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Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	SIC programmabile	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Frequenza dell'orologio	Tipo di memoria	Dimensioni della memoria	Orario di accesso	Formato memoria	Organizzazione della memoria	Interfaccia di memoria	Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina	SIC programmabile
CG8131AA	-	Richiesta di offerta	8295	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto									-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	108
S25FS064SAGNFN030	-	Richiesta di offerta	2862	Cypress Semiconductor Corp	FS-S	Massa	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-WLGA	S25FS064	FLASH-NOR		1,7 V~2 V	8-LGA (5x6)	scaricamento							1	133 MHz	Non volatile	64Mbit		FLASH	8Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	-	Non verificato
CY7C1061G30-10BV1XE	28.8750	Richiesta di offerta	1437	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	48-VFBGA	CY7C1061	SRAM-Asincrono		2,2 V ~ 3,6 V	48-VFBGA (6x8)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2B	8542.32.0041	960		Volatile	16Mbit	10 ns	SRAM	1Mx16	Parallelo	10ns
NDS76PT5-20ETTR	2.0259	Richiesta di offerta	2716	Insignis Technology Corporation	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)		SDRAM		3 V ~ 3,6 V	54-TSOP II	-				1982-NDS76PT5-20ETTR			1.000	200 MHz	Volatile	128Mbit		DRAM	4Mx32	LVTTL	-
CY7C1415BV18-250BZI	54.5600	Richiesta di offerta	744	Cypress Semiconductor Corp	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1415	SRAM-Sincrono, QDR II		1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (15x17)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2A	8542.32.0041	105	250 MHz	Volatile	36Mbit		SRAM	1Mx36	Parallelo	-	Non verificato
24LC025-E/SN	0,4350	Richiesta di offerta	3772	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	24LC025	EEPROM		2,5 V ~ 5,5 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0051	100	400 chilocicli	Non volatile	2Kbit	900 n	EEPROM	256×8	I²C	5 ms
AT29C010A-15PC	-	Richiesta di offerta	2047	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TC)	Foro passante	32 DIP (0,600", 15,24 mm)	AT29C010	FLASH	Non verificato	4,5 V ~ 5,5 V	32-PDIP	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	AT29C010A15PC	EAR99	8542.32.0071	12		Non volatile	1Mbit	150 n	FLASH	128K×8	Parallelo	10 ms
S29GL128S10TFIV10	13.1600	Richiesta di offerta	7	Cypress Semiconductor Corp	GL-S	Vassoio	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	56-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm)	S29GL128	FLASH-NOR		1,65 V ~ 3,6 V	56-TSOP	scaricamento	RoHS non conforme	Non applicabile	Venditore non definito	2832-S29GL128S10TFIV10	3A991B1A	8542.32.0050	40		Non volatile	128Mbit	100 n	FLASH	8Mx16	Parallelo	60ns	Non verificato
55Y3710-C	17.5000	Richiesta di offerta	9540	ProLab	*	Confezione al dettaglio	Attivo									-	Conforme alla direttiva RoHS			4932-55Y3710-C	EAR99	8473.30.5100	1
IS25LP064-JMLE	-	Richiesta di offerta	6462	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 105°C (TA)	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	IS25LP064	FLASH-NOR		2,3 V ~ 3,6 V	16-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	706-1340	3A991B1A	8542.32.0071	44	133 MHz	Non volatile	64Mbit		FLASH	8Mx8	SPI - Quad I/O, QPI	800 µs
71V67602S166PFG	26.1188	Richiesta di offerta	3871	Renesas Electronics America Inc	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP	71V67602	SRAM: sincronismo, SDR		3.135 V ~ 3.465 V	100-TQFP (14x14)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	72	166 MHz	Volatile	9Mbit	3,5 ns	SRAM	256K x 36	Parallelo	-
IS45S16100C1-7BLA1	-	Richiesta di offerta	7125	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Vassoio	Obsoleto	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	60-TFBGA	IS45S16100	SDRAM		3 V ~ 3,6 V	60-MiniBGA (6,4x10,1)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0002	286	143 MHz	Volatile	16Mbit	5,5 ns	DRAM	1Mx16	Parallelo	-
MT53D1G32D4NQ-062 PESO ES:D	-	Richiesta di offerta	5694	Micron Technology Inc.	-	Massa	Obsoleto	-30°C ~ 85°C (TC)			MT53D1G32	SDRAM-Mobile LPDDR4		1,1 V		-		1 (illimitato)			OBSOLETO	0000.00.0000	1.360	1,6GHz	Volatile	32Gbit		DRAM	1G x 32	-	-
MT40A512M16TB-062E:R	6.2003	Richiesta di offerta	8632	Micron Technology Inc.	-	Massa	Attivo	0°C ~ 95°C (TC)	Montaggio superficiale	96-TFBGA	MT40A512M16	SDRAM-DDR4		1,14 V ~ 1,26 V	96-FBGA (7,5x13)	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato	557-MT40A512M16TB-062E:R	3A991B1A	8542.32.0071	1.020	1,6GHz	Volatile	8Gbit	19 ns	DRAM	512Mx16	Parallelo	15ns
CY7C1412AV18-200BZXC	54.3200	Richiesta di offerta	35	Tecnologie Infineon	-	Vassoio	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1412	SRAM-Sincrono, QDR II		1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (15x17)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	105	200 MHz	Volatile	36Mbit		SRAM	2Mx18	Parallelo	-
CY14B104NA-ZS20XI	-	Richiesta di offerta	2242	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	CY14B104	NVSRAM (SRAM non volatile)		2,7 V ~ 3,6 V	44-TSOP II	scaricamento	RoHS non conforme						1		Non volatile	4Mbit	20 ns	NVSRAM	256K×16	Parallelo	20ns	Non verificato
CY7C1412KV18-250BZC	-	Richiesta di offerta	7725	Cypress Semiconductor Corp	-	Massa	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	165-LBGA	CY7C1412	SRAM-Sincrono, QDR II		1,7 V ~ 1,9 V	165-FBGA (13x15)	scaricamento							7	250 MHz	Volatile	36Mbit		SRAM	2Mx18	Parallelo	-	Non verificato
SM668PEA-AC	-	Richiesta di offerta	6451	Silicon Motion, Inc.	-	Vassoio	Obsoleto				SM668					scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8523.51.0000	1
AS7C513B-15TCN	4.1694	Richiesta di offerta	1170	Alleanza Memoria, Inc.	-	Vassoio	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	AS7C513	SRAM-Asincrono		4,5 V ~ 5,5 V	44-TSOP2	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2B	8542.32.0041	135		Volatile	512Kbit	15 ns	SRAM	32K×16	Parallelo	15ns
IS64VF12832A-7.5TQLA3-TR	10.8177	Richiesta di offerta	5483	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 125°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP	IS64VF12832	SRAM: sincronismo, SDR		2.375 V~2.625 V	100-LQFP (14x20)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B2A	8542.32.0041	800	117 MHz	Volatile	4Mbit	7,5 ns	SRAM	128K×32	Parallelo	-
7133SA90GM	-	Richiesta di offerta	8595	Renesas Electronics America Inc	-	Vassoio	Acquisto per l'ultima volta	-55°C ~ 125°C (TA)	Foro passante	68-BPGA		SRAM: doppia porta, asincrona		4,5 V ~ 5,5 V	68-PGA (29,46x29,46)	-				800-7133SA90GM			1		Volatile	32Kbit	90 ns	SRAM	2K×16	Parallelo	90ns
7142LA5J8	-	Richiesta di offerta	7119	Renesas Electronics America Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Acquisto per l'ultima volta	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	52-LCC (cavo J)		SRAM: doppia porta, asincrona		4,5 V ~ 5,5 V	52-PLCC (19.13x19.13)	-				800-7142LA5J8TR			1		Volatile	16Kbit		SRAM	2K×8	Parallelo	-
CY7C037V-15AC	24.2500	Richiesta di offerta	36	Cypress Semiconductor Corp	-	Borsa	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	100-LQFP	CY7C037	SRAM: doppia porta, asincrona		3 V ~ 3,6 V	100-TQFP (14x14)	scaricamento	RoHS non conforme				3A991B2B	8542.32.0041	13		Volatile	576Kbit	15 ns	SRAM	32K×18	Parallelo	15ns	Non verificato
CY7C006A-20AXCT	-	Richiesta di offerta	6808	Tecnologie Infineon	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	64-LQFP	CY7C006	SRAM: doppia porta, asincrona		4,5 V ~ 5,5 V	64-TQFP (14x14)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0041	1.500		Volatile	128Kbit	20 ns	SRAM	16K×8	Parallelo	20ns
IS43R16160F-5TL-TR	2.4816	Richiesta di offerta	1290	ISSI, soluzione integrata di silicio Inc	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm)	IS43R16160	SDRAM-DDR		2,3 V ~ 2,7 V	66-TSOP II	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8542.32.0024	1.500	200 MHz	Volatile	256Mbit	700 CV	DRAM	16Mx16	Parallelo	15ns
CAT25C64S	0,1400	Richiesta di offerta	5	onsemi	*	Massa	Obsoleto	0°C ~ 70°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	CAT25C64	EEPROM		2,5 V ~ 6 V	8-SOIC	-	RoHS non conforme		Venditore non definito	2156-CAT25C64S-488	EAR99	8542.32.0071	1	5 MHz	Non volatile	64Kbit	100 n	EEPROM	8K×8	SPI	5 ms
W25X05CLSNIG	-	Richiesta di offerta	9234	Elettronica Winbond	SpiFlash®	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	W25X05	FLASH-NOR		2,3 V ~ 3,6 V	8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		3A991B1A	8542.32.0071	100	104 MHz	Non volatile	512Kbit		FLASH	64K×8	SPI	800 µs
NDB26PFC-4DETTR	10.1300	Richiesta di offerta	8424	Insignis Technology Corporation	NDB2	Nastro e bobina (TR)	Attivo	0°C ~ 85°C (TC)	Montaggio superficiale	84-TFBGA		SDRAM-DDR2		1,7 V ~ 1,9 V	84-FBGA (8x12,5)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)					2.500	400 MHz	Volatile	2Gbit		DRAM	128Mx16	SSTL_18	-
MB85RC16VPNF-G-AWE2	1.1187	Richiesta di offerta	1144	Kaga FEI America, Inc.	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 85°C (TA)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	MB85RC16	FRAM (RAM ferroelettrica)		3 V ~ 5,5 V	8-SOP	-	Conformità ROHS3	3 (168 ore)		865-MB85RC16VPNF-G-AWE2	EAR99	8542.32.0071	85	1 megahertz	Non volatile	16Kbit	550 n	FRAM	2K×8	I²C	-
A02-M316GB1-2-LC	125.0000	Richiesta di offerta	3228	ProLab	*	Confezione al dettaglio	Attivo									-	Conforme alla direttiva RoHS			4932-A02-M316GB1-2-LC	EAR99	8473.30.5100	1