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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora | Grado | Qualificazione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 4N40SD | - |  | 7111 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N40 | UR | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N40SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300 mA | 1mA | NO | 500 V/μs | 14mA | 50 µs (massimo) | |||||||||||||||||
 | TLP781(BL,F) | - | | 4864 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP781 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP781BLF | 5A991G | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||
 | TLP183(BL-TPL,E | 0,5100 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||
 | PVI1050 | - | | 9186 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | PVI-NPbF | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 8-DIP (0,300", 7,62 mm), 6 conduttori | PVI1050 | DC | 1 | Fotovoltaico | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 5 V, 10 V | - | 2500 Vrm | - | - | - | - | ||||||||||||||||||
 | HCPL-0720 | 9.3000 | | 5444 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-0720 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SO Alto | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 25 MBd | 9ns, 8ns | - | - | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||||
 | MOC3083VM | 1.1700 | | 6594 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC308 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | MOC3083VM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 800 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 5mA | - | |||||||||||||||||
 | ACPL-M72T-500E | 4.7000 | | 7 | 0.00000000 | Broadcom limitata | R²Coupler™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | ACPL-M72 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 10ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 4000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 100ns, 100ns | Automobilistico | AEC-Q100 | ||||||||||||||||
 | QTM354T1 | 0,7800 | | 3 | 0.00000000 | QT Brightek (QTB) | Accoppiatore ottico | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | QTM354 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 6μs, 8μs | 80 V | 1,24 V | 50 mA | 3750 Vrm | 20% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
| MOC3022 | - | | 1231 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC302 | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC3022QT | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 5300 Vrm | 400 V | 100μA | NO | 10mA | |||||||||||||||||||||||
| MOC3063SR2M | 1.3200 | | 4 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC306 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 500μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||||
 | PS8101-F3-AX | 2.3700 | | 4 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | PS8101 | DC | 1 | Transistor | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 8 mA | - | 35 V | 1,7 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 16 mA | 35% a 16 mA | 500ns, 600ns | - | |||||||||||||||||
| TLP626(F) | - | | 6179 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP626 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 8μs, 8μs | 55 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||||
 | TLP2309(TPR,E | 1.2600 | | 6442 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2309 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 16 mA | - | 1μs, 1μs (massimo) | - | ||||||||||||||||||
 | PS2505-4X | 1.9700 | | 1 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | PS2505 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 80% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
 | LTV-352T-B | - | | 8115 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | LTV-352T | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | LTV-352 | DC | 1 | Darlington | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 150mA | 100 µs, 20 µs | 300 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 1000% a 1 mA | - | - | 1,2 V | ||||||||||||||||||
 | FODM121FV | - | | 6806 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM12 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||||
 | H11AA814AW | - | | 8127 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | H11AA814AW-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 50% a 1 mA | 150% a 1 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | ACNT-H50L-000E | 5.2600 | | 8680 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,535", larghezza 13,60 mm) | ACNT-H50 | DC | 1 | Transistor | 8-SO allungato | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 516-3297 | EAR99 | 8541.49.8000 | 80 | 8 mA | - | 24 V | 1,45 V | 20 mA | 7500 Vrm | 31% a 12 mA | 80% a 12 mA | 800ns, 1μs | - | ||||||||||||||||
| TLP109(V4-TPL,E | 1.8900 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP109 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 8 mA | - | 20 V | 1,64 V | 20 mA | 3750 Vrm | 20% a 16 mA | - | 800ns, 800ns (massimo) | - | ||||||||||||||||||
 | TLP2530(F) | 1.7600 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2530 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 7% a 16 mA | - | 300ns, 500ns | - | ||||||||||||||||||
 | MOC3043XSM | 1.0200 | | 347 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC304 | UR, VDE | 1 | Triac | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,2 V | 50 mA | 5300 Vrm | 400 V | 400μA (suggerimento) | SÌ | 600 V/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||||
 | 6N1135-X006 | - | | 2820 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,400", 10,16 mm) | 6N1135 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 8 mA | - | 15 V | 1,6 V | 25 mA | 5300 Vrm | 7% a 16 mA | - | 300ns, 300ns | - | |||||||||||||||||
 | PS2701-1-F3-MA | - | | 6138 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 150% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||||
 | MCT2S1(da confermare) | - | | 3616 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT2 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 390717T207 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 3μs, 3μs | 80 V | 1,23 V | 60 mA | 5000 Vrm | 20% a 10 mA | - | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||
 | VO0631-X001T | 3.5000 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | VO0631 | DC | 2 | Aprire lo scarico | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50 mA | 10 MBd | 23ns, 7ns | 1,4 V | 15 mA | 4000 Vrm | 2/0 | 5 kV/μs | 100ns, 100ns | ||||||||||||||||||
 | PS2701-1-F3-PA | - | | 8821 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1415-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||||
| TLP3905(TPL,E | 1.8500 | | 9912 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP3905 | DC | 1 | Fotovoltaico | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 30 µA (suggerimento) | - | 7V | 1,65 V | 30 mA | 3750 Vrm | - | - | 300 µs, 1 ms | - | ||||||||||||||||||
| H11AA2M | - | | 4367 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11A | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 7500Vpk | 10% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||||
| HCPL-0700#060 | - | | 7271 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 8-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 60mA | - | 7V | 1,4 V | 20 mA | 3750 Vrm | 300% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | 1,6 µs, 10 µs | - | ||||||||||||||||||
 | TLP371(TP1,F) | - | | 2803 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | TLP371 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 150mA | 40 µs, 15 µs | 300 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 1000% a 1 mA | - | 50 µs, 15 µs | 1,2 V |
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