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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VO4156M-X006 | 1.0578 |  | 8460 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | VO4156 | cUR, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 600 V | 300 mA | 500 µA | SÌ | 5 kV/μs | 3mA | - | ||||||||||||||||
 | EL816(M)(C) | - | | 9427 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-7721-360E | 3.5436 | | 6479 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-7721 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 10 mA | 25 MBd | 9ns, 8ns | - | - | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
 | PS2801A-1-PA | - | | 2076 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2801 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1490 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 30mA | 5μs, 7μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 2500 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | CNY17-3-500E | 0,7000 | | 19 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor con base | Ala di gabbiano 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | 5μs, 5μs | 70 V | 1,4 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | 4N40SD | - | | 7111 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N40 | UR | 1 | SCR | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N40SD-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,1 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300 mA | 1mA | NO | 500 V/μs | 14mA | 50 µs (massimo) | |||||||||||||||
 | PS2701-1-V-F3-PA | - | | 3496 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1424-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | HMHAA280R3V | - | | 6659 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | HMHAA28 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,4 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP183(GB-TPR,E | - | | 7572 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP183 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP183(GB-TPRE | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||
 | HCPL-0453#560 | - | | 3842 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor | 8-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 8mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 16 mA | - | 1μs, 1μs (massimo) | - | ||||||||||||||||
| JANTXV4N23U | - | | 7424 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Vassoio | Obsoleto | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-LCC | DC | 1 | Transistor con base | 6-LCC (4,32x6,22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 6mA | 15μs, 15μs (massimo) | 35 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 1000 V CC | 60% a 10 mA | - | - | 300mV | ||||||||||||||||
 | PC3H711NIP0F | - | | 5155 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 2500 Vrm | 140% a 500μA | 350% a 500μA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | TLP785F(YH-TP7,F | - | | 5112 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(YH-TP7FTR | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | ILQ615-2X007 | 3.5200 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD, Ala di gabbiano | ILQ615 | DC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | - | ||||||||||||||||
 | TCLT1103 | 0,7300 | | 14 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori | TCLT1103 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SOP, 5 pin | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 80 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 6μs, 5μs | 300mV | |||||||||||||||
| ILD55-X007 | 2.7600 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ILD55 | DC | 2 | Darlington | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 125 mA | 10 µs, 35 µs | 55 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||||
 | PC3SD11NTZB | - | | 8639 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori | PC3SD11 | CSA, UR | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | 425-1362-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 3,5mA | NO | 1kV/μs | 7mA | 100μs (massimo) | |||||||||||||||
 | TLP185(E) | - | | 8142 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 5μs, 9μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | 9μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-4562-020E | 1.6297 | | 4758 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-4562 | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 20 V | 1,3 V | 12 mA | 5000 Vrm | - | - | - | - | |||||||||||||||
 | TCMT1102 | 0,6300 | | 78 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | TCMT1102 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 5,5 µs, 7 µs | 70 V | 1,35 V | 60 mA | 3750 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 9,5 µs, 8,5 µs | 300mV | |||||||||||||||
 | SFH615AGR | 0,7100 | | 2 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH615 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | - | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 2μs, 25μs | 400mV | |||||||||||||||
| HCPL-0721-060E | 3.3005 | | 2235 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL-0721 | Logica | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SO Alto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 10 mA | 25 MBd | 9ns, 8ns | - | - | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 40ns, 40ns | |||||||||||||||
 | HMA121CV | - | | 7404 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | SFH618A-4X | 0,5100 | | 16 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Tubo | Attivo | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | SFH618 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 55 V | 1,5 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 160% a 1 mA | 320% a 1 mA | - | 400mV | |||||||||||||||
 | PS9124-V-F3-AX | 4.5100 | | 3664 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | PS9124 | DC | 1 | Collettore aperto | 2,7 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 25 mA | 10Mbps | 20ns, 5ns | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs | 75ns, 75ns | |||||||||||||||
| PC733J00000F | 0,7472 | | 4 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | * | Tubo | Obsoleto | scaricamento | Non applicabile | 425-2165-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | H11B3S(TA)-V | - | | 7365 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11B3 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150140 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 1 mA | - | 25 µs, 18 µs | 1 V | |||||||||||||||
| EL357NA(TB)-VG | - | | 4547 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL357 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | HCPL0534 | 2.4400 | | 2 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | HCPL05 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 15% a 16 mA | - | 450 n., 300 n | - | |||||||||||||||
 | FODM3021R3 | - | | 5279 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 400 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 15 mA | - |
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