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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | IS61LPD51236A-250B3-TR | - |  | 3461 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61LPD51236 | SRAM - Quad Port, sincronizzato | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-PBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | |||
 | 6116LA20TPG | - | | 5041 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 24 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116LA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | scaricamento | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 20 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||
 | CY14B101I-SFXI | 14.0000 | | 2457 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | CY14B101 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 46 | 3,4 MHz | Non volatile | 1Mbit | NVSRAM | 128K×8 | I²C | - | ||||
 | 71V67903S75PFGI | 16.2900 | | 67 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V67903 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | Volatile | 9Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||||||
 | SM662GEC-BEST | 30.6000 | | 4386 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-eMMC® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 100 LBGA | SM662 | FLASH-NAND (SLC), FLASH-NAND (TLC) | - | 100 BGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1984-SM662GEC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | eMMC | - | ||||
| S29GL512S12DHE010 | 91.3500 | | 720 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automobilistico, AEC-Q100, GL-S | Vassoio | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (9x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2832-S29GL512S12DHE010 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 6 | Non volatile | 512Mbit | 120 n | FLASH | 64Mx8 | CFI | 60ns | |||
 | AS4C2M32S-6BCN | 4.2400 | | 415 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | AS4C2M32 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1450-AS4C2M32S-6BCN | EAR99 | 8542.32.0002 | 190 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | LVTTL | - | ||
 | ASA5500-CF-512MB-C | 85.0000 | | 19 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-ASA5500-CF-512MB-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1473BV33-133AXC | 1.0000 | | 3412 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NoBL™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | CY7C1473 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | 1 | 133 MHz | Volatile | 72Mbit | 6,5 n | SRAM | 4Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | |||||||
 | IS45S16320D-7BLA1 | 19.4659 | | 2984 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS45S16320 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0032 | 240 | 143 MHz | Volatile | 512Mbit | 5,4 ns | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | - | |||
 | 27C512-200DM/B | 77.0700 | | 7007 | 0.00000000 | Rochester Elettronica, LLC | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 32 CDIP (0,600", 15,24 mm) | 27C512 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CDIP | - | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 512Kbit | 200 n | EPROM | 64K×8 | Parallelo | - | |||||||
| MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 | - | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | ||||||
 | W25N01GWZEIGTR | 2.8012 | | 7608 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25N01 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25N01GWZEIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | Non volatile | 1Gbit | 8 ns | FLASH | 128Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 700 µs | ||
 | IS42S32800B-7TI | - | | 6833 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - | |||
 | GD25VQ80CTIGR | - | | 2523 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | GD25VQ80 | FLASH-NOR | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 3.000 | 104 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 1M x 8 | SPI - I/O quadruplo | 50 µs, 3 ms | ||||
 | IS61VF102418A-6.5B3 | - | | 6047 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61VF102418 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 165-TFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 6,5 n | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||
 | N25Q128A13BSFH0FTR | - | | 2483 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | ||||
| HM6287P-70 | 4.0000 | | 164 | 0.00000000 | Hitachi | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 22-DIP | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 22-PDIP | - | 3277-HM6287P-70 | EAR99 | 8542.32.0041 | 100 | Volatile | 64Kbit | SRAM | 64K×1 | Parallelo | 70ns | Non verificato | |||||||
 | AS7C34096A-10TINTR | 4.5617 | | 4700 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | AS7C34096 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 4Mbit | 10 ns | SRAM | 512K×8 | Parallelo | 10ns | ||||
| GD25VE20CSIG | 0,3045 | | 6545 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Tubo | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | GD25VE20 | FLASH-NOR | 2,1 V ~ 3,6 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 9.500 | 104 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI - I/O quadruplo | - | ||||
| IS49NLS93200A-18WBL | 30.4983 | | 4570 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | IS49NLS93200 | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLS93200A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volatile | 288Mbit | 15 ns | DRAM | 32Mx9 | HSTL | - | ||||
 | CY27C010-55ZC | 2.5700 | | 249 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | CY27C010 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP I | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 1Mbit | 55 ns | EPROM | 128K×8 | Parallelo | - | ||||
 | M95256-DFCS6TP/K | 1.0300 | | 12 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-UFBGA, WLCSP | M95256 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-WLCSP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 20 MHz | Non volatile | 256Kbit | EEPROM | 32K×8 | SPI | 5 ms | ||||
 | AM27C256-120DC | 57.2000 | | 5974 | 0.00000000 | Rochester Elettronica, LLC | * | Massa | Attivo | scaricamento | Venditore non definito | RAGGIUNGERE Interessato | 2156-AM27C256-120DC-2156 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | CY7C025AV-25AXIT | - | | 4521 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | CY7C025 | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.500 | Volatile | 128Kbit | 25 ns | SRAM | 8K×16 | Parallelo | 25ns | ||||
| 70V38VL20PFI8 | - | | 2541 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | - | 800-70V38VL20PFI8TR | 1 | ||||||||||||||||||||||
| NDS38PT5-16ITTR | 2.7110 | | 1907 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | * | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 1982-NDS38PT5-16ITTR | 1.000 | ||||||||||||||||||||
| MT62F768M32D2DS-026 PESO:B TR | 17.6400 | | 5455 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | - | 557-MT62F768M32D2DS-026WT:BTR | 2.000 | ||||||||||||||||||||||
 | MT47H32M16HW-25E:G | - | | 3579 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 84-TFBGA | MT47H32M16 | SDRAM-DDR2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 84-FBGA (8x12,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0028 | 1.000 | 400 MHz | Volatile | 512Mbit | 400 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||
 | GD25LQ256DYIGR | - | | 3379 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | GD25LQ256 | FLASH-NOR | 1,65 V~2 V | 8-WSON (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 3.000 | 120 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 2,4 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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