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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tensione - Ingresso Stile di terminazione Tipo di uscita Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Resistenza allo stato attivo (max) Circuito Tensione - Carico Carica corrente
TLP240D(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP240D(F 2.0000
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ECAD 38 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP240D Tubo Attivo Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP240 1,27 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 100 8 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 250 mA
TLP206G(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP206G(TP,F) 2.4952
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ECAD 8163 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP206G Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP206 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 8-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 35 Ohm SPST-NO (1 modulo A) x 2 0 V~350 V 120 mA
TLP3546(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3546(F) 4.2800
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ECAD 6134 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3546 Tubo Attivo Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP3546 1,33 Vcc Perno del PC CA, CC 6-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 50 200 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 2A
TLP176GA(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP176GA(F) -
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ECAD 1697 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP176GA Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP176 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP176GAF EAR99 8536.41.0030 100 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~400 V 120 mA
TLP3306(TP15,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3306(TP15,F 4.5600
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ECAD 11 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3306 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,128", 3,25 mm) TLP3306 1,15 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-USOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 1.500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~75 V 400 mA
TLP171D(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP171D(TP,F 0,9166
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ECAD 5978 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP171D Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP171 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) TLP171D(TPF EAR99 8536.41.0030 2.500 8 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 200 mA
TLP3115(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3115(F) -
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ECAD 4000 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3115 Tubo Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP3115 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP3115F EAR99 8536.41.0030 100 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 300 mA
TLP206GA(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP206GA(TP,F) 1.8386
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ECAD 8168 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP206GA Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP206 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 8-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP206GA(TPF) EAR99 8536.41.0030 2.500 35 Ohm SPST-NO (1 modulo A) x 2 0 V~400 V 120 mA
TLP3215(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3215(TP15,F) -
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ECAD 4955 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3215 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, conduttori piatti TLP3215 1,15 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-SSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 1.500 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 300 mA
TLP597A(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP597A(F) -
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ECAD 8263 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP597A Tubo Obsoleto Foro passante 6 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP597 1,15 Vcc Perno del PC CA, CC 6-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP597AF EAR99 8536.41.0030 50 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 500 mA
TLP3109(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3109(TP,F 2.1012
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ECAD 7262 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3100 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,173", 4,40 mm) TLP3109 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 70 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 2A
TLP172G(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP172G(TP,F) -
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ECAD 6595 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP172G Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP172 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~350 V 110 mA
TLP3823(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3823(F 8.0700
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ECAD 9557 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3823 Tubo Attivo Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP3823 1,64 Vcc Perno del PC CA, CC 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP3823(F(O EAR99 8536.41.0030 50 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 3A
TLP197GA(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP197GA(F) 3.0600
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ECAD 75 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP197GA Tubo Attivo Montaggio superficiale 6-SMD, Ala di gabbiano TLP197 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SOP (2,54 mm) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP197GAF EAR99 8536.41.0030 75 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~400 V 120 mA
TLP3544(TP1,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3544(TP1,F) 5.2000
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ECAD 1309 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3544 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SMD (0,300", 7,62 mm) TLP3544 1,33 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SMD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 60 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 3,5 A
TLP4227G-2(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP4227G-2(F) 3.0000
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ECAD 48 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4227G-2 Tubo Attivo Foro passante 8 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP4227 1,15 Vcc Perno del PC CA, CC 8-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 50 25 Ohm SPST-NC (1 modulo B) x 2 0 V~350 V 150 mA
TLP3114(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3114(TP,F) -
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ECAD 9987 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3114 Nastro e bobina (TR) Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP3114 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 3 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 250 mA
TLP3122A(TPL,E Toshiba Semiconductor and Storage TLP3122A(TPL,E 2.0200
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ECAD 1750 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3122A Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-SOP (0,179", 4,55 mm), 4 conduttori TLP3122 1,27 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 6-SO, 4 derivazioni scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 3.000 250 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 1,4A
TLP3119(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3119(F) -
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ECAD 7697 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3119 Massa Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP3119 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP3119F EAR99 8536.41.0030 100 50 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~80 V 200 mA
TLP3475R(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3475R(TP,F 4.0700
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ECAD 6 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3475R Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,108", 2,75 mm) TLP3475 1,8 V CC Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-VSON (1,45x2,75) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 3.000 1,5 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~50 V 300 mA
TLP4176G(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP4176G(F) 2.2400
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ECAD 373 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP4176G Tubo Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP4176 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP4176GF EAR99 8536.41.0030 100 25 Ohm SPST-NC (1 modulo B) 0 V~350 V 120 mA
TLP3451(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3451(TP,F 4.0700
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ECAD 795 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3451 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,096", 2,45 mm) TLP3451 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-VSON (1,45x2,45) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 3.000 15 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 120 mA
TLP176GA(TP,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP176GA(TP,F) -
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ECAD 1354 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP176GA Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP176 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 2.500 35 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~400 V 120 mA
TLP3823F(LF4,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3823F(LF4,F 8.0700
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ECAD 3503 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3823F Tubo Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano 1,64 Vcc N/R CA, CC 8-SMD scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8536.49.0055 50 150 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~100 V 3A
TLP3240(TP15,F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3240(TP15,F) -
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ECAD 2258 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3240 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD, conduttori piatti TLP3240 1,3 V CC Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-SSOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 1.500 14 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 120 mA
TLP3442(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3442(TP,F 4.0700
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ECAD 8 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3442 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,096", 2,45 mm) TLP3442 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-VSON (1,45x2,45) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 3.000 20 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~40 V 100 mA
TLP3118(F) Toshiba Semiconductor and Storage TLP3118(F) -
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ECAD 1893 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3118 Massa Acquisto per l'ultima volta Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano TLP3118 1,15 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 4-SOP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) TLP3118F EAR99 8536.41.0030 100 16 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~80 V 40 mA
TLP3558A(F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3558A(F 2.7000
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ECAD 7182 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3558A Tubo Attivo Foro passante 4 DIP (0,300", 7,62 mm) TLP3558 1,64 Vcc Perno del PC CA, CC 4-DIP scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8536.41.0030 100 2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~200 V 700mA
TLP3431(TP,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3431(TP,F 4.2500
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ECAD 2885 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3431 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 4-SMD (0,096", 2,45 mm) TLP3431 1,27 Vcc Scheda SMD (SMT). CA, CC 4-VSON (1,45x2,45) scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 3 (168 ore) EAR99 8536.41.0030 3.000 1,2 Ohm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~20 V 450 mA
TLP3547(TP1,F Toshiba Semiconductor and Storage TLP3547(TP1,F 8.6400
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ECAD 2 0.00000000 Toshiba Semiconduttori e storage TLP3547 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 8-SMD, Ala di gabbiano TLP3547 1,64 Vcc Ala di gabbiano CA, CC 8-SMD scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8536.41.0030 1.500 50 mOhm SPST-NO (1 Modulo A) 0 V~60 V 5A
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock