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COB, motori, moduli, strisce(2790)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Taglia/dimensione Tipo Caratteristiche Numero del prodotto base Colore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Corrente: max Lunghezza dell'onda Altezza Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) Corrente-Prova Angolo di visione PMS (K) Flusso luminoso @ Corrente/Temperatura Temperatura - Prova Lumen/Watt @ corrente - Test CRI (indice di resa cromatica) Superficie luminescente (LES) Tipo di lente
SI-N8V0754B0WW Samsung Semiconductor, Inc. SI-N8V0754B0WW 5.5200
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 ECAD 1 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. CM90mmG5 Massa Obsoleto Diametro 90,00 mm ModuloLED Con connettore SI-N8V Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) 1510-SI-N8V0754B0WW EAR99 8541.41.0000 180 Girare - - 5,20 mm 27,5 V 240mA 120° 3000K 1.190 ml (tip.) 25°C 180 lm/W 80 - Piatto
SPHWW1HDND25YHU33P Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND25YHU33P -
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 ECAD 8606 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC033B Scatola Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 1,62A - 1,50 mm 35,5 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 4437 lm (3815 lm ~ 5058 lm) 25°C 139 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNE25YZU3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE25YZU3D1 -
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 ECAD 3150 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC016D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 2376lm (tipico) 85°C 153 lm/W 80 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNA27YZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNA27YZV3D4 1.6400
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 ECAD 500 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNA27 Bianco, caldo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNA27YZV3D4 EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 230 mA - 1,65 mm 33,6 V 90 mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 443lm (tipico) 85°C 146 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNM271ZV3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNM271ZV3D4 17.8100
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 ECAD 160 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNM271 Bianco, caldo scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNM271ZV3D4 EAR99 8541.41.0000 160 Piazza 4.14A - 1,70 mm 50,5 V 1,62A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3000K 11656lm (tipico) 85°C 142 lm/W 90 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWHAHDND27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDND27YZW3DB 3.0500
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 ECAD 283 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDND27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDND27YZW3DB EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 720mA - 1,50 mm 34 V 360mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 1486lm (tipico) 85°C 121 lm/W 90 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNG27YZW3DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZW3DB 5.2000
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 ECAD 245 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNG27YZW3DB EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,44A - 1,50 mm 34 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 3048lm (tipico) 85°C 125 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNB25YZU2DB Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB25YZU2DB 0,6413
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 ECAD 9862 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Plus Vassoio Attivo 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB25 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) 1510-SPHWHAHDNB25YZU2DB EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 360mA - 1,50 mm 34 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 1001lm (tipico) 85°C 164 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SI-N9W1624B1US Samsung Semiconductor, Inc. SI-N9W1624B1US -
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 ECAD 5455 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. ACOM Massa Obsoleto Diametro 100,00 mm ModuloLED - SI-N9W Bianco, caldo scaricamento 1 (illimitato) 1510-SI-N9W1624B1US EAR99 8541.41.0000 144 Girare - - 11,00 mm 120 V - 115° 2700K 1630lm (tipico) 25°C 94 lm/W 90 - Piatto
SI-B8T11225001 Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8T11225001 -
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 ECAD 7887 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. Dito-SQ30B Scatola Obsoleto 259,00 mm di lunghezza x 250,00 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 60 Rettangolo 900mA - 5,80 mm 15,3 V 700mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 1500lm (tipico) 35°C 140 lumen/W 80 - Piatto
SPHWW1HDN945YHW3B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDN945YHW3B3 -
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 ECAD 8648 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC008B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.750 Piazza 430 mA - 1,50 mm 35,5 V 240mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 1239 lm (1114 lm ~ 1364 lm) 25°C 145 lm/W 80 diametro 8,00 mm Piatto
SPHWW1HDND27YHW2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND27YHW2B3 -
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 ECAD 3355 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC033B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.050 Piazza 1,62A - 1,50 mm 35,5 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 2700K 4090 lm (3527 lm ~ 4571 lm) 25°C 128 lm/W 90 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNH23YZT3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNH23YZT3D3 4.0475
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 ECAD 4546 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNH23 Bianco, Neutro scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 2,3 A - 1,50 mm 34 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 5332lm (tipico) 85°C 174 lm/W 70 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNM251ZU2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNM251ZU2D3 9.9748
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 ECAD 7229 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNM251 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 4.14A - 1,50 mm 50 V 1,62A 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3500K 13452lm (tipico) 85°C 166 lm/W 80 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWHAHDNM271ZW3D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNM271ZW3D3 11.0603
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 ECAD 5041 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 28,00 mm di lunghezza x 28,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNM271 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 320 Piazza 4.14A - 1,50 mm 50 V 1,62A 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 2700K 10643lm (tipico) 85°C 131 lm/W 90 Diametro 22,00 mm Piatto
SPHWHAHDNC25YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNC25YZV2D3 1.3061
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 ECAD 2876 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNC25 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 1.000 Piazza 690mA - 1,50 mm 34 V 270 mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 1476lm (tipico) 85°C 161 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWHAHDNE27YZR3H8 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZR3H8 -
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 ECAD 1331 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC016D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE27 Bianco, freddo scaricamento EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 1989lm (tipico) 85°C 128 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNE2VYZV2D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE2VYZV2D2 2.2112
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 ECAD 7190 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE2 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,15 A - 1,50 mm 34,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 1745lm (tipico) 85°C 112 lm/W - Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNF27YZV2D3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNF27YZV2D3 2.4970
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 ECAD 3747 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGen3 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNF27 Bianco, caldo scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,38 A - 1,50 mm 34 V 540 mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 2554lm (tipico) 85°C 139 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNG28YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG28YZR3D2 3.3332
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 ECAD 1614 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG28 Bianco, freddo scaricamento EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 2809lm (tipico) 85°C 113 lm/W - Diametro 14,50 mm Piatto
SPHWHAHDNG27YZV2D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZV2D1 -
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 ECAD 9041 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026D Vassoio Obsoleto 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG27 Bianco, caldo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 1.600 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 3048lm (tipico) 85°C 122 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SI-B8RZ91B2CUS Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8RZ91B2CUS 24.9700
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 ECAD 23 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-VB24F Vassoio Obsoleto 1.200,00 mm di lunghezza x 39,80 mm di larghezza ModuloLED - SI-B8 Bianco, freddo scaricamento Non applicabile EAR99 8541.41.0000 160 Striscia luminosa lineare 3,24A - 5,50 mm 48,8 V 2,24A - Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 15632 lm (14070 lm ~ 17195 lm) 65°C 143 lm/W 80 - Piatto
SL-B8R4N90L1WW Samsung Semiconductor, Inc. SL-B8R4N90L1WW 11.9917
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 ECAD 1341 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. inFlux_L06 Vassoio Design non per nuovi 560,00 mm di lunghezza x 24,00 mm di larghezza ModuloLED - SL-B8R4 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS Non applicabile EAR99 8541.41.0000 224 Striscia luminosa lineare 950 mA - 5,90 mm - 950 mA 120° 5000K 6060lm - 140 lumen/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNE27YZT3D4 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNE27YZT3D4 4.8900
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 ECAD 246 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB DGe4 Massa Attivo 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNE27 Bianco, Neutro scaricamento Conformità ROHS3 2A (4 settimane) REACH Inalterato 1510-SPHWHAHDNE27YZT3D4 EAR99 8541.41.0000 250 Piazza 1,15 A - 1,70 mm 33,6 V 450mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 4000K 2344lm (tipico) 85°C 155 lumen/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
SI-B8V051280US Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8V051280US 6.8800
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 ECAD 313 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-Q282A Vassoio Attivo 275,00 mm di lunghezza x 18,00 mm di larghezza MotoreLED - SI-B8 Bianco, caldo scaricamento Non applicabile 1510-2281 EAR99 8541.41.0000 400 Striscia luminosa lineare - - 5,80 mm 11V 450mA - 3000K 920lm (tipico) 40°C 186 lm/W 80 - Piatto
SPHWW1HDND25YHV2B3 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDND25YHV2B3 -
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 ECAD 3337 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC033B Gen3 Nastro e bobina (TR) Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, caldo scaricamento 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 1.050 Piazza 1,62A - 1,50 mm 35,5 V 900mA 115° Ellisse MacAdam in 2 passaggi da 3000K 5119 lm (4771 lm ~ 5467 lm) 25°C 160 lm/W 80 Diametro 17,00 mm Piatto
SI-B8U07228LWW Samsung Semiconductor, Inc. SI-B8U07228LWW 5.4981
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 ECAD 1583 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LT-S282L Vassoio Design non per nuovi 279,70 mm di lunghezza x 23,80 mm di larghezza ModuloLED Con connettore SI-B8 Bianco, caldo - Conforme alla direttiva RoHS 1 (illimitato) EAR99 8541.41.0000 128 Striscia luminosa lineare 360mA - 7,40 mm 35,2 V 200mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 3500K 1090lm (tipico) 50°C 155 lumen/W 80 - Piatto
SPHWHAHDNB25YZR3D1 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNB25YZR3D1 -
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 ECAD 6534 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC006D Vassoio Obsoleto 13,50 mm di lunghezza x 13,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNB25 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 2.400 Piazza 460mA - 1,50 mm 34,6 V 180mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 975lm (tipico) 85°C 157 lm/W 80 Diametro 9,80 mm Piatto
SPHWW1HDNC23YHTN3F Samsung Semiconductor, Inc. SPHWW1HDNC23YHTN3F -
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 ECAD 5421 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. LC026B Vassoio Obsoleto 21,50 mm di lunghezza x 21,50 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWW1 Bianco, Neutro - Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 300 Piazza 1,3 A - 1,50 mm 35,5 V 720mA 115° 4000K 3897 lm (3429 lm ~ 4365 lm) 25°C 152 lm/W 70 Diametro 17,00 mm Piatto
SPHWHAHDNG27YZR3D2 Samsung Semiconductor, Inc. SPHWHAHDNG27YZR3D2 3.2872
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 ECAD 1477 0.00000000 Samsung Semiconduttori, Inc. COB D Gen2 Vassoio Design non per nuovi 19,00 mm di lunghezza x 19,00 mm di larghezza Chip a bordo (COB) - SPHWHAHDNG27 Bianco, freddo scaricamento Conforme alla direttiva RoHS 2A (4 settimane) EAR99 8541.41.0000 500 Piazza 1,84A - 1,50 mm 34,6 V 720mA 115° Ellisse MacAdam in 3 fasi da 5000K 3416lm (tipico) 85°C 137 lm/W 90 Diametro 14,50 mm Piatto
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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA Tampone esposto

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