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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | BR24C16-RMN6TP | 0,6900 |  | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | BR24C16 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 100 chilocicli | Non volatile | 16Kbit | EEPROM | 2K×8 | I²C | 10 ms | ||||
 | IS49NLC96400-25BL | - | | 4659 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLC96400 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-FCBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 104 | 400 MHz | Volatile | 576Mbit | 20 ns | DRAM | 64Mx9 | Parallelo | - | |||
 | EDB4432BBBJ-1DAAT-FR TR | - | | 7708 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-WFBGA | EDB4432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-FBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 533 MHz | Volatile | 4Gbit | DRAM | 128Mx32 | Parallelo | - | ||||
 | AT27C512R-55JC | - | | 2434 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TC) | Montaggio superficiale | 32-LCC (cavo J) | AT27C512 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-PLCC (13,97x11,43) | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | AT27C512R55JC | 3A991B1B2 | 8542.32.0061 | 32 | Non volatile | 512Kbit | 55 ns | EPROM | 64K×8 | Parallelo | - | |||
 | R1LV1616RSD-5SI#B0 | - | | 2486 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 52-TFSOP (0,350", larghezza 8,89 mm) | R1LV1616R | SRAM | 2,7 V ~ 3,6 V | 52-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Mbit | 55 ns | SRAM | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 55ns | ||||
 | STK14CA8-RF35TR | - | | 4527 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-BSSOP (0,295", larghezza 7,50 mm) | STK14CA8 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Non volatile | 1Mbit | 35 ns | NVSRAM | 128K×8 | Parallelo | 35ns | ||||
 | MT29F8G08ABABAWP-AITX:B TR | - | | 7074 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F8G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 1G x 8 | Parallelo | - | |||||
 | IS43TR16512B-125KBLI | 26.1600 | | 658 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | IS43TR16512 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-TWBGA (10x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-1657 | EAR99 | 8542.32.0036 | 136 | 800 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | ||
 | AT25SF041-SSHDHR-T | - | | 5192 | 0.00000000 | Renesas Design Germany GmbH | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TC) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AT25SF041 | FLASH-NOR | 2,5 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | Non volatile | 4Mbit | FLASH | 512K×8 | SPI - I/O quadruplo | 5 µs, 2,5 ms | Non verificato | |||
 | A1837307-C | 17.5000 | | 6908 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A1837307-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71V546S133PF | 1.6600 | | 986 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V546 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 133 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 4,2 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |||
 | MT28F800B5SG-8TET | - | | 7660 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | MT28F800B5 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 8Mbit | 80 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 80ns | ||||
| 2035-200 | - | | 3424 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 1 | |||||||||||||||||||
| MT29F8G16ABACAWP:C TR | - | | 4581 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | MT29F8G16 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 8Gbit | FLASH | 512Mx16 | Parallelo | - | |||||
 | SMJ4161-15JDS | 14.6700 | | 1 | 0.00000000 | Strumenti texani | * | Massa | Attivo | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | ||||||||||||||||||
| 46W0711-C | 72.5000 | | 5604 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-46W0711-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | W97BH2MBVA2E TR | 5.6100 | | 2309 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -25°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-VFBGA | W97BH2 | SDRAM-Mobile LPDDR2-S4B | 1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W97BH2MBVA2ETR | EAR99 | 8542.32.0036 | 3.500 | 400 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | HSUL_12 | 15ns | |||
 | 71V3577S80BQI | - | | 9610 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71V3577 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 100 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 8 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||||
 | IS21ES16G-JCLI | - | | 6752 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 153-VFBGA | IS21ES16 | FLASH NAND (MLC) | 2,7 V ~ 3,6 V | 153-VFBGA (11,5x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS21ES16G-JCLI | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 152 | 200 MHz | Non volatile | 128 Gbit | FLASH | 16G x 8 | eMMC | - | |||
| IS43R86400E-6TL | - | | 2705 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | SDRAM-DDR | 2,3 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 706-IS43R86400E-6TL | 108 | 166 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 64Mx8 | SSTL_2 | 15ns | ||||||
 | S29GL128N11FFA020 | - | | 6835 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-N | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 128Mbit | 110 n | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 110ns | ||||
| MT53D512M64D4HR-053 PESO:D | - | | 1916 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -30°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 366-WFBGA | MT53D512 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | 366-WFBGA (12x12,7) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.360 | 1.866 GHz | Volatile | 32Gbit | DRAM | 512Mx64 | - | - | ||||
 | CY7C1418TV18-267BZXC | 70.2100 | | 240 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Borsa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1418 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (13x15) | - | Non applicabile | 3A991B2A | 1 | 267 MHz | Volatile | 36Mbit | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | ||||||
| S99-50287 | - | | 8445 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | - | Venditore non definito | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
| S99-50541 | - | | 3318 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1 | ||||||||||||||||||||
 | C2663KV18-450BZI | 315.5800 | | 5 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | ||||||||||||||||||
| CY7C1563V18-400BZXC | 188.2700 | | 223 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | CY7C1563 | SRAM-Sincrono, QDR II | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FBGA (15x17) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 400 MHz | Volatile | 72Mbit | SRAM | 4Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | |||||
| MT53B768M64D8BV-062 PESO ES:B TR | - | | 2317 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -30°C ~ 85°C (TC) | - | - | MT53B768 | SDRAM-Mobile LPDDR4 | 1,1 V | - | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 48Gbit | DRAM | 768Mx64 | - | - | ||||
| S99-50306 | - | | 6617 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Massa | Obsoleto | - | Venditore non definito | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||
 | 71V124SA12PHI | - | | 4853 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-SOIC (0,400", larghezza 10,16 mm) | 71V124 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 32-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 12ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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