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Optoisolatori(15749)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Agenzia di approvazione Numero di canali Tipo di uscita Tensione - Alimentazione Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Corrente - Uscita/Canale Velocità dati Tempo di salita/discesa (tip.) Tensione - Uscita (max) Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - CC diretta (Se) (Max) Tensione - Isolamento Tensione - Stato spento Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) Corrente - Mantieni (Ih) Ingressi: Lato 1/Lato 2 Immunità transitoria in modalità comune (min) Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) Rapporto di trasferimento corrente (min) Rapporto di trasferimento corrente (max) Orario di accensione/spegnimento (tip.) Saturazione Vce (massima) Circuito Zero Crossing dV/dt statico (Min) Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) Attiva ora
5962-9685201HPC Broadcom Limited 5962-9685201HPC 116.4956
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 ECAD 5501 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Attivo -55°C ~ 125°C Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) 5962-9685201 DC 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V ~ 30 V 8-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1 15 mA - - 1,5 V 25 mA 1500 V CC 1/0 10 kV/μs (tip.) 750ns, 500ns
MOC5007SM onsemi MOC5007SM -
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 ECAD 1814 0.00000000 onsemi GlobalOptoisolator™ Borsa Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC500 DC 1 Collettore aperto - 6-SMD scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 50 mA 1 megahertz - - 1,6 mA 7500Vpk 1/0 - -
ILD55-X007 Vishay Semiconductor Opto Division ILD55-X007 2.7600
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 ECAD 1 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano ILD55 DC 2 Darlington 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 50 125 mA 10 µs, 35 µs 55 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA - - 1 V
HCPL-7721#360 Broadcom Limited HCPL-7721#360 -
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 ECAD 7199 0.00000000 Broadcom limitata - Tubo Interrotto alla SIC -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano Logica 1 Push-pull, totem 4,5 V ~ 5,5 V Ala di gabbiano 8-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 50 10 mA 25 MBd 9ns, 8ns - - 3750 Vrm 1/0 10 kV/μs 40ns, 40ns
H11B255-V Everlight Electronics Co Ltd H11B255-V -
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 ECAD 1329 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) H11B2 DC 1 Darlington con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C130000014 EAR99 8541.49.8000 65 - - 55 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 100% a 10 mA - 25 µs, 18 µs 1 V
H11G33SD onsemi H11G33SD -
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 ECAD 8765 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11G DC 1 Darlington con base 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11G33SD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 55 V 1,3 V 60 mA 5300 Vrm 200% a 1 mA - 5 µs, 100 µs 1,2 V
CNY17F3TM onsemi CNY17F3TM -
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 ECAD 3187 0.00000000 onsemi - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) CNY17 DC 1 Transistor 6-DIP scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 4μs, 3,5μs (massimo) 70 V 1,35 V 60 mA 4170Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 400mV
FODM121CR1 onsemi FODM121CR1 -
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 ECAD 6856 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano FODM12 DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 80 mA 3μs, 3μs 80 V 1,3 V (massimo) 50 mA 3750 Vrm 100% a 5 mA 200% a 5 mA - 400mV
MOC3081FVM onsemi MOC3081FVM -
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 ECAD 2965 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto - Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano MOC308 - 1 Triac 6-SMD - 1 (illimitato) REACH Inalterato MOC3081FVM-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 - 60 mA 7500Vpk 800 V 500μA (suggerimento) SÌ - 15 mA -
PS2561D-1Y-W-A Renesas Electronics America Inc PS2561D-1Y-WA 0,5100
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 ECAD 6484 0.00000000 Renesas Electronics America Inc NEPOC Tubo Attivo -55°C ~ 110°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato 559-1136 EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,2 V 40 mA 5000 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 300mV
TLP531(Y-LF5,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP531(Y-LF5,F) -
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 ECAD 4947 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP531 - 1 (illimitato) 264-TLP531(Y-LF5F) EAR99 8541.49.8000 50
TPC817D C9G Taiwan Semiconductor Corporation TPC817D C9G -
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 ECAD 9291 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan TPC817 Tubo Obsoleto -40°C ~ 100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.500 50mA 4μs, 3μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm 300% a 5 mA 600% a 5 mA - 200mV
6N139-520E Broadcom Limited 6N139-520E 0,6165
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 ECAD 2469 0.00000000 Broadcom limitata - Nastro e bobina (TR) Attivo -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 6N139 DC 1 Darlington con base 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 60mA - 18 V 1,4 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA 2600% a 1,6 mA 200ns, 2μs -
BRT22F-X009 Vishay Semiconductor Opto Division BRT22F-X009 -
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 ECAD 1981 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Massa Obsoleto -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano BRT22 cUL, UR, VDE 1 Triac 6-SMD - 751-BRT22F-X009 EAR99 8541.49.8000 1.000 1,16 V 60 mA 5300 Vrm 600 V 300 mA 500 µA SÌ 10 kV/μs 1,2 mA 35 µs
CNY17F33S onsemi CNY17F33S -
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 ECAD 2381 0.00000000 onsemi - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano CNY17 DC 1 Transistor 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato CNY17F33S-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
LDA101STR IXYS Integrated Circuits Division LDA101STR -
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 ECAD 1169 0.00000000 Divisione Circuiti Integrati IXYS - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano LDA101 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 30 V 1,2 V 1 mA 3750 Vrm 33% a 1 mA - 7μs, 20μs 500mV
H11A817BSD onsemi H11A817BSD -
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 ECAD 7516 0.00000000 onsemi - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano H11A DC 1 Transistor 4-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato H11A817BSD-NDR EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 2,4 µs, 2,4 µs 70 V 1,2 V 50 mA 5300 Vrm 130% a 5 mA 260% a 5 mA - 200mV
SFH6701-X009 Vishay Semiconductor Opto Division SFH6701-X009 -
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 ECAD 9288 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -40°C ~ 85°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano SFH6701 DC 1 Push-pull, totem 4,5 V~15 V 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 25 mA 5 MBd 40ns, 10ns 1,6 V 10mA 5300 Vrm 1/0 1kV/μs 300ns, 300ns
PC723V0NSZX Sharp Microelectronics PC723V0NSZX -
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 ECAD 6997 0.00000000 Microelettronica Sharp - Tubo Obsoleto -25°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento RoHS non conforme 1 (illimitato) 425-1424-5 EAR99 8541.49.8000 50 50mA 6μs, 7μs 80 V 1,2 V 50 mA 5000 Vrm - - - 300mV
PS2501-1-H-A CEL PS2501-1-HA -
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 ECAD 9797 0.00000000 CEL NEPOC Tubo Interrotto alla SIC -55°C~100°C Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) PS2501 DC 1 Transistor 4-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) RAGGIUNGERE Interessato PS25011HA EAR99 8541.49.8000 100 50mA 3μs, 5μs 80 V 1,17 V 80 mA 5000 Vrm 80% a 5 mA 160% a 5 mA - 300mV
OPIA404BTRE TT Electronics/Optek Technology OPIA404BTRE -
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 ECAD 3158 0.00000000 TT Electronics/Optek Technology - Nastro e bobina (TR) Obsoleto -55°C ~ 115°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor 4-SOP (2,54 mm) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 5μs, 4μs 60 V 1,6 V 50 mA 3750 Vrm 50% a 5 mA 600% a 5 mA - 300mV
6N139SDVM Fairchild Semiconductor 6N139SDVM 0,6900
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 ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Massa Attivo -40°C ~ 100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano DC 1 Transistor con base 8-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 435 60mA - 18 V 1,3 V 20 mA 5000 Vrm 500% a 1,6 mA - 240ns, 1,3μs -
LTV-352T-B Lite-On Inc. LTV-352T-B -
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 ECAD 8115 0.00000000 Lite-On Inc. LTV-352T Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano LTV-352 DC 1 Darlington 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 3.000 150mA 100 µs, 20 µs 300 V 1,2 V 50 mA 3750 Vrm 1000% a 1 mA - - 1,2 V
ILD66-4X009 Vishay Semiconductor Opto Division ILD66-4X009 -
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 ECAD 8473 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano ILD66 DC 2 Darlington 8-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 2.000 - 200 µs, 200 µs (massimo) 60 V 1,25 V 60 mA 5300 Vrm 500% a 2 mA - - 1 V
74OL6011S onsemi 74OL6011S -
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 ECAD 6133 0.00000000 onsemi OPTOLOGICO™ Tubo Obsoleto 0°C ~ 70°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 74OL601 Logica 1 Collettore aperto, morsetto Schottky 4,5 V~15 V 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 1.000 40 mA 15 MBd 50ns, 5ns - - 5300 Vrm 1/0 5 kV/μs 180ns, 120ns
SFH608-2X006 Vishay Semiconductor Opto Division SFH608-2X006 0,4891
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 ECAD 8464 0.00000000 Divisione ottica di Vishay Semiconductor - Tubo Attivo -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) SFH608 DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.49.8000 4.000 50mA 5μs, 7μs 55 V 1,1 V 50 mA 5300 Vrm 63% a 1 mA 125% a 1 mA 8μs, 7,5μs 400mV
CNY173W Fairchild Semiconductor CNY173W 0,2000
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 ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Fairchild - Tubo Obsoleto -55°C~100°C Foro passante 6 DIP (0,400", 10,16 mm) DC 1 Transistor con base 6-DIP scaricamento Conformità ROHS3 EAR99 8541.49.8000 1.000 50mA 1μs, 2μs 70 V 1,35 V 100 mA 5300 Vrm 100% a 10 mA 200% a 10 mA 2μs, 3μs 300mV
TLP734(D4GRTP5,M,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP734(D4GRTP5,M,F -
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 ECAD 5336 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage * Tubo Obsoleto TLP734 - 1 (illimitato) 264-TLP734(D4GRTP5MF EAR99 8541.49.8000 1.500
EL1019(TA)-VG Everlight Electronics Co Ltd EL1019(TA)-VG 0,1980
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 ECAD 2927 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano EL1019 DC 1 Transistor 4-SOP (2,54 mm) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) C110000339 EAR99 8541.49.8000 3.000 50mA 2μs, 3μs 80 V 1,45 V 60 mA 5000 Vrm 200% a 5 mA 400% a 5 mA 4μs, 3μs 300mV
H11A2S1(TA)-V Everlight Electronics Co Ltd H11A2S1(TA)-V -
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 ECAD 8155 0.00000000 Everlight Electronics Co Ltd - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 110°C Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano H11A2 DC 1 Transistor con base 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 3907171122 EAR99 8541.49.8000 1.000 - - 80 V 1,2 V 60 mA 5000 Vrm 20% a 10 mA - 3μs, 3μs 400mV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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