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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora | Grado | Qualificazione |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP290(GR,SE | 0,5100 |  | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP290 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP290(GRESE | EAR99 | 8541.49.8000 | 175 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | CNY17F-2X009T | 0,2688 | | 5271 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | EL3H7(D)(TB)-G | 0.2006 | | 8691 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | EL3H7 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903H70011 | EAR99 | 8541.49.8000 | 5.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
 | PC81713NSZ0F | - | | 9356 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Tubo | Obsoleto | -30°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 425-2183-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 10 mA | 5000 Vrm | 200% a 500μA | 500% a 500μA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | ACPL-M72T-500E | 4.7000 | | 7 | 0.00000000 | Broadcom limitata | R²Coupler™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | ACPL-M72 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3 V ~ 5,5 V | 5-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | - | 10ns, 10ns | 1,5 V | 20 mA | 4000 Vrm | 1/0 | 25 kV/μs | 100ns, 100ns | Automobilistico | AEC-Q100 | |||||||||||||||
 | PS8502L3-E3-AX | - | | 7903 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 8 mA | - | 35 V | 1,7 V | 25 mA | 5000 Vrm | 15% a 16 mA | - | 220ns, 350ns | - | |||||||||||||||||
 | MOCD217R2M | 1.1500 | | 148 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | MOCD217 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,05 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 1 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-181-06BE | 0,7200 | | 55 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-181 | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 130% a 5 mA | 260% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||
| EL816(S)(A)(TB) | - | | 3754 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 200mV | ||||||||||||||||||
 | H11F3SVM | 1.2900 | | 998 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | H11F | DC | 1 | MOSFET | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 232 | - | - | 15 V | 1,3 V | 60 mA | 4170Vrm | - | - | 45μs, 45μs (massimo) | - | |||||||||||||||||||
 | TCET4100 | 1.8200 | | 610 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | TCET4100 | DC | 4 | Transistor | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
| MOC8103SD | 0,2300 | | 6 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 30 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 108% a 10 mA | 173% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | MOC3022TVM | 1.0100 | | 5 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | MOC3022TVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,15 V | 60 mA | 4170Vrm | 400 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | 6N139SVM | 0,7100 | | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington con base | 8-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 461 | 60mA | - | 18 V | 1,3 V | 20 mA | 5000 Vrm | 500% a 1,6 mA | - | 240ns, 1,3μs | - | ||||||||||||||||||||
 | EL357N(C)(TA)-VG | 0,6000 | | 40 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL357 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 4μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
| PS2533-1 | - | | 2333 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Darlington | 4-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 150mA | 100 µs, 100 µs | 350 V | 1,15 V | 80 mA | 5000 Vrm | 1500% a 1 mA | 6500% a 1 mA | - | 1 V | |||||||||||||||||
| ILQ30 | 3.7500 | | 974 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 16 DIP (0,300", 7,62 mm) | ILQ30 | DC | 4 | Darlington | 16-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 2266-ILQ30 | EAR99 | 8541.49.8000 | 25 | 125 mA | 10 µs, 35 µs | 30 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 1 V | ||||||||||||||||
 | 4N293S | - | | 4334 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N29 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 4N293S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,2 V | 80 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | 5 µs, 40 µs (massimo) | 1 V | ||||||||||||||||
 | PS2701-1-V-F3-PA | - | | 3496 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1424-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 80 mA | 3μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 3750 Vrm | 150% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | 4N36-X007 | 0,2167 | | 1589 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 4N36 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | - | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 10μs, 10μs | - | |||||||||||||||||
| PS2701A-1Y-V-F3-A | 1.1100 | | 6843 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2701 | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 30mA | 5μs, 7μs | 70 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 50% a 5 mA | 300% a 5 mA | 8μs, 10μs | 300mV | ||||||||||||||||
| MOC217VM | 0,2500 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.230 | 150mA | 3,2 µs, 4,7 µs | 30 V | 1,07 V | 60 mA | 2500 Vrm | 100% a 1 mA | - | 7,5 µs, 5,7 µs | 400mV | |||||||||||||||||||
 | IL252 | 1.7500 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | IL252 | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | |||||||||||||||||
 | CNY17F-1S1(TA)-V | 0,3420 | | 5080 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171776 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | ||||||||||||||||
 | HCPL-2530-000E | 3.3300 | | 270 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2530 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 8 mA | - | 20 V | 1,5 V | 25 mA | 3750 Vrm | 7% a 16 mA | 50% a 16 mA | 200ns, 1,3μs | - | ||||||||||||||||
| H11AA4TVM | 1.1000 | | 1 | 0.00000000 | onsemi | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | H11AA | CA, CC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | - | 30 V | 1,17 V | 60 mA | 4170Vrm | 100% a 10 mA | - | - | 400mV | ||||||||||||||||
| PS2801-1-LA | - | | 3678 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | PS2801 | DC | 1 | Transistor | 4-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
| HCPL-2300-060E | 3.4303 | | 7415 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | HCPL-2300 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,75 V ~ 5,25 V | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 5 MBd | 40ns, 20ns | 1,3 V | 5 mA (suggerimento) | 3750 Vrm | 1/0 | 100 V/μs | 160ns, 200ns | ||||||||||||||||
 | OPI210 | - | | 9338 | 0.00000000 | Tecnologia TT Electronics/Optek | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, senza piombo | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 3μs, 3μs | 35 V | 1,6 V (massimo) | 50 mA | 1000 V CC | 50% a 10 mA | - | - | 300mV | |||||||||||||||||
 | PS2561AL1-1-VA | 0,1697 | | 8457 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Design non per nuovi | -55°C~100°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1288 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV |
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