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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | Tipo di controllore | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M | 12.3100 |  | 3653 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Scatola | Attivo | - | 557-MT29F256G08EBCCGB16E3WC1-M | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | 70V3579S6BF8 | 125.0496 | | 1708 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 208-LFBGA | 70V3579 | SRAM: doppia porta, sincronizzata | 3,15 V ~ 3,45 V | 208-CABGA (15x15) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 1.125Mbit | 6 ns | SRAM | 32K x 36 | Parallelo | - | |||||
 | AS6C1616B-55BINTR | 7.9135 | | 1662 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-LFBGA | AS6C1616 | SRAM-Asincrono | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TFBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1450-AS6C1616B-55BINTR | EAR99 | 8542.32.0041 | 2.000 | Volatile | 16Mbit | 55 nn | SRAM | 1Mx16 | Parallelo | 55ns | ||||
 | 34AA04T-E/MNY | 0,5000 | | 7413 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WFDFN Tampone esposto | 34AA04 | EEPROM | 1,7 V ~ 3,6 V | 8-TDFN (2x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 3.300 | 1 megahertz | Non volatile | 4Kbit | 350 n | EEPROM | 256×8×2 | I²C | 5 ms | ||||
 | DS1211SN+ | - | | 8951 | 0.00000000 | Analog Devices Inc./Maxim Integrated | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 20-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | DS1211 | 4,75 V ~ 5,5 V | 20-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.31.0001 | 37 | RAM non volatile | ||||||||||||
 | IS61LV6416-8KL | - | | 7908 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 44-BSOJ (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS61LV6416 | SRAM-Asincrono | 3,135 V ~ 3,6 V | 44-SOJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 480 | Volatile | 1Mbit | 8 ns | SRAM | 64K x 16 | Parallelo | 8ns | |||||
 | MT29F2G08ABAEAH4-ITE:E | - | | 1690 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 63-VFBGA | MT29F2G08 | FLASH-NAND | 2,7 V ~ 3,6 V | 63-VFBGA (9x11) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1.000 | Non volatile | 2Gbit | FLASH | 256Mx8 | Parallelo | - | |||||||
 | 70V25S25J8 | - | | 5355 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-LCC (conduttore J) | 70V25S | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 200 | Volatile | 128Kbit | 25 ns | SRAM | 8K×16 | Parallelo | 25ns | |||||
| M29W400FB5AN6FTR | - | | 4606 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | M29W400 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | EAR99 | 8542.32.0071 | 1.500 | Non volatile | 4Mbit | 55 nn | FLASH | 512K x 8, 256K x 16 | Parallelo | 55ns | ||||||
| 7130L20C | - | | 8294 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Acquisto per l'ultima volta | - | 800-7130L20C | 1 | |||||||||||||||||||||||
 | S28HL01GTFPBHI030 | 22.9700 | | 2 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | HL-T | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 24-VBGA | S28HL01 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 24-FBGA (6x8) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 260 | 166 MHz | Non volatile | 1 Gbit | FLASH | 128Mx8 | SPI - I/O ottale | - | |||||
 | 71T75902S75PFGI | 43.2522 | | 8269 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71T75902 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 100-TQFP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | Volatile | 18Mbit | 7,5 ns | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | |||||
 | 71T75602S166PFG | 22.9128 | | 7088 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Vassoio | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | 71T75602 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 2.375 V~2.625 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 166 MHz | Volatile | 18Mbit | 3,5 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||||
 | W25Q128FVPIQ TR | - | | 4728 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Interrotto alla SIC | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25Q128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-WSON (6x5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 50 µs, 3 ms | |||||
| IS49NLC96400A-18WBL | 52.0065 | | 8723 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 144-TFBGA | RLDRAM2 | 1,7 V ~ 1,9 V | 144-TWBGA (11x18,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS49NLC96400A-18WBL | 104 | 533 MHz | Volatile | 576Mbit | 15 ns | DRAM | 64Mx9 | HSTL | - | ||||||
 | 71V35761S166BGGI | - | | 2436 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 119-BGA | 71V35761S | SRAM: sincronismo, SDR | 3.135 V ~ 3.465 V | 119-PBGA (14x22) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 84 | 166 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 128K x 36 | Parallelo | - | ||||||
 | W25Q128FWEIG | - | | 3458 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-WDFN Tampone esposto | W25Q128 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 8-WSON (8x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 63 | 104 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60μs, 5ms | |||||
 | BR93G86FJ-3AGTE2 | 0,7000 | | 2 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | BR93G86 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOP-J | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 3 MHz | Non volatile | 16Kbit | EEPROM | 1K x 16 | Microfilo | 5 ms | |||||
| MEM-DR432L-CL01-LR24-C | 140.0000 | | 4624 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-MEM-DR432L-CL01-LR24-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | BR24G32FVJ-3GTE2 | 0,3700 | | 90 | 0.00000000 | Semiconduttore Rohm | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-TSSOP, 8-MSOP (0,118", larghezza 3,00 mm) | BR24G32 | EEPROM | 1,6 V ~ 5,5 V | 8-TSSOP-BJ | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 2.500 | 400 chilocicli | Non volatile | 32Kbit | EEPROM | 4K×8 | I²C | 5 ms | |||||
| C-2400D4DR4RN/8G | 212.5000 | | 2424 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-C-2400D4DR4RN/8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
 | NDL46PFP-9MIT | 12.2500 | | 660 | 0.00000000 | Insignis Technology Corporation | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | NDL46 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (7,5x13,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1982-NDL46PFP-9MIT | EAR99 | 8542.32.0036 | 209 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | |||
 | CAT24C08WI-G | - | | 8541 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | CAT24C08 | EEPROM | 1,7 V ~ 5,5 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | CAT24C08WIG | EAR99 | 8542.32.0051 | 100 | 400 chilocicli | Non volatile | 8Kbit | 900 n | EEPROM | 1K x 8 | I²C | 5 ms | |||
 | C-2400D4SR8N/8G | 38.0000 | | 5171 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-C-2400D4SR8N/8G | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
| PCA24S08AD112 | - | | 6572 | 0.00000000 | NXP USA Inc. | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | EAR99 | 8542.32.0051 | 1 | |||||||||||||||||||
 | IS61VPS25636A-200TQLI-TR | 12.7500 | | 7454 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61VPS25636 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatile | 9Mbit | 3,1 ns | SRAM | 256K x 36 | Parallelo | - | ||||
| S26361-F4026-E632-C | 130.0000 | | 7786 | 0.00000000 | ProLab | * | Confezione al dettaglio | Attivo | - | Conforme alla direttiva RoHS | 4932-S26361-F4026-E632-C | EAR99 | 8473.30.5100 | 1 | ||||||||||||||||||||
| S34ML08G201BHI000 | - | | 4691 | 0.00000000 | Memoria SkyHigh limitata | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | S34ML08 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | 2120-S34ML08G201BHI000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Non verificato | |||||||||||||||||
 | 71V3558SA166BQG | - | | 9585 | 0.00000000 | IDT, Integrated Device Technology Inc | - | Massa | Attivo | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 165-TBGA | 71V3558 | SRAM-Sincrono, SDR (ZBT) | 3.135 V ~ 3.465 V | 165-CABGA (13x15) | scaricamento | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 17 | 166 MHz | Volatile | 4,5 Mbit | 3,5 ns | SRAM | 256K×18 | Parallelo | - | |||||||
 | MB85AS4MTPF-G-BCERE1 | - | | 7055 | 0.00000000 | Kaga FEI America, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | MB85AS4 | ReRAM (RAM resistiva) | 1,65 V ~ 3,6 V | 8-SOP | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 500 | 5 MHz | Non volatile | 4Mbit | RAM | 512K×8 | SPI | 17 ms |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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