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Optoisolatori(15749)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (massimo)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
MOC3063FR2VM	-	Richiesta di offerta	8067	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC306		-	1	Triac		6-SMD	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC3063FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000					-	60 mA	7500Vpk	600 V		500μA (suggerimento)								SÌ	-	5mA	-
H11A1-X017	-	Richiesta di offerta	2672	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	H11	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		-	70 V	1,1 V	60 mA	5300 Vrm							50% a 10 mA	-	3μs, 3μs	400mV
EL817(M)-G	-	Richiesta di offerta	7418	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	EL817	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		6μs, 8μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
TLP321-4X	1.7300	Richiesta di offerta	2	Componenti Isocom 2004 LTD	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	16 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP321	DC		4	Transistor		16-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	25	-		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	50 mA	5300 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
HMAA2705AR1	-	Richiesta di offerta	2929	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	HMAA27	CA, CC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	1.000	80 mA		3μs, 3μs	40 V	1,3 V (massimo)	50 mA	3750 Vrm							50% a 5 mA	300% a 5 mA	-	300mV
EL817(M)(A))-V	0,2182	Richiesta di offerta	6609	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	EL817	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		4μs, 3μs	35 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							80% a 5 mA	160% a 5 mA	-	200mV
ACSL-6420-00TE	9.2900	Richiesta di offerta	5	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	ACSL-6420	DC		4	Collettore aperto, morsetto Schottky	3 V ~ 5,5 V	16-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50	50 mA	15 MBd	30ns, 12ns		1,52 V	15 mA	2500 Vrm				2/2	10 kV/μs	100ns, 100ns
PC354N1J000F	1.2600	Richiesta di offerta	20	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC354	CA, CC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm							50% a 1 mA	150% a 1 mA	-	200mV
CNY17-1-360E	0,2203	Richiesta di offerta	9998	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	CNY17	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	65	150mA		5μs, 5μs	70 V	1,4 V	60 mA	5000 Vrm							40% a 10 mA	80% a 10 mA	-	300mV
TLP781(GRH-LF6,F)	-	Richiesta di offerta	8837	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP781	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)		264-TLP781(GRH-LF6F)	EAR99	8541.49.8000	100	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm							150% a 5 mA	300% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP781F(BLL-TP7,F)	-	Richiesta di offerta	2449	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	TLP781F	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)		264-TLP781F(BLL-TP7F)TR	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm							200% a 5 mA	400% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
ACPL-177KL-200	656.4033	Richiesta di offerta	4341	Broadcom limitata	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Foro passante	16 CDIP (0,300", 7,62 mm)	ACPL-177	DC		4	Darlington		16-CDIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		3A001A2C	8541.49.8000	1	40mA		-	20 V	1,4 V	10 mA	1500 V CC							200% a 5 mA	-	2μs, 6μs	-
TLP127(PSE-TPL,U,F	-	Richiesta di offerta	1770	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano	TLP127	DC		1	Darlington		6-MFSOP, 4 derivazioni	-		1 (illimitato)		264-TLP127(PSE-TPLUFTR	EAR99	8541.49.8000	3.000	150mA		40 µs, 15 µs	300 V	1,15 V	50 mA	2500 Vrm							1000% a 1 mA	-	50 µs, 15 µs	1,2 V
TLP748J(D4,F)	1.8600	Richiesta di offerta	3983	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP748		BSI, SEMKO, UR, VDE	1	SCR		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	50					1,15 V	50 mA	4000 Vrm	600 V	150 mA	1mA								NO	5 V/μs	10mA	15 µs
LTV-816S-TA1-D	0,1043	Richiesta di offerta	1571	Lite-On Inc.	LTV-816	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-50°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	LTV-816	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
4N35-X017	0,7500	Richiesta di offerta	2	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	4N35	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		-	30 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							100% a 10 mA	-	10μs, 10μs	-
FODM121R2V	0,7700	Richiesta di offerta	2	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	FODM121	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.500	80 mA		3μs, 3μs	80 V	1,3 V (massimo)	50 mA	3750 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	400mV
ILD620-X007T	0,9985	Richiesta di offerta	1435	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	ILD620	CA, CC		2	Transistor		8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		20μs, 2μs	70 V	1,15 V	60 mA	5300 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 2,3μs	400mV
PS2811-1-V-F3-LA	-	Richiesta di offerta	6951	CEL	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		DC		1	Transistor		4-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.500	40mA		4μs, 5μs	40 V	1,15 V	50 mA	2500 Vrm							150% a 1 mA	300% a 1 mA	-	300mV
H11A3SD	-	Richiesta di offerta	1982	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	H11A	DC		1	Transistor con base		6-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	H11A3SD-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000	-		-	30 V	1,18 V	100 mA	5300 Vrm							20% a 10 mA	-	2μs, 2μs	400mV
MOC3023S-TA	0,1701	Richiesta di offerta	2995	Lite-On Inc.	MOC302x	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC302		CQC, CSA, TUV, UL, VDE	1	Triac		6-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		MOC3023STA	EAR99	8541.49.8000	1.000					1,15 V	50 mA	5000 Vrm	400 V		250 µA (sugger.)								NO	1kV/μs	5mA	-
MOC3051FR2VM	-	Richiesta di offerta	4113	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	6-SMD, Ala di gabbiano	MOC305		UR, VDE	1	Triac		6-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	MOC3051FR2VM-NDR	EAR99	8541.49.8000	1.000					1,15 V	60 mA	7500Vpk	600 V		280 µA (sugger.)								NO	1kV/μs	15 mA	-
PS2561AL1-1-VDA	-	Richiesta di offerta	7140	CEL	NEPOC	Tubo	Interrotto alla SIC	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.49.8000	100	30mA		3μs, 5μs	70 V	1,2 V	30 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	400% a 5 mA	-	300mV
MCP3022.300	-	Richiesta di offerta	6066	onsemi	-	Tubo	Obsoleto		Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	MCP30			1	Triac		6-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	50						60 mA	5300 Vrm	400 V		200μA								NO		10mA
6N137S(TA)	1.3100	Richiesta di offerta	5	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Collettore aperto	7V	8-SMD	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	1.000	50 mA	10Mbps	40ns, 10ns		1,4 V	50mA	5000 Vrm				1/0	5 kV/μs	75ns, 75ns
SFH601-1	1.5000	Richiesta di offerta	1	Divisione ottica di Vishay Semiconductor	-	Tubo	Attivo	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	SFH601	DC		1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		2μs, 2μs	100 V	1,25 V	60 mA	5300 Vrm							40% a 10 mA	80% a 10 mA	3μs, 2,3μs	400mV
EL816(M)(Y)-V	-	Richiesta di offerta	6141	Everlight Electronics Co Ltd	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	EL816	DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)			EAR99	8541.49.8000	100	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	60 mA	5000 Vrm							150% a 5 mA	300% a 5 mA	-	200mV
EL3H7(A)(TA)-G	0,1649	Richiesta di offerta	3022	Everlight Electronics Co Ltd	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	EL3H7	DC		1	Transistor		4-SSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		3903H70004	EAR99	8541.49.8000	1.000	50mA		5μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm							80% a 5 mA	160% a 5 mA	-	200mV
FODM8801AV	1.8600	Richiesta di offerta	2	onsemi	OptoHit™	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	FODM8801	DC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	150	30mA		5μs, 5,5μs	75 V	1,35 V	20 mA	3750 Vrm							80% a 1 mA	160% a 1 mA	6μs, 6μs	400mV
PS2715-1-F3-A	1.1600	Richiesta di offerta	3094	Renesas Electronics America Inc	NEPOC	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PS2715	CA, CC		1	Transistor		4-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.49.8000	3.500	40mA		4μs, 5μs	40 V	1,15 V	50 mA	3750 Vrm							100% a 1 mA	400% a 1 mA	-	300mV