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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TMS6789-20DJ | 6.0600 |  | 7 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | MT28EW512ABA1LPC-1SIT | - | | 1983 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | MT28EW512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-LBGA (11x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.104 | Non volatile | 512Mbit | 95 ns | FLASH | 64Mx8, 32Mx16 | Parallelo | 60ns | |||||
 | 24LC64T-E/SN16KVAO | - | | 3676 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 24LC64 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 400 chilocicli | Non volatile | 64Kbit | 900 n | EEPROM | 8K×8 | I²C | 5 ms | ||||
 | CY7C1024DV33-10BGXI | 16.7000 | | 3 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | CY7C1024 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 18 | Volatile | 3Mbit | 10 ns | SRAM | 128K x 24 | Parallelo | 10ns | Non verificato | |||||
 | UPD431000AGZ-70X-KJH-A | 7.6800 | | 35 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | 7008S12J8 | - | | 6697 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-LCC (conduttore J) | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | - | 800-7008S12J8TR | 1 | Volatile | 512Kbit | 12 ns | SRAM | 64K×8 | Parallelo | 12ns | |||||||||
 | SM671PBE-BFST | 67.8965 | | 6325 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-UFS™ | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 153-TBGA | FLASH-NAND (TLC) | - | 153-BGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1984-SM671PBE-BFST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.520 | Non volatile | - | FLASH | UFS2.1 | - | |||||||
| SM662GXC-BEST | 30.0800 | | 1291 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-eMMC® | Massa | Attivo | - | Montaggio superficiale | 100 LBGA | FLASH-NAND (TLC) | - | 100 BGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1984-SM662GXC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | - | FLASH | eMMC | - | |||||||
 | UCS-EZ7-16GB-MEM-C | 123.7500 | | 2321 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-UCS-EZ7-16GB-MEM-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | MT58L128V36P1F-5 | 7.7500 | | 103 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | SYNCBURST™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | Standard SRAM | 3,135 V ~ 3,6 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 200 MHz | Volatile | 4Mbit | 2,8 n | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||
| CY15V116QI-20BKXCT | 40.8576 | | 2342 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Excelon™-LP,F-RAM™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | FRAM (RAM ferroelettrica) | 1,71 V ~ 1,89 V | 24-FBGA (6x8) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2.000 | 20 MHz | Non volatile | 16Mbit | 20 ns | FRAM | 2Mx8 | SPI | - | ||||||
| S25HS01GTFAMHI013 | 16.2575 | | 6437 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Sempre™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 1,7 V~2 V | 16-SOIC | scaricamento | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.450 | 166 MHz | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
 | CY7C1420LV18-250BZXC | - | | 8280 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1420 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 250 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | ||||
 | MTFC128GAJAECE-5M AIT TR | - | | 1158 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 169-LFBGA | MTFC128 | FLASH-NAND | - | 169-LFBGA (14x18) | - | 1 (illimitato) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 1Tbit | FLASH | 128G x 8 | MMC | - | |||||||
| 647904-B21-C | 111.2500 | | 4732 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-647904-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C12451KV18-400BZC | - | | 2696 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C12451 | SRAM-Sincrono, QDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 400 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
| MT62F3G32D8DV-023IT:B | 74.6400 | | 2741 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | -40°C ~ 95°C | - | - | SDRAM-LPDDR mobile5 | - | - | - | 557-MT62F3G32D8DV-023IT:B | 1 | 4.266GHz | Volatile | 96Gbit | DRAM | 3G×32 | Parallelo | - | |||||||||
 | W631GU6NB-11 TR | 2.9730 | | 1001 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-VFBGA | W631GU6 | SDRAM-DDR3L | 1.283 V ~ 1,45 V, 1.425 V ~ 1.575 V | 96-VFBGA (7,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W631GU6NB-11TR | EAR99 | 8542.32.0032 | 3.000 | 933 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 64Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| SST25PF040C-40E/SN | 1.3650 | | 3887 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automobilistico, AEC-Q100, SST25 | Tubo | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | SST25PF040 | FLASH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 100 | 40 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI | 5 ms | ||||
 | CY62148DV30L-70SXI | 2.4900 | | 437 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | MoBL® | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,445", larghezza 11,30 mm) | CY62148 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 3,6 V | 32-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 70 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 70ns | ||||
| S99-50569 | - | | 2622 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 480 | |||||||||||||||||||
 | BR24G16FJ-3NE2 | 0,3300 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | BR24G16 | EEPROM | 1,6 V ~ 5,5 V | 8-SOP-J | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 chilocicli | Non volatile | 16Kbit | EEPROM | 2K×8 | I²C | 5 ms | ||||
| 7052S20PFGI | - | | 3366 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 120-LQFP | SRAM - Quad Port, asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 120-TQFP (14x14) | - | 800-7052S20PFGI | 1 | Volatile | 16Kbit | 20 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||||
| S26HL512TFPBHB000 | 16.2925 | | 3370 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Sempre™ | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 676 | 166 MHz | Non volatile | 512Mbit | 6,5 n | FLASH | 64Mx8 | IperBus | 1,7 ms | ||||||
 | M24C64X-FCU6T/TF | - | | 6353 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 4-XFBGA, WLCSP | M24C64 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 4-WLCSP (0,71x0,73) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 497-M24C64X-FCU6T/TFTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 1 megahertz | Non volatile | 64Kbit | 650 n | EEPROM | 8K×8 | I²C | 5 ms | ||
 | S25HL01GTDPMHI010 | 15.7200 | | 700 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HL-T | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25HL01 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Non volatile | 1Gbit | FLASH | 128Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | TMS55166-70ADGH | 7.0000 | | 8 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| S26HS02GTFPBHM043 | 51.5375 | | 7538 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Sempre™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | FLASH-NORE (SLC) | 1,7 V~2 V | 24-FBGA (8x8) | scaricamento | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 166 MHz | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | IperBus | - | |||||||
| M29W320DB7AN6E | - | | 1730 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx8, 2Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
| W25Q80BVSSBG | - | | 8398 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | W25Q80 | FLASH-NOR | 2,5 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25Q80BVSSBG | OBSOLETO | 1 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | 6 ns | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 3 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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