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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | W25N512GWBIR | - |  | 1493 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | W25N512 | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 24-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25N512GWBIR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 480 | 104 MHz | Non volatile | 512Mbit | 7nn | FLASH | 64Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 700 µs | ||
 | SST39LF040-45-4C-B3KE-T | - | | 3831 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | SST39 MPF™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFBGA | SST39LF040 | FLASH | 3 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | Non volatile | 4Mbit | 45 ns | FLASH | 512K×8 | Parallelo | 20 µs | ||||
 | DS2045AB-70# | - | | 8711 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 256-BGA | DS2045 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 4,75 V ~ 5,25 V | 256-BGA (27x27) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 5 (48 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Non volatile | 1Mbit | 70 ns | NVSRAM | 128K×8 | Parallelo | 70ns | ||||
 | 70V06L12PFI8 | - | | 8655 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | - | 800-70V06L12PFI8TR | 1 | Volatile | 128Kbit | 12 ns | SRAM | 16K×8 | Parallelo | 12ns | |||||||||
 | TMS4044-45NL | 2.6400 | | 4 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| MT53E768M32D2FW-046 AUT:C | 43.6350 | | 6976 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT53E768M32D2FW-046AUT:C | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CY62157ESL-45ZSXI | 13.5900 | | 3874 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY62157 | SRAM-Asincrono | 2,2 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 135 | Volatile | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 512K x 16 | Parallelo | 45ns | ||||
| S34MS01G204TFI013 | - | | 1303 | 0.00000000 | Memoria SkyHigh limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | S34MS01 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | 2120-S34MS01G204TFI013 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non verificato | ||||||||||||||||
 | IDT71124S20YI | - | | 4457 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IDT71124 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-SOJ | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71124S20YI | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 23 | Volatile | 1Mbit | 20 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 20ns | |||
| MT41K2G4RKB-107 C:N | - | | 9969 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | TwinDie™ | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT41K2G4 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 557-MT41K2G4RKB-107C:N | OBSOLETO | 1.440 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 2G×4 | Parallelo | 15ns | ||||
 | CY7C1041CV33-20ZXI | 3.5400 | | 554 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY7C1041 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 4Mbit | 20 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 20ns | ||||
 | AT24C04C-MAPD-T | - | | 3363 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | AT24C04 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-UDFN (2x3) | scaricamento | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 400 chilocicli | Non volatile | 4Kbit | 900 n | EEPROM | 512×8 | I²C | 5 ms | ||||
 | AT24CSW020-STUM-T | 0,2000 | | 2 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5 | AT24CSW020 | EEPROM | 1,7 V ~ 3,6 V | TSOT-23-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 1 megahertz | Non volatile | 2Kbit | 450 n | EEPROM | 256×8 | I²C | 5 ms | |||
 | CY15B104QI-20LPXC | 23.0000 | | 748 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Excelon™-LP,F-RAM™ | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UQFN | CY15B104 | FRAM (RAM ferroelettrica) | 1,8 V ~ 3,6 V | 8-GQFN (3,23x3,28) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 20 MHz | Non volatile | 4Mbit | FRAM | 512K×8 | SPI | - | ||||
| A5596704-C | 19.7500 | | 8450 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A5596704-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C2670KV18-450BZI | 455.6475 | | 8065 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C2670 | SRAM: sincronizzato, DDR II+ | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 450 MHz | Volatile | 144Mbit | SRAM | 4Mx36 | Parallelo | - | ||||
| 5962-8976408MXA | 308.2485 | | 4594 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 48 DIP (0,600", 15,24 mm) | 5962-8976408 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | SALDATURA A 48 LATI | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-8976408MXA | 8 | Volatile | 32Kbit | 35 ns | SRAM | 4K×8 | Parallelo | 35ns | |||||
 | SST49LF008A-33-4C-EIE | - | | 7195 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | SST49 | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 40-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | SST49LF008 | FLASH | 3 V ~ 3,6 V | 40-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 120 | 33 MHz | Non volatile | 8Mbit | 120 n | FLASH | 1M x 8 | Parallelo | 20 µs | |||
 | M28W320FCT70ZB6E | - | | 1031 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 47-TFBGA | M28W320 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 47-TFBGA (6,39x6,37) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.380 | Non volatile | 32Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx16 | Parallelo | 70ns | ||||
| MT53D2048M32D8QD-046 PESO ES:D TR | - | | 6127 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53D2048 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 2.133GHz | Volatile | 64Gbit | DRAM | 2G x 32 | - | - | |||||
 | IS21TF08G-JQLI-TR | - | | 5695 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | IS21TF08G | FLASH NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 100-LFBGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS21TF08G-JQLI-TR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 200 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | |||
| S25FL256LAGMFA000 | - | | 5776 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Massa | Attivo | - | 2156-S25FL256LAGMFA000 | 1 | ||||||||||||||||||||||
 | CY14B101L-SZ45XI | - | | 1226 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | CY14B101 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 32-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 2 | Non volatile | 1Mbit | 45 ns | NVSRAM | 128K×8 | Parallelo | 45ns | Non verificato | |||||
| S25FL256SAGNFE000 | 74.0600 | | 3920 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | FL-S | Vassoio | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x8) | scaricamento | 3A001A2C | 8542.32.0071 | 676 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | 6,5 n | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 750 µs | |||||||
| 7111372-C | 111.2500 | | 1779 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-7111372-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | M5M5256DFP-70XL#SM | - | | 1997 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.31.0001 | 1.000 | ||||||||||||||||||
 | CAT24C32WE-G | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | CAT24C32 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 1 megahertz | Non volatile | 32Kbit | 400 n | EEPROM | 4K×8 | I²C | 5 ms | |||
| CY7C1011CV33-15AI | 3.8100 | | 696 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-LQFP | CY7C1011 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TQFP (10x10) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 2Mbit | 15 ns | SRAM | 128K x 16 | Parallelo | 15ns | ||||
| MT62F1G128DAWA-031XT:BTR | 136.0800 | | 3832 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT62F1G128DAWA-031XT:BTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
| CY7C277-40WC | 43.4400 | | 89 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | CY7C277 | EPROM-UV | 4,5 V ~ 5,5 V | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A001A2C | 8542.32.0061 | 1 | Non volatile | 256Kbit | 40 ns | EPROM | 32K×8 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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