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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tensione - Ingresso Stile di terminazione Tipo di uscita Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Resistenza allo stato attivo (max) Circuito Tensione - Carico Carica corrente
TLP220A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP220A(F) -
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ECAD 4514 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP220A Tubo Obsoleto Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP220 1,63 VCC Perno del PC CA, CC 4-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP220AF EAR99 8536.41.0030 100 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 500 mA
TLP3475SRHA4(TPE Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475SRHA4(TPE 21.5100
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ECAD 7647 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3475S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 16-LDFN 1,5 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON16T (2x6,25) scaricamento 3 (168 ore) EAR99 8541.49.8000 500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 250 mA
TLP4590A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A(F 3.6500
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ECAD 8265 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4590A Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 1,27 V CC - CA, CC 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP4590A(F 50 600 mOhm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~60 V 1,2A
TLP197GA(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP197GA(TP,F) 1.3133
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ECAD 2190 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP197GA Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TLP197 1,15 V CC Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~400 V 120 mA
TLP3546A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3546A(F 4.0100
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ECAD 1521 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3546A Tubo Attivo Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP3546 1,64 Vcc Perno del PC CA, CC 6-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP3546A(F(O EAR99 8536.41.0030 50 80 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 3,5 A
TLP241A(D4,LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A(D4,LF1,F 2.1600
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ECAD 2277 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241A Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP241 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 100 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 2A
TLP172GM(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP172GM(E 1.9500
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ECAD 3713 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP172GM Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori TLP172 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 125 50 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~350 V 110 mA
TLP3412(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3412(TP,F 4.0700
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ECAD 71 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3412 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,096", 2,45 mm) TLP3412 1,27 V CC Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-VSON (1,45x2,45) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 3.000 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 400 mA
TLP170J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP170J(F) 1.4600
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ECAD 419 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP170J Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP170 1,15 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TLP170JF EAR99 8536.41.0030 100 60 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~600 V 90 mA
TLP3100(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3100(TP,F) -
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ECAD 3913 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TLP3100 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 50 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~20 V 2,5 A
TLP241A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A(D4,TP1,F 2.1600
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ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP241 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 1.500 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 2A
TLP3131(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3131(F) -
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ECAD 5731 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3131 Tubo Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP3131 1,15 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP3131F EAR99 8536.41.0030 100 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~20 V 300 mA
TLP240A(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A(LF1,F 1.8800
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ECAD 100 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP240A Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP240 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP240A(LF1F EAR99 8536.41.0030 100 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 500 mA
TLP209D(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP209D(F) 2.9000
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ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP209D Massa Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP209 1,15 V CC Ala di gabbiano CA, CC 8-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP209DF EAR99 8536.41.0030 50 50 Ohm SPST-NO (1 modulo A) x 2 0 V~200 V 50 mA
TLP3106(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3106(F -
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ECAD 6627 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3106 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 75 40 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 4A
TLP3107(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3107(F 3.9800
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ECAD 1706 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3107 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 75 60 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 3,3 A
TLP4206G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP4206G(F) 3.2000
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ECAD 2707 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4206G Massa Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP4206 1,15 V CC Ala di gabbiano CA, CC 8-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP4206GF EAR99 8536.41.0030 50 25 Ohm SPST-NC (1 modulo B) x 2 0 V~350 V 120 mA
TLP223J(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP223J(D4TP1,F 1.6600
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ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD - 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 60 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~600 V 90 mA
TLP3825(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825(LF1,F 8.0700
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ECAD 4197 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3825 Tubo Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 1,64 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 50 500 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 1,5 A
TLP4590A(D4TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A(D4TP1,F 3.6500
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ECAD 9736 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4590A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SMD (0,300", 7,62 mm) 1,1 ~ 1,4 VCC Scheda SMD (SMT). CA, CC 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) 1.500 600 mOhm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~60 V 1,2A
TLP3825(LF5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3825(LF5,F 8.0700
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ECAD 3195 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3825 Tubo Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 1,64 Vcc N/R CA, CC 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 50 500 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 1,5 A
TLP241A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241A(TP1,F 1.8500
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ECAD 110 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP241 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 2A
TLP172AM(E Toshiba Semiconductor and Storage TLP172AM(E 1.9200
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ECAD 70 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP172AM Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori TLP172 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 125 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 500 mA
TLP206GA(V4-TPR,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP206GA(V4-TPR,F) 1.8386
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ECAD 1400 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP206GA Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP206 1,15 V CC Ala di gabbiano CA, CC 8-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP206GA(V4-TPRF) EAR99 8536.41.0030 2.500 35 Ohm SPST-NO (1 modulo A) x 2 0 V~400 V 120 mA
TLP240GA(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240GA(F 1.8800
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ECAD 85 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP240GA Tubo Attivo Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP240 1,27 V CC Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 100 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~400 V 120 mA
TLP222G-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP222G-2(F) -
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ECAD 6081 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP222G-2 Tubo Obsoleto Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP222 1,15 V CC Perno del PC CA, CC 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 50 50 Ohm SPST-NO (1 modulo A) x 2 0 V~350 V 120 mA
TLP172A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP172A(F) -
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ECAD 1956 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP172A Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP172 1,15 V CC Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 100 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 400 mA
TLP3406SRL(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRL(TP,E 6.7300
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ECAD 5849 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3406S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3406 1,2 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON4T scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 2.500 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 1,5 A
TLP170AM(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP170AM(TPL,E 1.3400
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ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP170AM Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori TLP170 1,27 V CC Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP (2,54 mm) - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 5A991G 8541.49.8000 3.000 300 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 700mA
TLP3406S(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406S(TP,E 5.2900
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ECAD 7972 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3406S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3406 1,21 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-S-VSON scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 2.500 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 1,5 A
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock