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Optoisolatori(15749)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (max) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP532(GR-TP5,F) | - |  | 2528 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | TLP532 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP532(GR-TP5F)TR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
 | MCT5211SR2M | 1.7400 | | 4885 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MCT5211 | DC | 1 | Transistor con base | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 30 V | 1,25 V | 50 mA | 4170Vrm | 150% a 1,6 mA | - | 14μs, 2,5μs | 400mV | |||||||||||||||
 | PS2501AL-1-F3-HA | - | | 8223 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 30mA | 3μs, 5μs | 70 V | 1,2 V | 30 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 160% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||
 | HMA121AR3 | - | | 8196 | 0.00000000 | onsemi | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | HMA121 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 80 mA | 3μs, 3μs | 80 V | 1,3 V (massimo) | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 400mV | ||||||||||||||||
| TLP785F(D4-YH,F | - | | 9200 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785F(D4-YHF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 75% a 5 mA | 150% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||
| OLH7000SB | - | | 8845 | 0.00000000 | Skyworks Solutions Inc. | - | Massa | Obsoleto | OLH7000 | - | 863-OLH7000SB | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP624-2(SANYD,F) | - | | 6744 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP624 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP624-2(SANYDF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2503L-1-LA | - | | 6438 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Tubo | Interrotto alla SIC | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 30mA | 20μs, 30μs | 40 V | 1,1 V | 80 mA | 5000 Vrm | 150% a 1 mA | 300% a 1 mA | - | 250mV | ||||||||||||||||
 | TLP2405(F) | - | | 3997 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | TLP2405 | DC | 1 | Push-pull, totem | 4,5 V~20 V | 8-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP2405F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 25 mA | 5Mbps | 30ns, 30ns | 1,57 V | 25 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 15 kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||
 | CNY17F-4S(TA)-V | - | | 4341 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171792 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 160% a 10 mA | 320% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||
 | MOC3022SR2VM | 0,2800 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | MOC302 | IEC/EN/DIN, UL | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,15 V | 60 mA | 4170Vrm | 400 V | 100μA (suggerimento) | NO | - | 10mA | - | |||||||||||||||||||
| BRT21H | - | | 1081 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | SITAC® | Massa | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | BRT21 | - | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 1,1 V | 20 mA | 5333Vrm | 400 V | 300 mA | 500μA | NO | 10 kV/μs | 2mA | - | ||||||||||||||||||
| TLP3083F(TP4,F | 1.7900 | | 8342 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, ala di gabbiano, 5 conduttori | TLP3083 | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | 600 µA | SÌ | 2 kV/μs (tip.) | 5mA | - | ||||||||||||||||
| TLP2531(QCPL4531,F | - | | 6037 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2531 | DC | 2 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP2531(QCPL4531F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | 30% a 16 mA | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||||
 | HCPL0501R2V | 1.2300 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-SOIC | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 265 | 8 mA | - | 20 V | 1,45 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | 50% a 16 mA | 450 n., 300 n | - | |||||||||||||||||||
 | VO615A-6X009T | 0,1298 | | 3741 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | VO615 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 3μs, 4,7μs | 70 V | 1,43 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 6μs, 5μs | 300mV | ||||||||||||||||
| EL815(S1)(TD) | - | | 1773 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL815 | DC | 1 | Darlington | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 80 mA | 60 µs, 53 µs | 35 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 600% a 1 mA | 7500% a 1 mA | - | 1 V | ||||||||||||||||
 | PS2861-1-V-F3-LA | - | | 9011 | 0.00000000 | CEL | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | DC | 1 | Transistor | 4-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.500 | 40mA | 4μs, 5μs | 40 V | 1,1 V | 50 mA | 2500 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | - | 300mV | |||||||||||||||||
 | HCPL-2400-360E | 3.3854 | | 1841 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | HCPL-2400 | DC | 1 | Tri-Stato | 4,75 V ~ 5,25 V | Ala di gabbiano 8-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 25 mA | 40MBd | 20ns, 10ns | 1,3 V | 10mA | 3750 Vrm | 1/0 | 1kV/μs | 55ns, 55ns | |||||||||||||||
 | PS2501L-1-KA | - | | 7214 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Tubo | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2501 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | 559-1006 | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 300% a 5 mA | 600% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
| CNY17F-2S(TA) | 0,3420 | | 3320 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | CNY17F | DC | 1 | Transistor | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 3907171722 | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | - | 6μs, 8μs | 80 V | 1,65 V (massimo) | 60 mA | 5000 Vrm | 63% a 10 mA | 125% a 10 mA | 10μs, 9μs | 300mV | |||||||||||||||
 | BRT13H | - | | 5670 | 0.00000000 | Divisione ottica di Vishay Semiconductor | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | BRT13 | CQC, UL | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 1,1 V | 20 mA | 5300 Vrm | 800 V | 300 mA | 500μA | NO | 10 kV/μs | 2mA | - | ||||||||||||||||
| TLP209D(TP,F) | 2.9000 | | 8964 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | TLP209 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | 5A991G | 8541.49.8000 | 2.500 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2581L2-F3-A | 0,2642 | | 8614 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | NEPOC | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | PS2581 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 559-1409-2 | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.000 | 50mA | 3μs, 5μs | 80 V | 1,17 V | 80 mA | 5000 Vrm | 80% a 5 mA | 400% a 5 mA | - | 300mV | ||||||||||||||
 | MOC8020300 | - | | 4425 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 6 DIP (0,300", 7,62 mm) | MOC802 | DC | 1 | Darlington | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | MOC8020300-NDR | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 150mA | - | 50 V | 1,15 V | 60 mA | 5300 Vrm | 500% a 10 mA | - | 3,5 µs, 95 µs | 2V | |||||||||||||||
| PS8802-1-V-AX | 9.6900 | | 380 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Striscia | Attivo | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | PS8802 | DC | 1 | Transistor con base | 8-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 20 | 8 mA | - | - | 1,7 V | 25 mA | 2500 Vrm | 15% a 16 mA | 45% a 16 mA | - | - | |||||||||||||||
 | ACPL-C61L-500E | 3.7600 | | 11 | 0.00000000 | Broadcom limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | ACPL-C61 | DC | 1 | Tri-Stato | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SO Alto | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 10 mA | 10 MBd | 12ns, 12ns | 1,5 V | 8 mA | 5000 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 90ns, 90ns | |||||||||||||||
 | IS281K | 0,6000 | | 5 | 0.00000000 | Componenti Isocom 2004 LTD | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm) | IS281 | DC | 1 | Transistor | - | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.000 | 50mA | 5μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 3750 Vrm | - | - | - | 200mV | |||||||||||||||
| LDA213S | - | | 9253 | 0.00000000 | Divisione Circuiti Integrati IXYS | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | LDA213 | DC | 2 | Darlington | 8-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 30 V | 1,2 V | 1 mA | 3750 Vrm | 300% a 1 mA | 30000% a 1 mA | 8μs, 345μs | 1 V | |||||||||||||||
| EL816(S)(X)(TD)-V | - | | 4275 | 0.00000000 | Everlight Electronics Co Ltd | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | EL816 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 4μs, 3μs | 80 V | 1,2 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 200% a 5 mA | - | 200mV |
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