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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AS4C32M32MD1-5BINTR | - |  | 2565 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TJ) | Montaggio superficiale | 90-VFBGA | AS4C2M32 | SDRAM: LPDDR mobile | 1,7 V ~ 1,9 V | 90-FBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 1.000 | 200 MHz | Volatile | 1Gbit | 5 nn | DRAM | 32Mx32 | Parallelo | 15ns | |||
 | IS21TF08G-JCLI | 20.1600 | | 4454 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | IS21TF08G | FLASH-NAND (TLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS21TF08G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | |||
 | 7024S12PF8 | - | | 2311 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-7024S12PF8TR | 1 | Volatile | 64Kbit | 12 ns | SRAM | 4K×16 | Parallelo | 12ns | |||||||||
 | MT40A2G8NRE-083E:B | - | | 5313 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | MT40A2G8 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (8x12) | - | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.140 | 1,2GHz | Volatile | 16Gbit | DRAM | 2G×8 | Parallelo | - | |||||
 | M25P80-VMN6TP TR | - | | 6444 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | M25P80 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 2.500 | 75 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI | 15 ms, 5 ms | ||||
 | CY7C1399B-15ZXCT | 0,6600 | | 1 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | CY7C1399 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 28-TSOP I | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 256Kbit | 15 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 15ns | ||||
| CG6643AAT | - | | 5550 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 1 (illimitato) | Venditore non definito | 1 | ||||||||||||||||||||
 | IS43TR81280CL-107MBL | 3.5686 | | 3402 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS43TR81280 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS43TR81280CL-107MBL | EAR99 | 8542.32.0032 | 242 | 933 MHz | Volatile | 1Gbit | 20 ns | DRAM | 128Mx8 | Parallelo | 15ns | ||
| 70V261S25PFG | - | | 7009 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 70V261 | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | - | 800-70V261S25PFG | OBSOLETO | 1 | Volatile | 256Kbit | 25 ns | SRAM | 16K×16 | Parallelo | 25ns | |||||||
 | R1LV0408CSB-7LC#D0 | 13.3100 | | 2 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991 | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
 | IDT71V67602S150PF | - | | 5687 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V67602 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V67602S150PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 150 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,8 n | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||
 | 71321LA25PF | - | | 8788 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | 71321LA | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volatile | 16Kbit | 25 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 25ns | ||||
 | S25FL256LAGMFI000Z | 5.6700 | | 6104 | 0.00000000 | Espansione | FL-L | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | 133 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||
 | R1QAA7218RBG-22RA0 | 35.5800 | | 840 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| GD25Q80ENIGR | 0,4242 | | 5279 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD25Q | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-USO (3x4) | scaricamento | 1970-GD25Q80ENIGRTR | 3.000 | 133 MHz | Non volatile | 8Mbit | 7 ns | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 70μs, 2ms | ||||||||
 | CAT34C02VP2I-GT3 | - | | 5695 | 0.00000000 | onsemi | * | Massa | Attivo | scaricamento | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | |||||||||||||||||||||
| 5962-8866511ZA | 334.5510 | | 1865 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Acquisto per l'ultima volta | -55°C ~ 125°C (TA) | Foro passante | 68-BPGA | 5962-8866511 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PGA (29,46x29,46) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 800-5962-8866511ZA | 3 | Volatile | 32Kbit | 55 ns | SRAM | 2K×16 | Parallelo | 55ns | |||||
| HN27C4001G12 | 26.4500 | | 168 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | Finestra da 32 CDIP (0,600", 15,24 mm). | HN27C | EPROM-UV | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CDIP | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0061 | 1 | Non volatile | 4Mbit | 120 n | EPROM | 512K×8 | Parallelo | |||||
 | CY27C256T-55ZI | 4.6700 | | 111 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | CY27C256 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP I | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 256Kbit | 55 ns | EPROM | 32K×8 | Parallelo | - | ||||
 | R1EX25064ATA00A#S0 | 2.1100 | | 47 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | R1EX25064 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 5 MHz | Non volatile | 64Kbit | EEPROM | 8K×8 | SPI | 5 ms | ||||||
 | GS832236AGD-333I | 74.8700 | | 18 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 100°C (TJ) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | GS832236 | SRAM: sincronizzato, standard | 2,3 V ~ 2,7 V, 3 V ~ 3,6 V | 165-FPBGA (13x15) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2364-GS832236AGD-333I | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | 333 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | |||
 | MTFC32GASAQHD-AAT TR | 19.1400 | | 1955 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | MTFC32G | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 557-MTFC32GASAQHD-AATTR | 2.000 | 200 MHz | Non volatile | 256Gbit | FLASH | 32G x 8 | eMMC | - | |||||
 | S29GL064S90FHI010 | - | | 1546 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, GL-S | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 180 | Non volatile | 64 Mbit | 90 ns | FLASH | 8Mx8, 4Mx16 | Parallelo | 60ns | ||||
| S25HL512TDPMHM013 | 12.9500 | | 7860 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Sempre™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | FLASH-NORE (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.450 | 133 MHz | Non volatile | 512Mbit | FLASH | 64Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | ||||||||
 | CAT93C46X-TE13 | - | | 7846 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | CAT93C46 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.000 | 2 MHz | Non volatile | 1Kbit | EEPROM | 128×8, 64×16 | Microfilo | - | ||||
 | NV34C04MU3VTG | - | | 9294 | 0.00000000 | onsemi | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | NV34C04 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-UDFN-EP (2x3) | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 488-NV34C04MU3VTGTR | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 1 megahertz | Non volatile | 4Kbit | EEPROM | 512×8, 256×16 | I²C | 4 ms | |||
 | MT41K512M16VRN-107 AIT:P TR | 19.1550 | | 9752 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41K512M16 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (8x14) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | MT41K512M16VRN-107AIT:PTR | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | 15ns | ||
| CG8304AA | 5.2300 | | 68 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | - | Non applicabile | 68 | Non verificato | |||||||||||||||||||||
 | 71V65803S133BGG8 | 26.1188 | | 8556 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V65803 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 133 MHz | Volatile | 9Mbit | 4,2 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | |||
 | MT29F2G08ABAGAWP-AITES:G | 3.6385 | | 2403 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F2G08 | FLASH-NAND (SLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 8542.32.0071 | 960 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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