||||||||||
| MOC8106300W | - | | 6618 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8106300W-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 50% a 10 mA | 150% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | ||||||||||
 | FODM3011R1 | - | | 1159 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 250 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 10mA | - | |||||||||||
| EL816(M) | - | | 4157 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||
 | ISP817X | 0,5700 | | 5 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | ISP817 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||
| CNY117-2 | 0,2221 | | 9864 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | CNY117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||
 | VO1263AACTR | 5.2200 | | 1670 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | VO1263 | DC | 2 | Fotovoltaico | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 3μA | - | 16,5 V | 1,3 V | 50 mA | 5300 Vrm | - | - | 16μs, 472μs | - |
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