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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | M27C322-100S1 | - |  | 6377 | 0.00000000 | STMicroelettronica | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 42-SDIP (0,600", 15,24 mm) | M27C322 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 42-SDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 8542.32.0061 | 13 | Non volatile | 32Mbit | 100 n | EPROM | 2Mx16 | Parallelo | - | |||
 | S25FL164K0XMFB000 | - | | 6255 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, FL1-K | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL164 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 3ms | |||
 | S25FL129P0XBHV303 | - | | 5065 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | FL-P | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-TBGA | S25FL129 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24 BGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.500 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 5μs, 3ms | |||
 | IDT71V3556S166BG8 | - | | 7866 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | IDT71V3556 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V3556S166BG8 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | 166 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |
 | 7026S20JI8 | - | | 1862 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-LCC (conduttore J) | 7026S20 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volatile | 256Kbit | 20 ns | SRAM | 16K×16 | Parallelo | 20ns | ||||
| 7025L35PFI | - | | 7618 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 7025L35 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0041 | 90 | Volatile | 128Kbit | 35 ns | SRAM | 8K×16 | Parallelo | 35ns | ||||
 | PAL16R8AJ/883 | 8.6600 | | 198 | 0.00000000 | Semiconduttore nazionale | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A001A2C | 8542.39.0001 | 1 | |||||||||||||||||
 | IDT71V25761SA166BQ | - | | 4276 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IDT71V25761 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V25761SA166BQ | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 166 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |
| 71256S25YGI8 | - | | 9902 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-BSOJ (0,300", larghezza 7,62 mm) | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-SOJ | - | 800-71256S25YGI8TR | 1 | Volatile | 256Kbit | 25 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 25ns | ||||||||
 | IS61DDB21M36C-300M3L | - | | 3251 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61DDB21 | SRAM: sincronismo, DDR II | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 300 MHz | Volatile | 36Mbit | 8,4 nn | SRAM | 1Mx36 | Parallelo | - | ||
| C-2933D4DR8S/16G | 172.2500 | | 3997 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-C-2933D4DR8S/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | AT49BV6416-70TI | - | | 1473 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | AT49BV6416 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 64Mbit | 70 ns | FLASH | 4Mx16 | Parallelo | 15 µs | |||
 | S-93C76AFM-TF-U | 0,2673 | | 2708 | 0.00000000 | ABLIC Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WSSOP, 8-MSOP (0,110", larghezza 2,80 mm) | S-93C76 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TMSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.32.0051 | 4.000 | 2 MHz | Non volatile | 8Kbit | EEPROM | 512×16 | Microfilo | 10 ms | ||||
 | AT24C32D-SSHM-B | 0,4100 | | 2815 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AT24C32 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | AT24C32DSSHMB | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 1 megahertz | Non volatile | 32Kbit | 550 n | EEPROM | 4K×8 | I²C | 5 ms | |
 | IS61QDPB22M18A-333M3L | 71.5551 | | 8467 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | IS61QDPB22 | SRAM-Sincrono, QUADP | 1,71 V ~ 1,89 V | 165-LFBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 105 | 333 MHz | Volatile | 36Mbit | 8,4 nn | SRAM | 2Mx18 | Parallelo | - | ||
| 466440-B21-C | 37,5000 | | 1544 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-466440-B21-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | S29GL128N11FFBR23 | - | | 4956 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | GL-N | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL128 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (13x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 128Mbit | 110 n | FLASH | 16Mx8, 8Mx16 | Parallelo | 110ns | |||
 | FM25C020ULEM8 | - | | 9818 | 0.00000000 | Semiconduttore Fairchild | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | FM25C020 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 2,1 MHz | Non volatile | 2Kbit | EEPROM | 256×8 | SPI | 15 ms | |||
| S34ML04G104BHV010 | - | | 2053 | 0.00000000 | Espansione | ML-1 | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | S34ML04 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-BGA (11x9) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 4Gbit | FLASH | 256Mx16 | Parallelo | 25ns | ||||
 | AS7C34098A-12TINTR | 4.5617 | | 7135 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | AS7C34098 | SRAM-Asincrono | 3 V ~ 3,6 V | 44-TSOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 4Mbit | 12 nn | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 12ns | |||
| AT25M02-SSHD-B | 4.0800 | | 9164 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AT25M02 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 5 MHz | Non volatile | 2Mbit | EEPROM | 256K×8 | SPI | 10 ms | |||
 | AT24C164-10PI-1.8 | - | | 1542 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | AT24C164 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-PDIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | AT24C16410PI1.8 | EAR99 | 8542.32.0051 | 50 | 400 chilocicli | Non volatile | 16Kbit | 900 n | EEPROM | 2K×8 | I²C | 10 ms | |
| C-1600D3QR4LRN/32G-TAA | 273.5000 | | 1611 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-C-1600D3QR4LRN/32G-TAA | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | DS1230AB-85+ | 25.0983 | | 7300 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | Modulo a 28 DIP (0,600", 15,24 mm) | DS1230AB | NVSRAM (SRAM non volatile) | 4,75 V ~ 5,25 V | 28-EDIP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 12 | Non volatile | 256Kbit | 85 ns | NVSRAM | 32K×8 | Parallelo | 85ns | |||
 | 25AA160D-I/ST | 0,7950 | | 7317 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | 25AA160 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 10 MHz | Non volatile | 16Kbit | EEPROM | 2K×8 | SPI | 5 ms | |||
 | BR93A66RFVT-WME2 | 0,8200 | | 3 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP (0,173", larghezza 4,40 mm) | BR93A66 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP-B | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.000 | 2 MHz | Non volatile | 4Kbit | EEPROM | 256×16 | Microfilo | 5 ms | |||
 | AT28BV64B-25SI | - | | 1777 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 28-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | AT28BV64 | EEPROM | 2,7 V ~ 3,6 V | 28-SOIC | scaricamento | RoHS non conforme | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | AT28BV64B25SI | EAR99 | 8542.32.0051 | 26 | Non volatile | 64Kbit | 250 n | EEPROM | 8K×8 | Parallelo | 10 ms | ||
 | IDT6116LA35SOGI | - | | 9909 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | IDT6116 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 6116LA35SOGI | EAR99 | 8542.32.0041 | 310 | Volatile | 16Kbit | 35 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 35ns | |||
 | 7140LA20PF8 | - | | 4422 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | 7140LA | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 64-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatile | 8Kbit | 20 ns | SRAM | 1K x 8 | Parallelo | 20ns | |||
 | N25Q128A13ESEDFG | - | | 9726 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SO | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.800 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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