Alleanza Memoria, Inc.

Alliance Memory è un produttore mondiale di prodotti di memoria legacy e di nuova tecnologia che sostituiscono pin per pin i circuiti integrati SRAM, DRAM e NOR FLASH di Micron, Samsung, ISSI, Cypress, Nanya, Hynix e altri. Il loro portafoglio di prodotti comprende una gamma completa di SRAM asincrone da 3,3 V e 5 V utilizzate con i principali processori di segnale digitale (DSP) e microcontrollori; e SRAM sincrone, SRAM a basso consumo, pseudo SRAM, DRAM sincrone (SDR) da 3,3 V, DDR mobili, DRAM sincrone singole (DDR1) da 2,5 V, doppie da 1,8 V (DDR2) e DRAM sincrone da 1,5 V e 1,35 V a tripla velocità (DDR3) e 1,2 V a quadrupla velocità (DDR4), insieme a dispositivi Flash NOR paralleli da 5 V. Un investimento elevato nella matrice del wafer significa che è possibile ridurre al minimo o eliminare le contrazioni della matrice mantenendo prezzi stabili. Il loro obiettivo è stabilire rapporti a lungo termine con i clienti e fornire supporto a lungo termine per le parti che producono. Alliance Memory consegna la maggior parte dei prodotti SRAM, DRAM e FLASH direttamente dal magazzino, con inventario conservato negli Stati Uniti, a Shanghai e Taiwan. I prezzi competitivi, la rapida consegna dei campioni e il servizio e supporto clienti di livello mondiale hanno reso Alliance Memory una risorsa affidabile per una gamma crescente di circuiti integrati di memoria indispensabili per i mercati delle comunicazioni, dell'informatica, embedded, IoT, industriale e di consumo. Alliance Memory, Inc. è una società privata con sede a Kirkland, Washington.