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Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (massimo)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)
HMHA2801V	0,7000	Richiesta di offerta	4419	onsemi	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	HMHA2801	DC	1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		3μs, 3μs	80 V	1,3 V (massimo)	50 mA	3750 Vrm				80% a 5 mA	600% a 5 mA	-	300mV
TLP385(BLL,E	0,5500	Richiesta di offerta	1556	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP385	DC	1	Transistor		6-SO, 4 derivazioni	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		TLP385(BLLE	EAR99	8541.49.8000	125	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm				200% a 5 mA	400% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
6N135SVM	2.0400	Richiesta di offerta	1163	onsemi	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	6N135	DC	1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	8 mA		-	20 V	1,45 V	25 mA	5000 Vrm				7% a 16 mA	50% a 16 mA	230ns, 450ns	-
HCPL-0700#560	-	Richiesta di offerta	8476	Broadcom limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)		DC	1	Darlington con base		8-SO	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.500	60mA		-	7V	1,4 V	20 mA	3750 Vrm				300% a 1,6 mA	2600% a 1,6 mA	1,6 µs, 10 µs	-
ACPL-2672L-100	100.6453	Richiesta di offerta	2567	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Foro passante	16-DIP	ACPL-2672	DC	2	Collettore aperto, morsetto Schottky	3 V ~ 3,6 V	16-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1	25 mA	10 MBd	20ns, 8ns		1,55 V	20 mA	1500 V CC	2/0	1kV/μs	100ns, 100ns
4N36S1(TA)-V	-	Richiesta di offerta	5331	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano		DC	1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3907173610	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				100% a 10 mA	-	10μs, 9μs	300mV
HCPL-J454-300E	1.2966	Richiesta di offerta	3401	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	HCPL-J454	DC	1	Transistor		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	8 mA		-	20 V	1,59 V	25 mA	3750 Vrm				19% a 16 mA	60% a 16 mA	500ns, 800ns	-
PS8501L2-V-AX	3.8400	Richiesta di offerta	850	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	PS8501	DC	1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	559-PS8501L2-V-AX	EAR99	8541.49.8000	50	8 mA		-	35 V	1,7 V	25 mA	5000 Vrm				15% a 16 mA	-	-	-
6N135-500E	0,6145	Richiesta di offerta	2961	Broadcom limitata	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	6N135	DC	1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	8 mA		-	20 V	1,5 V	25 mA	3750 Vrm				7% a 16 mA	50% a 16 mA	200ns, 1,3μs	-
EL816(A)	-	Richiesta di offerta	5996	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	EL816	DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3908160604	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				80% a 5 mA	160% a 5 mA	-	200mV
JAN4N49A	29.5242	Richiesta di offerta	2367	TT Electronics/Optek Technology	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 125°C	Foro passante	TO-78-6 Lattina di metallo	JAN4N49	DC	1	Transistor con base		TO-78-6	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato	365-1978	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		20μs, 20μs (massimo)	40 V	1,5 V (massimo)	40 mA	1000 V CC				200% a 1 mA	1000% a 1 mA	-	300mV
H11A817300W	-	Richiesta di offerta	2531	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	H11A	DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	H11A817300W-NDR	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2,4 µs, 2,4 µs	70 V	1,2 V	50 mA	5300 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
SFH6186-5T	0,9200	Richiesta di offerta	450	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	SFH6186	DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		3,5 µs, 5 µs	55 V	1,1 V	60 mA	5300 Vrm				250% a 1 mA	500% a 1 mA	6μs, 5,5μs	400mV
PS2381-1Y-W-AX	-	Richiesta di offerta	3179	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Massa	Attivo	-40°C ~ 115°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PS2381	DC	1	Transistor		4-LSOP (2,54 mm)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	559-1217	EAR99	8541.49.8000	20	50mA		4μs, 5μs	80 V	1,1 V	60 mA	5000 Vrm				130% a 5 mA	260% a 5 mA	-	300mV
EL816(Y)-V	-	Richiesta di offerta	6032	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	EL816	DC	1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm				150% a 5 mA	300% a 5 mA	-	200mV
6N136S(TA)-V	0,4776	Richiesta di offerta	2914	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano		DC	1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		C170000019	EAR99	8541.49.8000	1.000	8 mA		-	20 V	1,45 V	25 mA	5000 Vrm				19% a 16 mA	50% a 16 mA	350ns, 300ns	-
74OL6010300	-	Richiesta di offerta	5024	onsemi	OPTOLOGICO™	Tubo	Obsoleto	0°C ~ 70°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	74OL601	Logica	1	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V~15 V	6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	40 mA	15 MBd	50ns, 5ns		-	-	5300 Vrm	1/0	5 kV/μs	180ns, 120ns
HCNW2601-300E	4.0800	Richiesta di offerta	5409	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	HCNW2601	DC	1	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	Ala di gabbiano 8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	42	50 mA	10 MBd	24ns, 10ns		1,64 V	20 mA	5000 Vrm	1/0	10 kV/μs	100ns, 100ns
SFH6106-1	1.1200	Richiesta di offerta	82	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	SFH6106	DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	2266-SFH6106-1	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 2μs	70 V	1,25 V	60 mA	5300 Vrm				40% a 10 mA	80% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV
6N136TSR2VM	1.0897	Richiesta di offerta	8399	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	6N136	DC	1	Transistor con base		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	700	8 mA		-	20 V	1,45 V	25 mA	5000 Vrm				19% a 16 mA	50% a 16 mA	250ns, 260ns	-
IL215AT	0,3507	Richiesta di offerta	4446	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	IL215	DC	1	Transistor con base		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	-		-	30 V	1 V	60 mA	4000 Vrm				20% a 1 mA	-	3μs, 3μs	400mV
HMA2701AR3V	-	Richiesta di offerta	9582	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	HMA270	DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	80 mA		3μs, 3μs	40 V	1,3 V (massimo)	50 mA	3750 Vrm				150% a 5 mA	300% a 5 mA	-	300mV
ILQ620-X009T	3.8700	Richiesta di offerta	2	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	16-SMD, Ala di gabbiano	ILQ620	CA, CC	4	Transistor		16-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	750	50mA		20μs, 2μs	70 V	1,15 V	60 mA	5300 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 2,3μs	400mV
SFH601-3X002	-	Richiesta di offerta	6178	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	SFH601	DC	1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		3μs, 14μs	100 V	1,25 V	60 mA	5000 Vrm				100% a 10 mA	200% a 10 mA	4,2 µs, 23 µs	400mV
HCPL-0631	8.2900	Richiesta di offerta	3	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	HCPL-0631	DC	2	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	8-SO Alto	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	516-1091-5	EAR99	8541.49.8000	100	50 mA	10 MBd	24ns, 10ns		1,5 V	15 mA	3750 Vrm	2/0	10 kV/μs	100ns, 100ns
HCPL-7720-360E	3.3017	Richiesta di offerta	8670	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	HCPL-7720	Logica	1	Push-pull, totem	4,5 V ~ 5,5 V	Ala di gabbiano 8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	10 mA	25 MBd	9ns, 8ns		-	-	3750 Vrm	1/0	10 kV/μs	40ns, 40ns
HCPL2630V	-	Richiesta di offerta	9037	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	HCPL2630	DC	2	Collettore aperto	4,5 V ~ 5,5 V	8-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	50 mA	10Mbps	50ns, 12ns		1,4 V	30mA	2500 Vrm	2/0	10 kV/μs (tip.)	75ns, 75ns
TCMT1107	0,6200	Richiesta di offerta	82	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	TCMT1107	DC	1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		5,5 µs, 7 µs	70 V	1,35 V	60 mA	3750 Vrm				80% a 5 mA	160% a 5 mA	9,5 µs, 8,5 µs	300mV
TLP2955(F)	1.8500	Richiesta di offerta	579	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Acquisto per l'ultima volta	-40°C ~ 125°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP2955	DC	1	Push-pull, totem	3V~20V	8-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50	25 mA	-	16ns, 14ns		1,55 V	25 mA	5000 Vrm	1/0	20kV/μs	250ns, 250ns
TLP781F(D4BL-TP7,F	-	Richiesta di offerta	2536	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP781F	DC	1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)		264-TLP781F(D4BL-TP7FTR	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm				200% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV