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Memoria (70500)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina	SIC programmabile
STK17TA8-RF45	19.5000	Richiesta di offerta	3	Cypress Semiconductor Corp	-	Tubo	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	48-BSSOP (0,295", larghezza 7,50 mm)	STK17TA8	NVSRAM (SRAM non volatile)	2,7 V ~ 3,6 V	48-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3				EAR99	8542.32.0041	16		Non volatile	1Mbit	45 ns	NVSRAM	128K×8	Parallelo	45ns	Non verificato
MB85RC64APNF-G-JNERE1	2.2200	Richiesta di offerta	36	Kaga FEI America, Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MB85RC64	FRAM (RAM ferroelettrica)	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0071	1.500	1 megahertz	Non volatile	64Kbit	550 n	FRAM	8K×8	I²C	-
CY7C1315BV18-200BZI	-	Richiesta di offerta	4554	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1315	SRAM-Sincrono, QDR II	1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (13x15)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	136	200 MHz	Volatile	18Mbit		SRAM	512K x 36	Parallelo	-
CAT24C05YI-GT3	-	Richiesta di offerta	4213	Catalyst Semiconductor Inc.	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm)	CAT24C05	EEPROM	1,8 V ~ 5,5 V	8-TSSOP	-	Conformità ROHS3				EAR99	8542.32.0051	3.000	400 chilocicli	Non volatile	4Kbit	900 n	EEPROM	512×8	I²C	5 ms
S25FL132K0XMFI043	2.4400	Richiesta di offerta	9622	Cypress Semiconductor Corp	FL1-K	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	S25FL132	FLASH-NOR	2,7 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3				3A991B1A	8542.32.0071	103	108 MHz	Non volatile	32Mbit		FLASH	4M x 8	SPI - I/O quadruplo	3 ms
S26KS128SDABHI030	5.8200	Richiesta di offerta	1	Cypress Semiconductor Corp	HyperFlash™KS	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-VBGA	S26KS128	FLASH-NOR	1,7 V ~ 1,95 V	24-FBGA (6x8)	scaricamento							1	100 MHz	Non volatile	128Mbit	96 ns	FLASH	16Mx8	Parallelo	-	Non verificato
AT24CSW020-UUM0B-T	0,3300	Richiesta di offerta	89	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	4-XFBGA, WLCSP	AT24CSW020	EEPROM	1,7 V ~ 3,6 V	4-WLCSP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0051	5.000	1 megahertz	Non volatile	2Kbit	450 n	EEPROM	256×8	I²C	5 ms
S25FL064P0XMFA003	-	Richiesta di offerta	6479	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Attivo								-				2156-S25FL064P0XMFA003			1
S25FL132K0XMFA013	-	Richiesta di offerta	7337	Nexperia USA Inc.	-	Massa	Attivo								-				2156-S25FL132K0XMFA013			1
AS4C64M8D3-12BIN	4.8188	Richiesta di offerta	8635	Alleanza Memoria, Inc.	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 95°C (TA)	Montaggio superficiale	78-VFBGA	AS4C64	SDRAM-DDR3	1.425 V ~ 1.575 V	78-FBGA (8x10,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	1450-1430	EAR99	8542.32.0028	242	800 MHz	Volatile	512Mbit	20 ns	DRAM	64Mx8	Parallelo
W25M02GVTBIG TR	-	Richiesta di offerta	1751	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	24-TBGA	W25M02	FLASH-NAND (SLC)	2,7 V ~ 3,6 V	24-TFBGA (8x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	2.000	104 MHz	Non volatile	2Gbit		FLASH	256Mx8	SPI	700 µs
MT47H128M8CF-25E IT:H TR	-	Richiesta di offerta	1126	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	60-TFBGA	MT47H128M8	SDRAM-DDR2	1,7 V ~ 1,9 V	60-FBGA (8x10)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0032	1.000	400 MHz	Volatile	1Gbit	400 CV	DRAM	128Mx8	Parallelo	15ns
S99FL512SAGMFI011	-	Richiesta di offerta	6473	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto								-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		OBSOLETO		1
C-160D3N/4G-TAA	80.7500	Richiesta di offerta	3778	ProLab	*	Confezione al dettaglio	Attivo								-	Conforme alla direttiva RoHS			4932-C-160D3N/4G-TAA	EAR99	8473.30.5100	1
CY7C1360C-166AXCKG	12.4200	Richiesta di offerta	917	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP		Standard SRAM	3,135 V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x20)	-				2156-CY7C1360C-166AXCKG			25	166 MHz	Volatile	9Mbit	3,5 ns	SRAM	256K x 36	Parallelo	-
7140LA55JI	-	Richiesta di offerta	9461	Renesas Electronics America Inc	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	52-LCC (cavo J)	7140LA	SRAM: doppia porta, asincrona	4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)			EAR99	8542.32.0041	24		Volatile	8Kbit	55 ns	SRAM	1K x 8	Parallelo	55ns
IS42S32200L-6BI	-	Richiesta di offerta	2608	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	90-TFBGA	IS42S32200	SDRAM	3 V ~ 3,6 V	90-TFBGA (8x13)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	240	166 MHz	Volatile	64Mbit	5,4 ns	DRAM	2Mx32	Parallelo	-
S99-50572	-	Richiesta di offerta	4903	Dispositivi analogici Inc.	-	Massa	Attivo								-				2156-S99-50572			1
MT44K16M36RB-107E:ATR	-	Richiesta di offerta	4212	Micron Technology Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	168-TBGA	MT44K16M36	DRAM	1,28 V ~ 1,42 V	168-BGA (13,5x13,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.000	933 MHz	Volatile	576Mbit	8 ns	DRAM	16Mx36	Parallelo	-
FM25V02-PG	-	Richiesta di offerta	4765	Tecnologie Infineon	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)		FRAM (RAM ferroelettrica)	2 V ~ 3,6 V	8-PDIP	-					OBSOLETO		1	40 MHz	Non volatile	256Kbit	9nn	FRAM	32K×8	SPI	-
CY7C199L-20ZC	1.2300	Richiesta di offerta	2	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm)	CY7C199	SRAM-Asincrono	4,5 V ~ 5,5 V	28-TSOP I	scaricamento	Non applicabile	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0041	1		Volatile	256Kbit	20 ns	SRAM	32K×8	Parallelo	20ns
M95020-RMN6TP	0,3000	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	M95020	EEPROM	1,8 V ~ 5,5 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0051	2.500	20 MHz	Non volatile	2Kbit		EEPROM	256×8	SPI	5 ms
MT29F512G08CMCBBH7-6C:B	-	Richiesta di offerta	7856	Micron Technology Inc.	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	152-TBGA	MT29F512G08	FLASH NAND (MLC)	2,7 V ~ 3,6 V	152-TBGA (14x18)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)			3A991B1A	8542.32.0071	1	166 MHz	Non volatile	512Gbit		FLASH	64G x 8	Parallelo	-
70261S20PF8	-	Richiesta di offerta	7876	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP	70261S20	SRAM: doppia porta, asincrona	4,5 V ~ 5,5 V	100-TQFP (14x14)	scaricamento	RoHS non conforme	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0041	750		Volatile	256Kbit	20 ns	SRAM	16K×16	Parallelo	20ns
Z9H57AT-C	150.0000	Richiesta di offerta	4956	ProLab	*	Confezione al dettaglio	Attivo								-	Conforme alla direttiva RoHS			4932-Z9H57AT-C	EAR99	8473.30.5100	1
GS832136AGD-250I	46.9467	Richiesta di offerta	5162	GSI Technology Inc.	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 100°C (TJ)	Montaggio superficiale	165-LBGA	GS832136	SRAM: sincronizzato, standard	2,3 V ~ 2,7 V, 3 V ~ 3,6 V	165-FPBGA (15x13)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	2364-GS832136AGD-250I	3A991B2B	8542.32.0041	18	250 MHz	Volatile	36Mbit		SRAM	1Mx36	Parallelo	-
S26KS128SDGBHN030	7.2520	Richiesta di offerta	3661	Tecnologie Infineon	HyperFlash™KS	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	24-VBGA	S26KS128	FLASH-NOR	1,7 V ~ 1,95 V	24-FBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0051	1.690	133 MHz	Non volatile	128Mbit	96 ns	FLASH	16Mx8	Parallelo	-
W19B320ABB7H	-	Richiesta di offerta	2790	Elettronica Winbond	-	Vassoio	Interrotto alla SIC	-20°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	48-TFBGA	W19B320	FLASH	2,7 V ~ 3,6 V	48-TFBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	210		Non volatile	32Mbit	70 ns	FLASH	4Mx8, 2Mx16	Parallelo	70ns
71V65803S150BQG	26.1188	Richiesta di offerta	8294	Renesas Electronics America Inc	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-TBGA	71V65803	SRAM-Sincrono, SDR (ZBT)	3.135 V ~ 3.465 V	165-CABGA (13x15)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	136	150 MHz	Volatile	9Mbit	3,8 n	SRAM	512K×18	Parallelo	-
CG8204AA	-	Richiesta di offerta	4432	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto								-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1