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COB, motori, moduli, strisce(2790)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Taglia/dimensione Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Colore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente: max Lunghezza dell'onda Altezza Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente - Prova Angolo di visione PMS (K) Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura Temperatura - Prova Lumen/Watt @ corrente - Test CRI (indice di resa cromatica) Superficie luminescente (LES) Tipo di lente
SPHWHAHDNG25YZQ3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZQ3D4 7.2800
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 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, freddo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNG25YZQ3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,84A - 1,70 mm 33,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K 4282lm (tipico) 85°C 177 lm/W 80 Diametro 14,50mm Piatto
SI-B8R098260WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8R098260WW -
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 ECAD 1186 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Serie F Gen3 Vassoio Obsoleto - ModuloLED - SI-B8 Bianco - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 60 Striscia luminosa lineare - - - - - - - - - - - - Piatto
SPHWHAHDNL271ZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNL271ZW3D4 12.8600
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 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNL271 Bianco, caldo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNL271ZW3D4 EAR99 8541.41.0000 160 Piazza 2,76A - 1,70 mm 50,5 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 7245lm (tipico) 85°C 133 lm/W 90 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWW1HDNA27YHW21F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA27YHW21F -
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 ECAD 8494 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC013B Scatola Obsoleto 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 660mA - 1,60 mm 35,5 V 360mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 1675 lm (1400 lm ~ 1950 lm) 25°C 131 lm/W 80 Diametro 11,00 mm Piatto
SPHWHAHDNK27YZT2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNK27YZT2D2 4.4500
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 ECAD 5176 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHHAHDNK27 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 2,76A - 1,50 mm 34,6 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 4000K 5266lm (tipico) 85°C 141 lm/W 90 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHCW1HDN825YHRTEE Samsung Semiconductor, Inc. SPHCW1HDN825YHRTEE 1.5063
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 ECAD 6330 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006B Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHCW1 Bianco, freddo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1709 EAR99 8541.41.0000 672 Piazza 320mA - 1,50 mm 35,5 V 180mA 115° 5000K 949 lm (887 lm ~ 1011 lm) 25°C 149 lm/W 80 diametro 8,00 mm Piatto
SPHWHAHDNM251ZV2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNM251ZV2DB 6.0518
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 ECAD 9500 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNM251 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNM251ZV2DB EAR99 8541.41.0000 160 Piazza 3,24A - 1,50 mm 51,1 V 1,62A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 12468lm (tipico) 85°C 151 lm/W 80 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWHAHDNA25YZU3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA25YZU3DC 1.4800
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 ECAD 490 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen3 Plus Scatola Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNA25YZU3DC EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 180mA - 1,50 mm 33,7 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 516lm (tipico) 85°C 170 lumen/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNG27YZW3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZW3D4 7.2800
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 ECAD 250 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG27 Bianco, caldo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNG27YZW3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,84A - 1,70 mm 33,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 3225lm (tipico) 85°C 133 lm/W 90 Diametro 14,50mm Piatto
SPHWW1HDNA28YHW31E Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA28YHW31E -
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 ECAD 8577 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC013B Scatola Obsoleto 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 660mA - 1,60 mm 35,5 V 360mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 1369 lm (1232 lm ~ 1506 lm) 25°C 107 lm/W 95 Diametro 11,00 mm Piatto
SL-B8T1N40L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8T1N40L1WW -
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 ECAD 8136 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. inFlux_S02 Vassoio Obsoleto 279,60 mm di lunghezza x 23,70 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SL-B8T1 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-1347 EAR99 8541.41.0000 224 Striscia luminosa lineare 1,38 A - 5,90 mm 12,1 V 1,38 A 115° 4000K 2270lm (tipico) 65°C 136 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNC27YZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZT3DC 2.8000
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 ECAD 330 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen3 Plus Scatola Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC27 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNC27YZT3DC EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 540 mA - 1,50 mm 33,7 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 1322lm (tipico) 85°C 145 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWW1HDN825YHU2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN825YHU2B3 -
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 ECAD 5021 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.750 Piazza 320mA - 1,50 mm 35,5 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 1012 lm (913 lm ~ 1110 lm) 25°C 158 lm/W 80 diametro 8,00 mm Piatto
SPHWHAHDNE25YZQ3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZQ3DB 1.8060
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 ECAD 4971 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNE25YZQ3DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 900mA - 1,50 mm 34 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi 5700K 2529lm (tipico) 85°C 165 lm/W 80 Diametro 14,50mm Piatto
SI-B8V07228SWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V07228SWW 8.3900
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 ECAD 3892 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-S282F Vassoio Design non per nuovi 279,70 mm di lunghezza x 23,80 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 128 Striscia luminosa lineare 1,44A - 7,40 mm 8,8 V 800 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 1080lm (tipico) 50°C 153 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNG25YZP3K3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG25YZP3K3 -
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 ECAD 8253 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-1943 EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K 3558lm (tipico) 85°C 143 lm/W 80 Diametro 14,50mm Piatto
SL-B8V1N00L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8V1N00L1WW -
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 ECAD 6666 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. inFlux_S01 Vassoio Obsoleto 279,60 mm di lunghezza x 23,70 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SL-B8V1 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-1352 EAR99 8541.41.0000 224 Striscia luminosa lineare 1,15 A - 5,90 mm 9,1 V 1,15 A 115° 3000K 1310lm (tipico) 65°C 125 lm/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNE25YZT3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZT3D2 2.1675
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 ECAD 1899 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE25 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 2558lm (tipico) 85°C 164 lm/W 80 Diametro 14,50mm Piatto
SPHWHAHDNC27YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC27YZR3D2 1.2304
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 ECAD 1772 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC27 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 690mA - 1,50 mm 34,6 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 1278lm (tipico) 85°C 137 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNL251ZP3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNL251ZP3DB 5.4508
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 ECAD 4577 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNL251 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNL251ZP3DB EAR99 8541.41.0000 160 Piazza 2,16A - 1,50 mm 51,1 V 1,08 A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K 8855lm (tipico) 85°C 160 lm/W 80 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWW1HDND27YHT3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND27YHT3B3 -
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 ECAD 8320 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC033B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, Neutro scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.050 Piazza 1,62A - 1,50 mm 35,5 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 4366 lm (3815 lm ~ 4917 lm) 25°C 137 lm/W 90 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNB27YZT3DC Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB27YZT3DC 2.0400
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 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen3 Plus Scatola Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB27 Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNB27YZT3DC EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 360mA - 1,50 mm 33,7 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 884lm (tipico) 85°C 145 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWW1HDNA2VYHV31F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNA2VYHV31F -
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 ECAD 1078 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC013B Vassoio Obsoleto 17,00 mm di lunghezza x 17,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-2028 EAR99 8541.41.0000 480 Piazza 660mA - 1,60 mm 35,5 V - 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 1531 lm (1347 lm ~ 1715 lm) 25°C - - Diametro 11,00 mm Piatto
SPHWHAHDNA25YZP3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA25YZP3D2 0,5645
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 ECAD 1993 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 230 mA - 1,50 mm 34,6 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 6500K 507lm (tipico) 85°C 163 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SI-N8T1123B1US Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8T1123B1US -
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 ECAD 2469 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. ACOM DLE Vassoio Obsoleto 55,00 mm di lunghezza x 55,00 mm di larghezza ModuloLED - SI-N8T Bianco, Neutro scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile 1510-1657 EAR99 8541.41.0000 320 Piazza - - 12,50 mm 120 V CA - 115° 4000K 1200lm (tipico) 25°C 106 lm/W 80 - Piatto
STOPMW840250V2SE31 Samsung Semiconductor, Inc. STOPMW840250V2SE31 -
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 ECAD 5448 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. - Scatola Obsoleto 125,00 mm di lunghezza x 50,00 mm di larghezza ModuloLED - STOPMW84 Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 6 Rettangolo 1A - 41,60 mm 30,5 V 700mA - 4000K 1500lm (tipico) 65°C 70 lm/W 80 - -
SPHWHAHDNF27YZW2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZW2DB 1.5977
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 ECAD 1605 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNF27YZW2DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,08 A - 1,50 mm 34 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 2301lm (tipico) 85°C 125 lm/W 90 Diametro 14,50mm Piatto
SPHWHAHDNF27YZU3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZU3D2 2.5401
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 ECAD 3509 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,38 A - 1,50 mm 34,6 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 2539lm (tipico) 85°C 136 lm/W 90 Diametro 14,50mm Piatto
SPHWHAHDNC25YZR3C2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZR3C2 0,8575
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 ECAD 8940 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Serie C Gen2 Nastro e bobina (TR) Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC25 Bianco, freddo scaricamento EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 380mA - 1,50 mm 35 V 300mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 1348lm (tipico) 85°C 128 lm/W 80 diametro 6,00 mm Piatto
SPHWHAHDND25YZU3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND25YZU3D1 -
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 ECAD 7603 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC013D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDND25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 920mA - 1,50 mm 34,6 V 360mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 1812lm (tipico) 85°C 145 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
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