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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP265J(V4T7TL,E | 0,8400 |  | 4119 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 7mA | 20 µs | ||||||||||||||||
 | FODM3012R3 | - | | 6467 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FODM30 | BSI, CSA, UL | 1 | Triac | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | 250 V | 70 mA | 300μA (suggerimento) | NO | 10 V/μs (punta) | 5mA | - | ||||||||||||||||
 | VO2223A | 2.3100 | | 12 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Foro passante | 8-DIP (0,300", 7,62 mm), 7 conduttori | VO2223 | cUR, UR | 1 | Triac, Potenza | 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 751-1490-5 | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,4 V (massimo) | 50 mA | 5300 Vrm | 600 V | 1A | 25 mA | NO | 210 V/μs (tip.) | 10mA | - | |||||||||||||||
 | EL1113(TA)-VG | 0,3688 | | 5469 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm), 5 conduttori | EL1113 | DC | 1 | Transistor con base | 5-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 10 mA | 200% a 10 mA | 4μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
 | EL3062-V | 0,7731 | | 5020 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | EL3062 | CSA, DEMKO, FIMKO, NEMKO, SEMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3903620008 | EAR99 | 8541.49.8000 | 65 | 1,5 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 600 V | 100 mA | 280 µA (sugger.) | SÌ | 1kV/μs | 10mA | - | |||||||||||||||
 | MOC8100TVM | - | | 6257 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | MOC810 | DC | 1 | Transistor con base | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8100TVM-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 2μs, 2μs | 30 V | 1,2 V | 60 mA | 7500Vpk | 30% a 1 mA | - | 20μs, 20μs (massimo) | 500mV | |||||||||||||||
 | 5962-9685201HPA | 113.5127 | | 8838 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | 5962-9685201 | DC | 1 | Collettore aperto, morsetto Schottky | 4,5 V ~ 30 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | - | - | 1,5 V | 25 mA | 1500 V CC | 1/0 | 10 kV/μs (tip.) | 750ns, 500ns | |||||||||||||||
 | PS2561B-1-A | 0,3358 | | 5169 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Design non per nuovi | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | PS2561 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1302 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 40 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | FOD617A3SD | - | | 5255 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | FOD617 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5000 Vrm | 40% a 10 mA | 80% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
| H11A617B3S | - | | 6947 | 0.00000000 | onsemi | - | Scatola | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | H11A | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,4 µs, 2,4 µs | 70 V | 1,35 V | 50 mA | 5300 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
 | ILD213T | 1.3700 | | 16 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ILD213 | DC | 2 | Transistor | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | - | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 4000 Vrm | 100% a 10 mA | - | 6μs, 5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | FODM214R2 | 0,7200 | | 2405 | 0.00000000 | onsemi | FODM214 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | FODM214 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 20% a 1 mA | 400% a 1 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | VOT8123AD-V | 1.1600 | | 1 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VOT8123 | CQC, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 400μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 10mA | - | ||||||||||||||||
 | MOC8108S | - | | 5595 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC810 | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8108S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 1μs, 2μs | 70 V | 1,15 V | 100 mA | 5300 Vrm | 250% a 10 mA | 600% a 10 mA | 2μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PC357N3 | - | | 3614 | 0.00000000 | Microelettronica Sharp | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -30°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-Mini-Appartamenti | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 200mV | |||||||||||||||||
 | MOC3023S-TA | 0,1701 | | 2995 | 0.00000000 | Lite-On Inc. | MOC302x | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | CQC, CSA, TUV, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | MOC3023STA | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 250 µA (sugger.) | NO | 1kV/μs | 5mA | - | ||||||||||||||||
| MOC3071SM | 0,3873 | | 6732 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC307 | UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | Non applicabile | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 800 V | 540 µA (sugger.) | NO | 1kV/μs | 15 mA | - | ||||||||||||||||
| SFH6319 | - | | 8614 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | SFH6319 | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Darlington con base | 8-SOIC | - | REACH Inalterato | 751-SFH6319 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 60mA | - | 18 V | 1,28 V | 20 mA | 4000 Vrm | 500% a 1,6 mA | 2600% a 1,6 mA | - | - | |||||||||||||||||
| CNY117-2X007T | 0,2997 | | 2997 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY117 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 2μs, 2μs | 70 V | 1,39 V | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 3μs, 2,3μs | 400mV | |||||||||||||||
| PC4SF21YVZBH | - | | 5101 | 0.00000000 | Tecnologia SHARP/Socle | - | Tubo | Interrotto alla SIC | -30°C~100°C | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | PC4SF21 | BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,2 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 3,5mA | SÌ | 500 V/μs | 7mA | 50 µs (massimo) | ||||||||||||||||
 | 6N137SDV | - | | 6246 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 6N137 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50 mA | 10Mbps | 50ns, 12ns | 1,4 V | 50mA | 2500 Vrm | 1/0 | 10 kV/μs (tip.) | 75ns, 75ns | ||||||||||||||||
 | ILD5-X009T | - | | 1510 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | ILD5 | DC | 2 | Transistor | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 2,6 µs, 2,2 µs | 70 V | 1,25 V | 60 mA | 5300 Vrm | 50% a 10 mA | 400% a 10 mA | 1,1 µs, 2,5 µs | 400mV | ||||||||||||||||
| SFH6705-X007 | - | | 1077 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | SFH6705 | DC | 1 | Collettore aperto | 4,5 V~15 V | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 25 mA | 5 MBd | 25ns, 4ns | 1,6 V | 10mA | 5300 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 300ns, 300ns | |||||||||||||||
| CNX48U3S | - | | 4666 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNX48 | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CNX48U3S-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 30 V | 1,2 V | 100 mA | 5300 Vrm | 350% a 500μA | - | 3,5 µs, 36 µs | 1 V | |||||||||||||||
| VO4254D-X007T | - | | 7307 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | VO4254 | cUR, FIMKO, UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,2 V | 60 mA | 5300 Vrm | 400 V | 300mA | - | NO | 5 kV/μs | 1,6 mA | - | ||||||||||||||||
 | H11L1300 | - | | 3452 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | - | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | H11L | DC | 1 | Collettore aperto | - | 6-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 50 mA | 1 megahertz | - | - | 1,6 mA | 5300 Vrm | 1/0 | - | - | |||||||||||||||
| 5962-8876802KXA | 644.6133 | | 6833 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 5962-8876802 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,5 V~20 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 15 mA | 5 MBd | 45ns, 10ns | 1,3 V | 8 mA | 1500 V CC | 1/0 | 1kV/μs | 350ns, 350ns | |||||||||||||||
 | 4N31S1(TB)-V | - | | 7634 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Darlington con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907150047 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | - | 55 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 10 mA | - | 5 µs, 40 µs (massimo) | 1,2 V | ||||||||||||||||
| VO3020 | - | | 7058 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | VO302 | CQC, CSA, cUL, FIMKO, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | - | 751-VO3020 | OBSOLETO | 1 | 1,3 V | 50 mA | 5000 Vrm | 400 V | 100 mA | 200μA (suggerimento) | NO | 100 V/μs | 30mA | - | ||||||||||||||||||
| MOC3051SM | - | | 5248 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC305 | UR | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,18 V | 60 mA | 4170Vrm | 600 V | 220μA (suggerimento) | NO | 1kV/μs | 15 mA | - |
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