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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tensione - Ingresso | Stile di terminazione | Tipo di uscita | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Resistenza allo stato attivo (max) | Circuito | Tensione - Carico | Carica corrente |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | TLP3431(TP,F | 4.2500 | ![]() | 2885 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3431 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3431 | 1,27 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 1,2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 450 mA | ||
![]() | TLP4227G(F) | 1.6600 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4227G | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP4227 | 1,15 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP4227GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 25 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~350 V | 150 mA | |
![]() | TLP3306(TP15,F | 4.5600 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3306 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,128", 3,25 mm) | TLP3306 | 1,15 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-USOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~75 V | 400 mA | ||
| TLP4590A(D4LF1,F | 3.6500 | ![]() | 37 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4590A | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD (0,300", 7,62 mm) | 1,27 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | ||||||
![]() | TLP171D(TP,F | 0,9166 | ![]() | 5978 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP171D | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP171 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | TLP171D(TPF | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 8 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~200 V | 200 mA | |
![]() | TLP222G(F) | - | ![]() | 8973 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP222G | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP222 | 1,15 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 120 mA | ||
![]() | TLP176G(F) | - | ![]() | 8009 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP176G | Tubo | Obsoleto | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP176 | 1,15 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP176GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 120 mA | |
![]() | TLP3406SRH(TP,E | 6.7300 | ![]() | 43 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3406S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3406 | 1,4 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 1,5 A | ||
![]() | TLP171D(F | 1.6600 | ![]() | 90 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP171D | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP171 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 8 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~200 V | 200 mA | ||
![]() | TLP4197G(F) | 1.6000 | ![]() | 75 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP4197G | Massa | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | TLP4197 | 1,15 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP (2,54 mm) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP4197GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 75 | 25 Ohm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~350 V | 120 mA | |
| TLP3543A(TP1,F | 4.0300 | ![]() | 951 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3543A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP3543 | 1,64 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8536.49.0055 | 1.500 | 40 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 5A | |||
![]() | TLP4590AF(D4LF4F | 4.4400 | ![]() | 7991 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SMD, Ala di gabbiano | 1,27 Vcc | N/R | CA, CC | 6-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP4590AF(D4LF4F | EAR99 | 8536.41.0030 | 50 | 600 mOhm | SPST-NC (1 modulo B) | 0 V~60 V | 1,2A | |||
![]() | TLP227G(F) | - | ![]() | 4012 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP227G | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP227 | 1,15 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP227GF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 120 mA | |
![]() | TLP3217(TP15,F) | - | ![]() | 3514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3217 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, conduttori piatti | TLP3217 | 1,15 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-SSOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 12 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~80 V | 120 mA | ||
| TLP240J(LF1,F | 1.9500 | ![]() | 8620 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP240J | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP240 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 60 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~600 V | 90 mA | |||
![]() | TLP3553A(F | 3.2500 | ![]() | 121 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3553A | Tubo | Attivo | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP3553 | 1,64 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP3553A(F(O | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 50 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 4A | |
| TLP220J(F) | - | ![]() | 5336 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP220J | Tubo | Obsoleto | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP220 | 1,63 Vcc | Perno del PC | CA, CC | 4-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP220JF | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 60 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~600 V | 90 mA | ||
![]() | TLP240A(D4,TP1,F | 1.3300 | ![]() | 3317 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP240A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | 1,1 ~ 1,4 VCC | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | 1.500 | 2 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 500 mA | |||||||
| TLP3823(TP5,F | 8.0700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3823 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | 1,64 Vcc | N/R | CA, CC | 8-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 1.500 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3A | |||||
| TLP3554(LF1,F) | 3.2500 | ![]() | 4072 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3554 | Tubo | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP3554 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | Non applicabile | TLP3554(LF1F) | EAR99 | 8536.41.0030 | 100 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 2,5 A | ||
![]() | TLP3149(TP,F | 3.6700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3149 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | 1,65 VCC | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.49.0055 | 2.500 | 200 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 1,5 A | |||
![]() | TLP3106(TP,F | - | ![]() | 2294 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP3106 | 1,33 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 40 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 4A | ||
| TLP240GA(TP1,F | 1.8800 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP240GA | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP240 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~400 V | 120 mA | |||
![]() | TLP241AF(TP4,F | 2.8100 | ![]() | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP241AF | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,400", 10,16 mm) | TLP241 | 1,27 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP241AF(TP4FCT | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.000 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~40 V | 2A | |
![]() | TLP3412SRH(TP,E | 6.7300 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3412S | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,079", 2,00 mm) | TLP3412 | 1,5 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | S-VSON4T | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.49.0055 | 2.500 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~60 V | 400 mA | ||
![]() | TLP174G(TP,F) | 0,8333 | ![]() | 9060 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP174G | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD, Ala di gabbiano | TLP174 | 1,15 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 4-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 2.500 | 35 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~350 V | 120 mA | ||
![]() | TLP3450(TP,F | 4.1100 | ![]() | 668 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3450 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | TLP3450 | 1,27 Vcc | Scheda SMD (SMT). | CA, CC | 4-VSON (1,45x2,45) | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 3 (168 ore) | EAR99 | 8536.41.0030 | 3.000 | 5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~20 V | 200 mA | ||
![]() | TLP3106A(TP,F | 4.5900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3106A | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-SOP (0,173", 4,40 mm) | TLP3106 | 1,65 VCC | Ala di gabbiano | CA, CC | 6-SOP | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 30 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~30 V | 4,5 A | |||
| TLP3823(TP1,F | 8.0700 | ![]() | 920 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3823 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 8-SMD, Ala di gabbiano | TLP3823 | 1,64 Vcc | Ala di gabbiano | CA, CC | 8-SMD | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8536.41.0030 | 1.500 | 150 mOhm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~100 V | 3A | |||
![]() | TLP3475W(TP,E | 7.3000 | ![]() | 3616 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | TLP3475 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,096", 2,45 mm) | 1,27 Vcc | Scheda SMD (SMT). | DC | 4-VSON (1,45x2,45) | - | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | 3.000 | 1,5 Ohm | SPST-NO (1 Modulo A) | 0 V~50 V | 300 mA |

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