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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP290-4(GB,E) | 1.6300 |  | 280 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | 5962-8876801PC | 156.6346 | | 7315 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-8876801 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,5 V~20 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 5 MBd | 45ns, 10ns | 1,3 V | 8mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
 | FOD2741AV | - | | 5467 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | - | 30 V | 1,5 V (massimo) | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||||
 | HCNW139-500E | 2.4800 | | 7 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCNW139 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 750 | 60mA | - | 18 V | 1,45 V | 20 mA | 5000 Vrm | 200% a 12 mA | - | 11μs, 11μs | - | |||||||||||||||
 | RV1S9960ACCSP-10YV#KC0 | 4.2600 | | 9859 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,543", larghezza 13,80 mm) | RV1S9960 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-LSDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 15Mbps | 5ns, 5ns | 1,55 V | 20 mA | 7500 Vrm | 1/0 | 50 kV/μs | 60ns, 60ns | |||||||||||||||
 | PS9123-F3-AX | - | | 9063 | 0.00000000 | CEL | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 13 mA | 15Mbps | - | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 60ns, 60ns | ||||||||||||||||
 | SFH620AA | 0,9400 | | 2141 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH620 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | - | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 2μs, 25μs | 400mV | |||||||||||||||
 | MOC8050VM | 1.1200 | | 7912 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC8050 | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 80 V | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 500% a 10 mA | - | 8,5 µs, 95 µs | - | |||||||||||||||
 | IL410-X006 | - | | 4020 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL410 | CSA, UR | 1 | Triac | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,16 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300mA | 500μA | SÌ | 10 kV/μs | 2mA | 35 µs | |||||||||||||||||
| SFH615A-2X016-D | - | | 7552 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | SFH615A | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - | REACH Inalterato | 751-SFH615A-2X016-D | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 14μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 4,2 µs, 23 µs | 400mV | |||||||||||||||||
| SFH615A-4 | 0,8000 | | 884 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | TLP388(D4-TPL,E | 0,7900 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP388 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | EL3H7(I)(EA)-VG | - | | 7643 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | VO618A-4X017T | 0,4400 | | 11 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VO618 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 80 V | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 160% a 1 mA | 320% a 1 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | H11B1S1(TA) | - | | 5865 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11B1 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150102 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 500% a 1 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | |||||||||||||||
 | H11AA4X | 0,9000 | | 6696 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11AA4 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||
 | ILQ620 | 3.7500 | | 220 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ILQ620 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 20μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| VO615A-1 | 0,1105 | | 2390 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,43 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-0500#560 | - | | 6627 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 5% a 16 mA | - | 200ns, 1,3μs | - | ||||||||||||||||
 | TLP2310(TPL,E | 1.5500 | | 8032 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2310 | DC | 1 | Push-pull, totem | 2,7 V ~ 5,5 V | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 10 mA | 5Mbps | 11ns, 13ns | 1,53 V | 8mA | 3750 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 250ns, 250ns | ||||||||||||||||
 | ACSL-6300-00TE | 7.5200 | | 79 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ACSL-6300 | DC | 3 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 15 MBd | 30ns, 12ns | 1,52 V | 15 mA | 2500 Vrm | 3/0 | 10 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||||||||
 | ISQ74 | 0,6787 | | 3349 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | ISQ74 | Tubo | Attivo | -25°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 58-ISQ74 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 2,6 µs, 2,2 µs | 50 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 12,5% a 16 mA | - | - | - | |||||||||||||||
| TLP626(MAT-LF2,F) | - | | 9349 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 264-TLP626(MAT-LF2F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | |||||||||||||||||
 | ACPL-847-300E | 1.8700 | | 5914 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | ACPL-847 | DC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||
 | PS2833-4-A | 8.5000 | | 1475 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Design non per nuovi | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2833 | DC | 4 | Darlington | 16-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 10 | 60mA | 20 µs, 5 µs | 350 V | 1,2 V | 50 mA | 2500 Vrm | 400% a 1 mA | 4500% a 1 mA | - | 1 V | |||||||||||||||
 | HCPL3700M | 5.9800 | | 519 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL3700 | CA, CC | 1 | Darlington | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | 2832-HCPL3700M | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mA | 45 µs, 0,5 µs | 20 V | - | 5000 Vrm | - | - | 6μs, 25μs | - | |||||||||||||||
 | HCPL0701R1V | - | | 6766 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL07 | DC | 1 | Darlington con base | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,25 V | 20 mA | 2500 Vrm | 500% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 300 ns, 1,6 µs | - | ||||||||||||||||
| ILD621GB-X007T | 1.9600 | | 7711 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ILD621 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | MOC3042TVM | 0,6600 | | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC304 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 496 | 1,25 V | 60 mA | 4170Vrm | 400 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||||||
 | PS2815-4-LA | - | | 7486 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,15 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 300mV |
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