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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | 24C01CT-E/SN | 0,4350 |  | 5079 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | 24C01C | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 24C01CT-E/SN-NDR | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 100 chilocicli | Non volatile | 1Kbit | 3,5 µs | EEPROM | 128×8 | I²C | 1,5 ms | |
 | EDB2432B4MA-1DIT-FD | - | | 2672 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 134-VFBGA | EDB2432 | SDRAM-LPDDR mobile2 | 1,14 V ~ 1,95 V | 134-VFBGA (10x11,5) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 2.100 | 533 MHz | Volatile | 2Gbit | DRAM | 64Mx32 | Parallelo | - | |||
 | IS42S16160D-7BL-TR | - | | 9259 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42S16160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TW-BGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
 | MT29F32G08ABCDBJ4-6ITR:D TR | - | | 2260 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 132-VBGA | MT29F32G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 132-VBGA (12x18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 2.000 | 166 MHz | Non volatile | 32Gbit | FLASH | 4G×8 | Parallelo | - | |||
 | MTFC8GLWDQ-3L AAT Z TR | - | | 2429 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | e•MMC™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 100 LBGA | MTFC8 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 100 LBGA (14×18) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 64Gbit | FLASH | 8G x 8 | MMC | - | |||||
 | IDT71V3577YS85PF | - | | 7042 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V3577 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V3577YS85PF | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Volatile | 4,5 Mbit | 8,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||
 | IDT71V3558S100PFI | - | | 3168 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IDT71V3558 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V3558S100PFI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 100 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 5 nn | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |
 | R1RP0416DGE-2PR#B0 | - | | 3208 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | R1RP0416 | SRAM | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 18 | Volatile | 4Mbit | 12 ns | SRAM | 256K×16 | Parallelo | 12ns | ||||
| CG8275AAT | - | | 4400 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1.000 | |||||||||||||||||
 | MT55L512L18FT-12 | 15.6400 | | 1 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | ZBT® | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | SRAM-ZBT | 3.135 V ~ 3.465 V | 100-TQFP (14x20,1) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | 83 MHz | Volatile | 8Mbit | 9 ns | SRAM | 512K×18 | Parallelo | - | |||
 | IS42SM16160E-6BLI-TR | - | | 1505 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS42SM16160 | SDRAM-Mobile | 2,7 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0024 | 2.500 | 166 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,5 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||
| 93LC56C-I/W15K | - | | 8128 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | Morire | 93LC56 | EEPROM | 2,5 V ~ 5,5 V | Morire | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 5.000 | 3 MHz | Non volatile | 2Kbit | EEPROM | 256×8, 128×16 | Microfilo | 6 ms | |||
 | AT24C64AN-10SU-2.7 | - | | 7528 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AT24C64 | EEPROM | 2,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | AT24C64AN-10SU2.7 | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 chilocicli | Non volatile | 64Kbit | 900 n | EEPROM | 8K×8 | I²C | 5 ms | |
 | S25FL256SDSMFB010 | 10.0800 | | 4 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, FL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL256 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 80 MHz | Non volatile | 256Mbit | FLASH | 32Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | |||
| 7015S17J | - | | 9050 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 68-LCC (conduttore J) | 7015S17 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 68-PLCC (24.21x24.21) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 18 | Volatile | 72Kbit | 17nn | SRAM | 8K x 9 | Parallelo | 17ns | |||
 | 71342SA35J | - | | 2295 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 52-LCC (cavo J) | 71342SA | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 52-PLCC (19.13x19.13) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 24 | Volatile | 32Kbit | 35 ns | SRAM | 4K×8 | Parallelo | 35ns | |||
| C-2400D4DR8N/16G | 150.0000 | | 6628 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-C-2400D4DR8N/16G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
| GD9FS2G8F2ALGI | 4.7455 | | 9013 | 0.00000000 | GigaDevice Semiconductor (HK) limitata | GD9F | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | FLASH-NAND (SLC) | 1,7 V ~ 1,95 V | 63-FBGA (9x11) | scaricamento | 1970-GD9FS2G8F2ALGI | 2.100 | Non volatile | 2Gbit | 20 ns | FLASH | 256Mx8 | ONFI | 25ns | ||||||||
 | AT45DB1282-TI | - | | 7235 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 40-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | AT45DB1282 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 40-TSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 120 | 40 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 1056 byte x 16.384 pagine | SPI | 50 ms | |||
| 709099L12PF | - | | 4818 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 709099L | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 4,5 V ~ 5,5 V | 100-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 6 | Volatile | 1Mbit | 12 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | - | |||
 | N25Q128A13ESFH0E | - | | 1685 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | N25Q128A13 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOP2 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 108 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 32M x 4 | SPI | 8ms, 5ms | |||
 | 7024S15J8 | - | | 7665 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-LCC (conduttore J) | 7024S15 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volatile | 64Kbit | 15 ns | SRAM | 4K×16 | Parallelo | 15ns | |||
 | CY14B256L-SP45XCT | - | | 5973 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-BSSOP (0,295", larghezza 7,50 mm) | CY14B256 | NVSRAM (SRAM non volatile) | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-SSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 1.000 | Non volatile | 256Kbit | 45 ns | NVSRAM | 32K×8 | Parallelo | 45ns | |||
 | A6994473-C | 37.0000 | | 6870 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-A6994473-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||
 | CAT93C76WGI | 0,1400 | | 2 | 0.00000000 | Catalyst Semiconductor Inc. | - | Massa | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | CAT93C76 | EEPROM | 1,8 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | 3 MHz | Non volatile | 8Kbit | EEPROM | 1Kx8, 512x16 | Microfilo | - | |||
 | GS82582Q18GE-333I | 423.0000 | | 1702 | 0.00000000 | GSI Technology Inc. | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 100°C (TJ) | Montaggio superficiale | 165-LBGA | GS82582Q18 | SRAM - Quad Port, sincronizzato | 1,7 V ~ 1,9 V | 165-FPBGA (15x17) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 2364-GS82582Q18GE-333I | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 10 | 333 MHz | Volatile | 288Mbit | SRAM | 16Mx18 | Parallelo | - | ||
 | IDT71V25761YSA183BQI | - | | 9531 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | IDT71V25761 | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 71V25761YSA183BQI | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 136 | 183 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 5,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | |
 | BR93G76FJ-3BGTE2 | - | | 3253 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | BR93G76 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | Non volatile | 8Kbit | EEPROM | 512×16 | Microfilo | 5 ms | |||
| M29F400FB55M3F2TR | - | | 9322 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-SOIC (0,496", larghezza 12,60 mm) | M29F400 | FLASH-NOR | 4,5 V ~ 5,5 V | 44-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | Non volatile | 4Mbit | 55 ns | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | |||
 | 7015L12PF8 | - | | 7654 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 80-LQFP | 7015L12 | SRAM: doppia porta, asincrona | 4,5 V ~ 5,5 V | 80-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatile | 72Kbit | 12 ns | SRAM | 8K x 9 | Parallelo | 12ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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