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Memoria (70500)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | SIC programmabile | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Frequenza dell'orologio | Tipo programmabile | Tipo di memoria | Dimensioni della memoria | Orario di accesso | Formato memoria | Organizzazione della memoria | Interfaccia di memoria | Scrivi il tempo del ciclo: parola, pagina | Tipo di controllore | SIC programmabile |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | S34ML04G204BHI010Z | 7.1200 |  | 153 | 0.00000000 | Espansione | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 1 | |||||||||||||||||||||
 | AT45DB081D-SU-SL954 | - | | 5672 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | - | Massa | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | AT45DB081 | FLASH | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.32.0071 | 90 | 66 MHz | Non volatile | 8Mbit | FLASH | 256 byte x 4096 pagine | SPI | 4 ms | |||||||||
 | DP8422AV-25 | 14.1400 | | 1 | 0.00000000 | Semiconduttore nazionale | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C | Montaggio superficiale | 84-LCC (conduttore J) | 4,5 V ~ 5,5 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | scaricamento | RoHS non conforme | EAR99 | 8542.31.0001 | 15 | RAM dinamica (DRAM) | |||||||||||||||||
 | S29AL016J70BFN010 | 2.5979 | | 4274 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | AL-J | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-VFBGA | S29AL016 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 48-FBGA (8,15x6,15) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 676 | Non volatile | 16Mbit | 70 ns | FLASH | 2Mx8, 1Mx16 | Parallelo | 70ns | |||||||
 | IS43TR82560BL-15HBLI | - | | 4670 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 78-TFBGA | IS43TR82560 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 78-TWBGA (8x10,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 242 | 667 MHz | Volatile | 2Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx8 | Parallelo | 15ns | ||||||
 | AT25DF021-MHF-Y | - | | 9339 | 0.00000000 | Tecnologie Adesto | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 8-UDFN | AT25DF021 | FLASH | 2,3 V ~ 3,6 V | 8-UDFN (5x6) | scaricamento | 3 (168 ore) | AT25DF021-MHF-YAD | EAR99 | 8542.32.0071 | 490 | 50 MHz | Non volatile | 2Mbit | FLASH | 256K×8 | SPI | 7μs, 5ms | ||||||||
 | AT49F001NT-90VI | - | | 9196 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TC) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,488", larghezza 12,40 mm) | AT49F001 | FLASH | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-VSOP | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | AT49F001NT90VI | EAR99 | 8542.32.0071 | 208 | Non volatile | 1Mbit | 90 ns | FLASH | 128K×8 | Parallelo | 50 µs | ||||||
 | AT17LV002-10JU | 24.0200 | | 7107 | 0.00000000 | Tecnologia del microchip | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 85°C | Montaggio superficiale | 20-LCC (cavo J) | AT17LV002 | Non verificato | 3 V ~ 3,6 V, 4,5 V ~ 5,5 V | 20-PLCC (9x9) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | AT17LV00210JU | 3A991B1B1 | 8542.32.0051 | 48 | EEPROM seriale | 2Mb | |||||||||||
 | IS45S16160D-7BLA2-TR | - | | 5925 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 105°C (TA) | Montaggio superficiale | 54-TFBGA | IS45S16160 | SDRAM | 3 V ~ 3,6 V | 54-TFBGA (8x13) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.500 | 143 MHz | Volatile | 256Mbit | 5,4 ns | DRAM | 16Mx16 | Parallelo | - | ||||||
 | W25Q32FWSFIG TR | - | | 2994 | 0.00000000 | Elettronica Winbond | SpiFlash® | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | W25Q32 | FLASH-NOR | 1,65 V ~ 1,95 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 5.000 | 104 MHz | Non volatile | 32Mbit | FLASH | 4M x 8 | SPI - Quad I/O, QPI | 60μs, 5ms | |||||||
 | QG82910GMLE | 22.2200 | | 86 | 0.00000000 | Intel | - | Massa | Attivo | - | Montaggio superficiale | 1257-BBGA, FCBGA | 1 V ~ 1,1 V, 1,425 V ~ 1,575 V | 1257-FCBGA (40x37,5) | scaricamento | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 0000.00.0000 | 1 | Controller grafico e di memoria | ||||||||||||||||
 | S25FL128SAGMFA000 | 5.6600 | | 4552 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | FL-S | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | S25FL128 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 240 | 133 MHz | Non volatile | 128Mbit | FLASH | 16Mx8 | SPI - I/O quadruplo | - | |||||||
 | MT40A512M16JY-075E AIT:B | - | | 6640 | 0.00000000 | Micron Technology Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Obsoleto | -40°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | MT40A512M16 | SDRAM-DDR4 | 1,14 V ~ 1,26 V | 96-FBGA (8x14) | scaricamento | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0036 | 1.368 | 1,33GHz | Volatile | 8Gbit | DRAM | 512Mx16 | Parallelo | - | |||||||||
 | UPD46365362BF1-E33-EQ1-A | 60.1500 | | 352 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | * | Massa | Attivo | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 1 | |||||||||||||||||||||
| S99FL132KI010 | - | | 3718 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Obsoleto | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | |||||||||||||||||||||
| NH82815 | - | | 7739 | 0.00000000 | Intel | * | Massa | Attivo | - | Non applicabile | 3 (168 ore) | Venditore non definito | 360 | |||||||||||||||||||||||
 | 70V24S55J | - | | 8134 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Tubo | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 84-LCC (conduttore J) | 70V24S | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 84-PLCC (29.31x29.31) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 15 | Volatile | 64Kbit | 55 ns | SRAM | 4K×16 | Parallelo | 55ns | |||||||
 | S25FL064LABMFM010 | 4.2000 | | 27 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | Automobilistico, AEC-Q100, FL-L | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,209", larghezza 5,30 mm) | S25FL064 | FLASH-NOR | 2,7 V ~ 3,6 V | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 280 | 108 MHz | Non volatile | 64Mbit | FLASH | 8Mx8 | SPI - Quad I/O, QPI | - | |||||||
 | 71V321L35PF8 | - | | 8154 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 64-LQFP | 71V321L | SRAM: doppia porta, asincrona | 3 V ~ 3,6 V | 64-TQFP (14x14) | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0041 | 750 | Volatile | 16Kbit | 35 ns | SRAM | 2K×8 | Parallelo | 35ns | |||||||
| AS4C256M16D3LB-10BCNTR | - | | 5219 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 95°C (TC) | Montaggio superficiale | 96-TFBGA | AS4C256 | SDRAM-DDR3L | 1,283 V ~ 1,45 V | 96-FBGA (13,5x9) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 1450-AS4C256M16D3LB-10BCNTR | OBSOLETO | 2.000 | 933 MHz | Volatile | 4Gbit | 20 ns | DRAM | 256Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||||
 | IS61NVP51236B-200TQLI-TR | 14.2500 | | 3178 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | IS61NVP51236 | SRAM: sincronismo, SDR | 2.375 V~2.625 V | 100-LQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 800 | 200 MHz | Volatile | 18Mbit | 3 ns | SRAM | 512K x 36 | Parallelo | - | ||||||
 | IS42S32200C1-7T-TR | - | | 7462 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 86-TFSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | IS42S32200 | SDRAM | 3,15 V ~ 3,45 V | 86-TSOP II | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0002 | 1.500 | 143 MHz | Volatile | 64Mbit | 5,5 ns | DRAM | 2Mx32 | Parallelo | - | ||||||
 | IS65WV1288FBLL-55CTLA3 | - | | 3333 | 0.00000000 | ISSI, soluzione integrata di silicio Inc | Automobilistico, AEC-Q100 | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | IS65WV1288 | SRAM: sincronizzato | 2,2 V ~ 3,6 V | 32-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 706-IS65WV1288FBLL-55CTLA3 | EAR99 | 8542.32.0041 | 156 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 55ns | ||||||
 | CY7C1383KV33-133AXI | 33.2900 | | 6047 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | - | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 100-LQFP | CY7C1383 | SRAM: sincronismo, SDR | 3,135 V ~ 3,6 V | 100-TQFP (14x20) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | 3A991B2A | 8542.32.0041 | 72 | 133 MHz | Volatile | 18Mbit | 6,5 n | SRAM | 1Mx18 | Parallelo | - | ||||||
 | MT46V32M16TG-5B IT:JTR | - | | 8705 | 0.00000000 | Alleanza Memoria, Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 66-TSSOP (0,400", larghezza 10,16 mm) | MT46V32M16 | SDRAM-DDR | 2,5 V ~ 2,7 V | 66-TSOP II | scaricamento | RoHS non conforme | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0028 | 2.000 | 200 MHz | Volatile | 512Mbit | 700 CV | DRAM | 32Mx16 | Parallelo | 15ns | ||||||
 | CAT28C256H1315 | - | | 8428 | 0.00000000 | onsemi | - | Vassoio | Obsoleto | 0°C ~ 70°C (TA) | Montaggio superficiale | 28-TSSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | CAT28C256 | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 28-TSOP | scaricamento | 2 (1 anno) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 234 | Non volatile | 256Kbit | 150 n | EEPROM | 32K×8 | Parallelo | 5 ms | ||||||||
 | NM24C02IT | - | | 1918 | 0.00000000 | onsemi | - | Tubo | Obsoleto | -40°C ~ 85°C (TA) | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | NM24C02 | EEPROM | 4,5 V ~ 5,5 V | 8-DIP | scaricamento | RoHS non conforme | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0051 | 40 | 100 chilocicli | Non volatile | 2Kbit | 3,5 µs | EEPROM | 256×8 | I²C | 10ms | ||||||
 | S29AL008J55TFNR10 | 3.1200 | | 8739 | 0.00000000 | Tecnologie Infineon | AL-J | Vassoio | Attivo | -40°C ~ 125°C (TA) | Montaggio superficiale | 48-TFSOP (0,724", larghezza 18,40 mm) | S29AL008 | FLASH-NOR | 3 V ~ 3,6 V | 48-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8542.32.0071 | 96 | Non volatile | 8Mbit | 55 ns | FLASH | 1Mx8, 512Kx16 | Parallelo | 55ns | |||||||
| S34ML04G100BHV000 | - | | 4107 | 0.00000000 | Memoria SkyHigh limitata | - | Vassoio | Interrotto alla SIC | S34ML04 | - | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | 2120-S34ML04G100BHV000 | 3A991B1A | 8542.32.0071 | 210 | Non verificato | |||||||||||||||||||
 | R1LP0108ESA-5SI#S1 | 3.0700 | | 5895 | 0.00000000 | Renesas Electronics America Inc | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 85°C (TA) | Montaggio superficiale | 32-TFSOP (0,465", larghezza 11,80 mm) | R1LP0108 | SRAM | 4,5 V ~ 5,5 V | 32-TSOP I | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 3A991B2B | 8542.32.0041 | 1.000 | Volatile | 1Mbit | 55 ns | SRAM | 128K×8 | Parallelo | 55ns |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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