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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tensione - Ingresso Stile di terminazione Tipo di uscita Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Resistenza allo stato attivo (max) Circuito Tensione - Carico Carica corrente
TLP3431(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3431(TP,F 4.2500
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ECAD 2885 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3431 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,096", 2,45 mm) TLP3431 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-VSON (1,45x2,45) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 3.000 1,2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~20 V 450 mA
TLP4227G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP4227G(F) 1.6600
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ECAD 10 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4227G Tubo Attivo Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP4227 1,15 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP4227GF EAR99 8536.41.0030 100 25 Ohm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~350 V 150 mA
TLP3306(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3306(TP15,F 4.5600
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ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3306 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,128", 3,25 mm) TLP3306 1,15 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-USOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 1.500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~75 V 400 mA
TLP4590A(D4LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590A(D4LF1,F 3.6500
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ECAD 37 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4590A Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SMD (0,300", 7,62 mm) 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 6-SMD scaricamento EAR99 8541.49.8000 50 600 mOhm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~60 V 1,2A
TLP171D(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP171D(TP,F 0,9166
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ECAD 5978 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP171D Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP171 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TLP171D(TPF EAR99 8536.41.0030 2.500 8 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 200 mA
TLP222G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP222G(F) -
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ECAD 8973 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP222G Tubo Obsoleto Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP222 1,15 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 100 50 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~350 V 120 mA
TLP176G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP176G(F) -
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ECAD 8009 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP176G Tubo Obsoleto Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP176 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP176GF EAR99 8536.41.0030 100 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~350 V 120 mA
TLP3406SRH(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3406SRH(TP,E 6.7300
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ECAD 43 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3406S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3406 1,4 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON4T scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 2.500 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 1,5 A
TLP171D(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP171D(F 1.6600
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ECAD 90 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP171D Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP171 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 100 8 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 200 mA
TLP4197G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP4197G(F) 1.6000
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ECAD 75 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4197G Massa Attivo Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TLP4197 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP4197GF EAR99 8536.41.0030 75 25 Ohm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~350 V 120 mA
TLP3543A(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3543A(TP1,F 4.0300
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ECAD 951 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3543A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP3543 1,64 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.49.0055 1.500 40 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 5A
TLP4590AF(D4LF4F Toshiba Semiconductor and Storage TLP4590AF(D4LF4F 4.4400
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ECAD 7991 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage - Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano 1,27 Vcc N/R CA, CC 6-SMD scaricamento 1 (illimitato) 264-TLP4590AF(D4LF4F EAR99 8536.41.0030 50 600 mOhm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~60 V 1,2A
TLP227G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP227G(F) -
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ECAD 4012 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP227G Tubo Obsoleto Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP227 1,15 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP227GF EAR99 8536.41.0030 100 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~350 V 120 mA
TLP3217(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3217(TP15,F) -
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ECAD 3514 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3217 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, conduttori piatti TLP3217 1,15 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-SSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 1.500 12 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~80 V 120 mA
TLP240J(LF1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240J(LF1,F 1.9500
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ECAD 8620 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP240J Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP240 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 100 60 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~600 V 90 mA
TLP3553A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3553A(F 3.2500
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ECAD 121 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3553A Tubo Attivo Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP3553 1,64 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP3553A(F(O EAR99 8536.41.0030 100 50 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 4A
TLP220J(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP220J(F) -
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ECAD 5336 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP220J Tubo Obsoleto Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP220 1,63 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP220JF EAR99 8536.41.0030 100 60 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~600 V 90 mA
TLP240A(D4,TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240A(D4,TP1,F 1.3300
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ECAD 3317 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP240A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) 1,1 ~ 1,4 VCC Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-SMD scaricamento 1.500 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 500 mA
TLP3823(TP5,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3823(TP5,F 8.0700
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ECAD 1 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3823 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 1,64 Vcc N/R CA, CC 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 1.500 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 3A
TLP3554(LF1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3554(LF1,F) 3.2500
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ECAD 4072 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3554 Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP3554 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile TLP3554(LF1F) EAR99 8536.41.0030 100 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 2,5 A
TLP3149(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3149(TP,F 3.6700
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ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3149 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano 1,65 VCC Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 2.500 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 1,5 A
TLP3106(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3106(TP,F -
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ECAD 2294 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3106 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 40 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 4A
TLP240GA(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240GA(TP1,F 1.8800
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ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP240GA Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP240 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~400 V 120 mA
TLP241AF(TP4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP241AF(TP4,F 2.8100
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ECAD 9 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP241AF Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,400", 10,16 mm) TLP241 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP241AF(TP4FCT EAR99 8536.41.0030 1.000 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 2A
TLP3412SRH(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3412SRH(TP,E 6.7300
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ECAD 7 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3412S Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,079", 2,00 mm) TLP3412 1,5 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC S-VSON4T scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.49.0055 2.500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 400 mA
TLP174G(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP174G(TP,F) 0,8333
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ECAD 9060 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP174G Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP174 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~350 V 120 mA
TLP3450(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3450(TP,F 4.1100
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ECAD 668 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3450 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,096", 2,45 mm) TLP3450 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-VSON (1,45x2,45) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 3.000 5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~20 V 200 mA
TLP3106A(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3106A(TP,F 4.5900
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ECAD 5 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3106A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3106 1,65 VCC Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.49.8000 2.500 30 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~30 V 4,5 A
TLP3823(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3823(TP1,F 8.0700
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ECAD 920 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3823 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP3823 1,64 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 3A
TLP3475W(TP,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475W(TP,E 7.3000
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ECAD 3616 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3475 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,096", 2,45 mm) 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). DC 4-VSON (1,45x2,45) - Conformità ROHS3 3 (168 ore) 3.000 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~50 V 300 mA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock