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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | H11AA4S(TB) | - |  | 3570 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11AA | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171253 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 10μs, 10μs (massimo) | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 10μs (massimo) | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2861B-1Y-V-F3-A | - | | 3779 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 50mA | 4μs, 5μs | 70 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | VO3063-X001 | - | | 5926 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO306 | cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 100 mA | 200μA (suggerimento) | SÌ | 1,5 kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
 | HCPL-5631#100 | 104.1626 | | 5721 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale, giunto di testa | Giunto di testa 8-SMD | HCPL-5631 | DC | 2 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 25 mA | 10 MBd | 35ns, 35ns | 1,5 V | 20 mA | 1500 V CC | 2/0 | 1kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | TLP785F(Y-TP7,F | - | | 6359 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(Y-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| EL3H7(E)(TB)-G | 0,1752 | | 9189 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C110001250 | EAR99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | PS9851-1-F3-AX | 4.4400 | | 4 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | PS9851 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 2 mA | 15Mbps | 4ns, 4ns | 1,6 V | 20 mA | 2500 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | LIA130STR | - | | 5319 | 0.00000000 | Divisione Circuiti Integrati IXYS | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 70 V | 1,4 V (massimo) | 20 mA | 3750 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 500mV | ||||||||||||||||
 | TLP183(GR,E | 0,5100 | | 2219 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(GRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | IL4108-X001 | - | | 7559 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | IL4108 | CSA, UR, VDE | 1 | Triac | SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300 mA | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 2mA | 35 µs | ||||||||||||||||
 | HCPL-2531#020 | - | | 4243 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 5000 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 600ns | - | ||||||||||||||||
 | PS9587L1-AX | - | | 3850 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Massa | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 10ns | 1,65 V | 30mA | 5000 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | MOC8106SR2M | 0,8400 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC8106 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3,5μs (massimo) | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 4170Vrm | 50% a 10 mA | 150% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2702-1-LA | - | | 2545 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2702 | DC | 1 | Darlington | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 200mA | 200 µs, 200 µs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 700% a 1 mA | 3400% a 1 mA | - | 1 V | |||||||||||||||
| 4N27S(TA)-V | - | | 8915 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907172708 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 10% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 500mV | ||||||||||||||||
 | FODM2701A | - | | 9709 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM27 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 40 V | 1,4 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| H11A3FR2M | - | | 9337 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,18 V | 60 mA | 7500Vpk | 20% a 10 mA | - | 2μs, 2μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | TCMT4100 | 2.1800 | | 9 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TCMT4100 | DC | 4 | Transistor | 16-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
| LTV-725V | - | | 3381 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-725V | Tubo | Attivo | -25°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | LTV-725 | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 150mA | 100 µs, 20 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | 15000% a 1 mA | - | 1,2 V | ||||||||||||||||
 | FODM121AR2 | 0,7000 | | 50 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
 | FOD4118SD | 4.4100 | | 974 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | FOD4118 | CSA, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,25 V | 30 mA | 5000 Vrm | 800 V | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 1,3 mA | 60 µs | ||||||||||||||||
| 5962-0822703KUA | 656.4033 | | 1562 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, giunto di testa | 5962-0822703 | DC | 4 | Darlington | Giunto di testa 16-SMD | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
 | PS2501L-1-F3-LA | - | | 7030 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro tagliato (CT) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | PS2565-1 | - | | 8870 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP785(GR-TP6,F | 0,1515 | | 7283 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | TLP785 | DC | 1 | Transistor | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(GR-TP6FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
| TLP785F(D4GHF7,F | - | | 7137 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4GHF7F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| ACPL-570KL-200 | 644.4000 | | 2991 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8-CDIP (0,300", 7,62 mm) | ACPL-570 | DC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 40mA | - | 20 V | 1,4 V | 10 mA | 1500 V CC | 200% a 5 mA | - | 2μs, 6μs | - | |||||||||||||||
 | PS2501AL-1-PA | - | | 4047 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
| H11AA1SR2VM | 1.0600 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11AA | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 4170Vrm | 20% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||
| IL300-X016 | 4.9600 | | 5472 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | IL300 | DC | 1 | Fotovoltaico, Linearizzato | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 70μA (suggerimento) | 1μs, 1μs | 500mV | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | - | - | - | - |
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