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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | AS4C1G8D3LA-10BINTR | 22.0115 |  | 3997 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-FBGA (9x10,5) | scaricamento | 3 (168 ore) | 1450-AS4C1G8D3LA-10BINTR | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 8Gbit | 20 ns | DRAM | 1G x 8 | Parallelo | 15ns | |||||||
 | B1S54AA-C | 28.7500 | | 4561 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-B1S54AA-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C199CN-15PC | - | | 1691 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 28 DIP (0,300", 7,62 mm) | CY7C199 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | - | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 256Kbit | 15 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 15ns | ||||
 | MT41J128M16HA-15E AIT:D | - | | 2558 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT41J128M16 | SDRAM-DDR3 | 1.425 V ~ 1.575 V | 96-FBGA (9x14) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.000 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 13,5 ns | DRAM | 128Mx16 | Parallelo | - | ||||
 | MT29F16G08ADACAH4-IT:C | - | | 6310 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F16G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | -MT29F16G08ADACAH4-IT:C | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.260 | Non volatile | 16Gbit | FLASH | 2G×8 | Parallelo | - | ||||
 | 7143LA20PF8 | - | | 5967 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 7143LA | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatile | 32Kbit | 20 ns | SRAM | 2K×16 | Parallelo | 20ns | ||||
 | MT48LC4M16A2P-6 IT:G TR | - | | 6056 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT48LC4M16A2 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.000 | 167 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 4Mx16 | Parallelo | 12ns | |||
| MT29F1T08GBLCEJ4:C | 19.5450 | | 1970 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F1T08GBLCEJ4:C | 1 | ||||||||||||||||||||||
| 71256SA12TPI | - | | 8452 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 28 DIP (0,300", 7,62 mm) | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-PDIP | - | 800-71256SA12TPI | 1 | Volatile | 256Kbit | 12 ns | SRAM | 32K×8 | Parallelo | 12ns | |||||||||
| MT29F2G08ABBFAH4:F | - | | 1309 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.260 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | ||||||
| 70V9159L9PF | - | | 3467 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 70V9159 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 3 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 45 | Volatile | 72Kbit | 9 ns | SRAM | 8K x 9 | Parallelo | - | ||||
 | IS61LPD51236A-250B3LI | 20.9750 | | 2754 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61LPD51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-PBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 144 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | |||
 | RM24C32C-BSNC-B | - | | 9136 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | Mavriq™ | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | RM24C32 | CBRAM | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 1265-1150 | EAR99 | 8542.32.0071 | 98 | 750 chilocicli | Non volatile | 32Kbit | CBRAM® | Dimensione pagina 32 byte | I²C | 100 µs, 5 ms | |||
 | CY62158H-45ZSXI | 11.7425 | | 9719 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | MoBL® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-TSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | CY62158 | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 675 | Volatile | 8Mbit | 45 ns | SRAM | 1M x 8 | Parallelo | 45ns | ||||
 | AT45DB321D-MU-SL955 | - | | 4653 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | Tampone esposto 8-VDFN | AT45DB321 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-VDFN (6x5) | scaricamento | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5.000 | 66 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 512 byte x 8192 pagine | SPI | 6 ms | ||||||
 | IS25WQ020-JULE-TR | - | | 4204 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UFDFN | IS25WQ020 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-USO (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2156-IS25WQ020-JULE-TR | EAR99 | 8542.32.0071 | 1 | 104 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI - I/O quadruplo | 1ms | |||
| MT40A512M8SA-062E:F TR | 8.3250 | | 7717 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 78-FBGA (7,5x11) | scaricamento | 557-MT40A512M8SA-062E:FTR | 2.000 | 1,6GHz | Volatile | 4Gbit | 19 ns | DRAM | 512Mx8 | POD | 15ns | ||||||||
| IS61LPD51236A-250B3-TR | - | | 3461 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IS61LPD51236 | SRAM - Quad Port, sincronizzato | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-PBGA (13x15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 2.000 | 250 MHz | Volatile | 18Mbit | 2,6 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | |||
 | 6116LA20TPG | - | | 5041 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 24 DIP (0,300", 7,62 mm) | 6116LA | SRAM-Asincrono | 4,5 V ~ 5,5 V | 24-PDIP | scaricamento | EAR99 | 8542.32.0041 | 1 | Volatile | 16Kbit | 20 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 20ns | |||||||
 | CY14B101I-SFXI | 14.0000 | | 2457 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | CY14B101 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 46 | 3,4 MHz | Non volatile | 1Mbit | NVSRAM | 128K×8 | I²C | - | ||||
 | 71V67903S75PFGI | 16.2900 | | 67 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71V67903 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 117 MHz | Volatile | 9Mbit | 7,5 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | ||||||
| SM662GEC-BEST | 30.6000 | | 4386 | 0.00000000 | Silicon Motion, Inc. | Ferri-eMMC® | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 100 LBGA | SM662 | FLASH-NAND (SLC), FLASH-NAND (TLC) | - | 100 BGA (14x18) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1984-SM662GEC-BEST | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 512Gbit | FLASH | 64G x 8 | eMMC | - | ||||
| S29GL512S12DHE010 | 91.3500 | | 720 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | Automobilistico, AEC-Q100, GL-S | Vassoio | Attivo | -55°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LBGA | S29GL512 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 64-FBGA (9x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | Informazioni REACH disponibili su richiesta | 2832-S29GL512S12DHE010 | 3A991B1A | 8542.32.0050 | 6 | Non volatile | 512Mbit | 120 n | FLASH | 64Mx8 | CFI | 60ns | |||
 | AS4C2M32S-6BCN | 4.2400 | | 415 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 90-TFBGA | AS4C2M32 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 90-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1450-AS4C2M32S-6BCN | EAR99 | 8542.32.0002 | 190 | 166 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | LVTTL | - | ||
 | ASA5500-CF-512MB-C | 85.0000 | | 19 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-ASA5500-CF-512MB-C | EAR99 | 8473.30.9100 | 1 | |||||||||||||||||||
 | CY7C1473BV33-133AXC | 1.0000 | | 3412 | 0.00000000 | Cypress Semiconductor Corp | NoBL™ | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | CY7C1473 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | 1 | 133 MHz | Volatile | 72Mbit | 6,5 n | SRAM | 4Mx18 | Parallelo | - | Non verificato | |||||||
 | 27C512-200DM/B | 77.0700 | | 7007 | 0.00000000 | Rochester Elettronica, LLC | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Foro passante | 32 CDIP (0,600", 15,24 mm) | 27C512 | EPROM-OTP | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-CDIP | - | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | Non volatile | 512Kbit | 200 n | EPROM | 64K×8 | Parallelo | - | |||||||
| MT29F2G08ABBGAM79A3WC1 | - | | 1216 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 1,7 V ~ 1,95 V | Morire | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | ||||||
 | W25N01GWZEIGTR | 2.8012 | | 7608 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25N01 | FLASH NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 256-W25N01GWZEIGTR | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 4.000 | 104 MHz | Non volatile | 1Gbit | 8 ns | FLASH | 128Mx8 | SPI - I/O quadruplo | 700 µs | ||
 | IS42S32800B-7TI | - | | 6833 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32800 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 108 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 8Mx32 | Parallelo | - |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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