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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tensione - Ingresso | Stile di terminazione | Tipo di uscita | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Resistenza allo stato attivo (max) | Circuito | Tensione - Carico | Carica corrente |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP3122A(TPL,E | 2.0200 |  | 1750 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3122A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP3122 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 250 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1,4A | ||
 | TLP4590A(TP5,F | 3.6500 | | 4333 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,1 ~ 1,4 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | 1.500 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||||
 | TLP3406SRH(TP,E | 6.7300 | | 43 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3406S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3406 | 1,4 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 1,5 A | ||
 | TLP3118(F) | - | | 1893 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3118 | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP3118 | 1,15 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3118F | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 16 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~80 V | 40 mA | |
 | TLP3341(TP15,F) | 3.9500 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3341 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,128", 3,25 mm) | TLP3341 | 1,15 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-USOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 10 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 140 mA | ||
| TLP176AM(E | 1.4400 | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP176AM | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP176 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP176AM(E(O | EAR99 | 8536.41.0030 | 125 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 700mA | |
 | TLP3109A(TP,F | 4.9400 | | 4 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3109A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP3109 | 1,65 VCC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 65 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3A | |||
| TLP3149(F | 3.6700 | | 100 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3149 | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | 1,65 VCC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP3149(F | EAR99 | 8536.49.0055 | 100 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 1,5 A | |||
 | TLP4590AF(F | 3.6500 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590AF | Tubo | Attivo | Foro passante | 6 DIP (0,400", 10,16 mm) | 1,27 Vcc | - | CA, CC | 6-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP4590AF(F | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||||
 | TLP4590A(D4LF5,F | 3.6500 | | 50 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||||||
 | TLP3407SRA(TP,E | 7.4000 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3407S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3407 | 1,2 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 300 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1A | |||
| TLP3823F(LF4,F | 8.0700 | | 3503 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3823F | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 1,64 Vcc | N/R | CA, CC | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 50 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3A | ||||
 | TLP4590A(D4LF1,F | 3.6500 | | 37 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD (0,300", 7,62 mm) | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||||
| TLP4590AF(D4TP4F | 4.4400 | | 5076 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,27 Vcc | N/R | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.000 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | ||||
 | TLP4006G(F) | 2.6700 | | 618 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4006G | Tubo | Attivo | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP4006 | 1,15 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP4006GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 25 Ohm | SPST-NO + SPST-NC (1 Modulo A e B) | 0 V~350 V | 120 mA | |
| TLP241B(D4,F | 3.2000 | | 3417 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241B | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | 1,65 VCC | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 100 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 2A | ||||
| TLP3406SRHA(TPE | 6.0600 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3406SRHA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | 0,8 ~ 3 Vcc | - | CA, CC | S-VSON4T (2x1,45) | scaricamento | 1 (illimitato) | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 1,5 A | ||||||
| TLP176GA(TP,F) | - | | 1354 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP176GA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP176 | 1,15 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~400 V | 120 mA | ||
| TLP3407SR(TP,E | 6.7300 | | 4673 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-LDFN | 1,2 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T (2x1,45) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 300 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1A | |||
 | TLP3451(TP,F | 4.0700 | | 795 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3451 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3451 | 1,27 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 15 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 120 mA | ||
| TLP3403(TP,F | 4.0400 | | 18 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3403 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3403 | 1,27 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 220 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 1A | ||
| TLP179D(F) | 1.3500 | | 3999 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP179D | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP179 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP179DF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~200 V | 50 mA | |
 | TLP4197G(TP,F) | 0,8749 | | 3376 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4197G | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP4197 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 25 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~350 V | 120 mA | ||
| TLP206GA(TP,F) | 1.8386 | | 8168 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP206GA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP206 | 1,15 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 8-SOP (2,54mm) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP206GA(TPF) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 35 Ohm | SPST-NO (1 modulo A) x 2 | 0 V~400 V | 120 mA | |
| TLP3122A(E | 2.0200 | | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3122A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori | TLP3122 | 1,27 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3122A(E(O | EAR99 | 8536.41.0030 | 125 | 250 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 1,4A | |
| TLP3442(TP,F | 4.0700 | | 8 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3442 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3442 | 1,27 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 20 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 100 mA | ||
| TLP171A(TP,F | 1.6600 | | 228 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP171A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP171 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 400 mA | ||
| TLP4227G-2(F) | 3.0000 | | 48 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4227G-2 | Tubo | Attivo | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP4227 | 1,15 V CC | Perno del PC | CA, CC | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 25 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) x 2 | 0 V~350 V | 150 mA | ||
| TLP3119(F) | - | | 7697 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3119 | Massa | Acquisto per l'ultima volta | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP3119 | 1,15 V CC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3119F | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~80 V | 200 mA | |
| TLP3475(TP,F | 4.0700 | | 27 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3475 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3475 | 1,27 V CC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~50 V | 300 mA |
2000+
Volume medio giornaliero delle richieste di offerta
30.000.000
Unità di prodotto standard
2800+
Produttori mondiali
15.000 mq2
Magazzino in stock
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