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Optoisolatori(15749)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Orario di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
MOC8106SR2M onsemi MOC8106SR2M 0,8400
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC8106 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,15 V 60 mA 4170Vrm 50% a 10 mA 150% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
PS2702-1-L-A Renesas Electronics America Inc PS2702-1-LA -
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 ECAD 2545 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Striscia Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2702 DC 1 Darlington 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 20 200mA 200 µs, 200 µs 40 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 700% a 1 mA 3400% a 1 mA - 1 V
4N27S(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd 4N27S(TA)-V -
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 ECAD 8915 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907172708 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 10% a 10 mA - 3μs, 3μs 500mV
FODM2701A onsemi FODM2701A -
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 ECAD 9709 0.00000000 onsemi - Scatola Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM27 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 80 mA 3μs, 3μs 40 V 1,4 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
H11A3FR2M onsemi H11A3FR2M -
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 ECAD 9337 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,18 V 60 mA 7500Vpk 20% a 10 mA - 2μs, 2μs 400mV
TCMT4100 Vishay Semiconductor Opto Division TCMT4100 2.1800
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 ECAD 9 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) TCMT4100 DC 4 Transistor 16-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 4,7μs 70 V 1,25 V 60 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 6μs, 5μs 300mV
LTV-725V Lite-On Inc. LTV-725V -
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 ECAD 3381 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-725V Tubo Attivo -25°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) LTV-725 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 65 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 1000% a 1 mA 15000% a 1 mA - 1,2 V
FODM121AR2 onsemi FODM121AR2 0,7000
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 ECAD 50 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 400mV
FOD4118SD onsemi FOD4118SD 4.4100
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 ECAD 974 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano FOD4118 CSA, UL 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 1,25 V 30 mA 5000 Vrm 800 V 500μA SÌ 10 kV/μs 1,3 mA 60 µs
5962-0822703KUA Broadcom Limited 5962-0822703KUA 656.4033
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 ECAD 1562 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale 16-SMD, giunto di testa 5962-0822703 DC 4 Darlington Giunto di testa 16-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 40mA - 20 V 1,4 V 10 mA 1500 V CC 200% a 5 mA - 2μs, 6μs -
PS2501L-1-F3-L-A CEL PS2501L-1-F3-LA -
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 ECAD 7030 0.00000000 CEL NEPOC Nastro tagliato (CT) Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2501 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
PS2565-1 CEL PS2565-1 -
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 ECAD 8870 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) CA, CC 1 Transistor 4-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
TLP785(GR-TP6,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785(GR-TP6,F 0,1515
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 ECAD 7283 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C TLP785 DC 1 Transistor scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785(GR-TP6FTR EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
TLP785F(D4GHF7,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(D4GHF7,F -
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 ECAD 7137 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,400", 10,16 mm) TLP785 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP785F(D4GHF7F EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,15 V 60 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA 3μs, 3μs 400mV
PS2501AL-1-P-A CEL PS2501AL-1-PA -
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 ECAD 4047 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2501 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato EAR99 8541.49.8000 100 30mA 3μs, 5μs 70 V 1,2 V 30 mA 5000 Vrm 50% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
H11AA1SR2VM onsemi H11AA1SR2VM 1.0600
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 ECAD 1 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11AA CA, CC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA - 30 V 1,17 V 60 mA 4170Vrm 20% a 10 mA - - 400mV
IL300-X016 Vishay Semiconductor Opto Division IL300-X016 4.9600
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 ECAD 5472 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 8 DIP (0,400", 10,16 mm) IL300 DC 1 Fotovoltaico, Linearizzato 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 70μA (suggerimento) 1μs, 1μs 500mV 1,25 V 60 mA 5300 Vrm - - - -
5962-8981002KYC Broadcom Limited 5962-8981002KYC 628.3714
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 ECAD 8581 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Montaggio superficiale Giunto di testa 8-SMD 5962-8981002 DC 1 Darlington Giunto di testa a 8 DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 40mA - 20 V 1,4 V 10 mA 1500 V CC 200% a 5 mA - 2μs, 8μs 110mV
IL250-X001 Vishay Semiconductor Opto Division IL250-X001 -
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 ECAD 8118 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) IL250 CA, CC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.000 - - 30 V 1,2 V 60 mA 5300 Vrm 50% a 10 mA - - 400mV
EL3022S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd EL3022S1(TA)-V -
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 ECAD 9300 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano EL3022 CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE 1 Triac 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3903220014 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,18 V 60 mA 5000 Vrm 400 V 100 mA 250 µA (sugger.) NO 100 V/μs (punta) 10mA -
PS2703-1-V-F3-K-A Renesas Electronics America Inc PS2703-1-V-F3-KA -
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 ECAD 5218 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2703 DC 1 Transistor 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1451-2 EAR99 8541.49.8000 3.500 30mA 10μs, 10μs 120 V 1,1 V 50 mA 3750 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA - 300mV
PS2535-1-A CEL PS2535-1-A -
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 ECAD 2414 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Darlington 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS25351A EAR99 8541.49.8000 100 120 mA 18μs, 5μs 350 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 400% a 1 mA 5500% a 1 mA - 1 V
HMA121CR3 onsemi HMA121CR3 -
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 ECAD 7178 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano HMA121 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
PS2806-4-A Renesas Electronics America Inc PS2806-4-A 7.1200
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 ECAD 106 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Striscia Design non per nuovi -55°C~100°C Montaggio superficiale 16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) PS2806 CA, CC 4 Darlington 16-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1049 EAR99 8541.49.8000 10 100mA 200 µs, 200 µs 40 V 1,1 V 50 mA 2500 Vrm 200% a 1 mA - - 1 V
HCPL-2731#520 Broadcom Limited HCPL-2731#520 -
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 ECAD 3198 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 2 Darlington Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,4 V 12 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 5μs, 10μs 100mV
MOC211R1VM Fairchild Semiconductor MOC211R1VM -
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 ECAD 7439 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) DC 1 Transistor con base 8-SOIC scaricamento EAR99 8541.49.8000 1 150mA 3,2 µs, 4,7 µs 30 V 1,15 V 60 mA 2500 Vrm 20% a 10 mA - 7,5 µs, 5,7 µs 400mV
MOC3012X Isocom Components 2004 LTD MOC3012X 0,8300
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 ECAD 64 0.00000000 Componenti Isocom 2004 LTD - Tubo Attivo -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) MOC301 UR, VDE 1 Triac - scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 65 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 250 V 100μA NO 10 V/μs (punta) 5mA -
PS9351L2-V-E3-AX CEL PS9351L2-V-E3-AX -
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 ECAD 7895 0.00000000 CEL NEPOC Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,268", larghezza 6,80 mm) DC 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V 6-SDIP Ala di gabbiano scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 2 mA 15Mbps 4ns, 4ns 1,56 V 25 mA 5000 Vrm 1/0 15 kV/μs 60ns, 60ns
PS2381-1Y-V-F3-L-AX Renesas Electronics America Inc PS2381-1Y-V-F3-L-AX 0,4419
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 ECAD 3549 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -40°C ~ 115°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano PS2381 DC 1 Transistor 4-LSOP (2,54 mm) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 559-1213-2 EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 4μs, 5μs 80 V 1,1 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 5 mA 300% a 5 mA - 300mV
EL1112-VG Everlight Electronics Co Ltd EL1112-VG -
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 ECAD 6322 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori EL1112 DC 1 Transistor con base 5-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 100 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,5 V (massimo) 60 mA 5000 Vrm 63% a 10 mA 125% a 10 mA 4μs, 3μs 400mV
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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