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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | OPIA406CTUE | - |  | 6798 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Darlington | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 6.000 | 90 mA | 200 µs, 200 µs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 20% a 1 mA | - | - | 1 V | ||||||||
 | FOD260LSD | 2.6400 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | FOD260 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 3 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 22ns, 3ns | 1,4 V | 50mA | 5000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 90ns, 75ns | |||||||
 | EL817(A)-V | 0.2030 | | 8220 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C110000586 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | |||||||
 | HCPL-M456-060E | - | | 1045 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | HCPL-M456 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 30 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 15 mA | - | - | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 550ns, 400ns | |||||||
 | H11F1VM | 5.4100 | | 426 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11F | DC | 1 | MOSFET | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30 V | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | - | - | 45μs, 45μs (massimo) | - | |||||||
 | PS2702-1-VA | 0,9914 | | 8348 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Striscia | Design non per nuovi | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2702 | DC | 1 | Darlington | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 200mA | 200 µs, 200 µs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 1 mA | - | - | 1 V | |||||||
 | TLP9148J(ND-TL,F) | - | | 2452 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLP9148J(ND-TLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||
 | EL817(S)(B)(TU)-V | - | | 7496 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||
 | 4N32S(TA) | - | | 1494 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150052 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V | ||||||||
 | TLP293(TPL,E | 0,5100 | | 9277 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP293 | DC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||
 | 4N32TVM | 1.0500 | | 3184 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 4N32 | DC | 1 | Darlington con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 150mA | - | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 4170Vrm | 500% a 10 mA | - | 5 µs, 100 µs (massimo) | 1 V | |||||||
| IL252-X017 | - | | 9314 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 3-SMD, Ala di gabbiano | IL252 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||
 | EL215 | - | | 5738 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80 V | 1,3 V | 60 mA | 3750 Vrm | 20% a 1 mA | - | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||
 | PS2715-1-A | - | | 2575 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS27151A | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 1 mA | 400% a 1 mA | - | 300mV | |||||||
| EL215(TA)-V | - | | 7645 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | EL215 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80 V | 1,3 V | 60 mA | 3750 Vrm | 20% a 1 mA | - | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||
 | 4N55 | 100.3031 | | 4819 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | 4N55 | DC | 2 | Transistor con base | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A001A2C | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 18 V | 1,55 V | 20 mA | 1500 V CC | 9% a 16 mA | - | 400ns, 1μs | - | |||||||
 | OPIA802DTU | - | | 5896 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 115°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 365-1464 | EAR99 | 8541.49.8000 | 48 | 8 mA | - | 15 V | 1,7 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | - | 300ns, 300ns | - | ||||||||
 | EL817(M)(A)-G | - | | 9622 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL817 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||
| CNY117-1X017T | 0,3100 | | 8753 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||
 | PS2561DL-1Y-VWA | - | | 8459 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 400 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,2 V | 40 mA | 5000 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||
 | PS2581L1-HA | - | | 5881 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | PS2581L1HA | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | |||||||
 | SFH6711-X007T | - | | 9346 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6711 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~15 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 25 mA | 5 MBd | 40ns, 10ns | 1,6 V | 10mA | 5300 Vrm | 1/0 | 2,5 kV/μs | 300ns, 300ns | |||||||
 | TCET1204 | 0,5800 | | 4996 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TCET1204 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||
 | TLP292-4(4LGBTRE | 1.7900 | | 8134 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 500 µA | 600% a 500μA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||
 | EL2630-V | 4.6300 | | 45 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL2630 | DC | 2 | Collettore aperto | 7V | 8-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 45 | 50 mA | 10Mbps | 40ns, 10ns | 1,4 V | 20 mA | 5000 Vrm | 2/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | |||||||||
 | TLP785(TP6,F) | 0,6400 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 4.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||
| PS2561F-1Y-KA | - | | 6176 | 0.00000000 | CEL | - | Massa | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 5μs, 7μs | 80 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||
 | H11AG1SM | 0,7236 | | 6422 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11AG | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 2832-H11AG1SM-488 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 4170Vrm | 100% a 1 mA | - | 5μs, 5μs | 400mV | ||||||
 | SFH615A-3X009T | 0,9900 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | SFH615 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||
| EL211(TA) | - | | 3973 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | EL211 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | C110000099 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 1,6 µs, 2,2 µs | 80 V | 1,3 V | 60 mA | 3750 Vrm | 20% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 400mV |
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