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Isolatori(172)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
PC3SF11YVZAF	-	Richiesta di offerta	9937	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SF11		BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE	1	Triac	6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					NO	1kV/μs	10mA	100μs (massimo)
PC817X3CSP9F	0,0900	Richiesta di offerta	6600	Tecnologia SHARP/Socle	PC817	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile	OBSOLETO	0000.00.0000	2.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC123X1YFZ0F	-	Richiesta di offerta	8462	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	150% a 5 mA	-	200mV
S2S3LA0F	1.6400	Richiesta di offerta	10	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD	S2S3LA0		CSA, UR	1	Triac	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000				1,2 V	50 mA	3750 Vrm	600 V	50 mA	3,5mA					NO	100 V/μs	5mA	100μs (massimo)
PC852XNYSZ0F	-	Richiesta di offerta	3200	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Darlington	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	100	150mA	100 µs, 20 µs	350 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				1000% a 1 mA	-	-	1,2 V
PC123X2YSZ0F	-	Richiesta di offerta	5785	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				100% a 5 mA	250% a 5 mA	-	200mV
PC4SF21YVZBH	-	Richiesta di offerta	5101	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori	PC4SF21		BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE	1	Triac	6-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA					SÌ	500 V/μs	7mA	50 µs (massimo)
PC4SD21YXPDF	-	Richiesta di offerta	3627	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD	PC4SD21		CSA, UR, VDE	1	Triac	6-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)	EAR99	8541.49.8000	1.000				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA					SÌ	500 V/μs	3mA	50 µs (massimo)
PC817X1NSZ0F	-	Richiesta di offerta	7883	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	100	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				80% a 5 mA	160% a 5 mA	-	200mV
PC3SD11YTZAF	-	Richiesta di offerta	6748	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	PC3SD11		CSA, UR, VDE	1	Triac	6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					NO	1kV/μs	10mA	100μs (massimo)
PC3H4AJ0000F	-	Richiesta di offerta	8887	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		CA, CC		1	Transistor	4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm				50% a 1 mA	150% a 1 mA	-	200mV
PC3H7AJ0000F	-	Richiesta di offerta	5398	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		DC		1	Transistor	4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm				35% a 1 mA	70% a 1 mA	-	200mV
PC12310NSZ0X	-	Richiesta di offerta	7247	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm				50% a 500μA	400% a 500μA	-	200mV
PC817X1CSP9F	0,0900	Richiesta di offerta	5311	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile	OBSOLETO	0000.00.0000	2.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC3SD11NTZCH	0,5080	Richiesta di offerta	7428	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SD11		CSA, UR	1	Triac	6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					NO	1kV/μs	5mA	100μs (massimo)
PC3H7J00001H	-	Richiesta di offerta	5046	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-	-	-		-			-	-	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	10.500	-	-	-	-		-				-	-	-	-
S2S4LY0F	-	Richiesta di offerta	7872	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Obsoleto	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD	S2S4		CSA, UR, VDE	1	Triac	4-SMD	scaricamento		1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	5.000				1,2 V	50 mA	3750 Vrm	600 V	50 mA	3,5mA					SÌ	100 V/μs	5mA	50 µs (massimo)
PC4SF21YVZBF	-	Richiesta di offerta	1649	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC4SF21		BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE	1	Triac	6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA					SÌ	500 V/μs	7mA	50 µs (massimo)
S2S5A00F	1.1200	Richiesta di offerta	8	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	S2S5A00		CSA, UR	1	Triac	4-MFP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000				1,2 V	50 mA	3750 Vrm	600 V	50 mA	3,5mA					NO	500 V/μs	10mA	100μs (massimo)
PC364NJ0000F	1.0900	Richiesta di offerta	45	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC364	CA, CC		1	Transistor	4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	3750 Vrm				50% a 500μA	400% a 500μA	-	200mV
PC457L0NIP0F	2.4100	Richiesta di offerta	361	Tecnologia SHARP/Socle	OPIC™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori	PC457L0	DC		1	Transistor	5-MFP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000	8mA	-	20 V	1,7 V	25 mA	3750 Vrm				19% a 16 mA	50% a 16 mA	200ns, 400ns	-
PC123XNYIP1B	-	Richiesta di offerta	3932	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	6.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				-	-	-	200mV
PC357N6J000F	0,2411	Richiesta di offerta	8974	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC357	DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm				130% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PC3H4J00000F	-	Richiesta di offerta	5659	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		CA, CC		1	Transistor	4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm				20% a 1 mA	400% a 1 mA	-	200mV
PC3H3J00000F	-	Richiesta di offerta	2143	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		CA, CC		1	Transistor	4-Mini-Appartamenti	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm				20% a 1 mA	400% a 1 mA	-	200mV
PC817X3NSZ0F	-	Richiesta di offerta	1462	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				200% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PC3SD11YTZAH	-	Richiesta di offerta	6527	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	PC3SD11		CSA, UR, VDE	1	Triac	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					NO	1kV/μs	10mA	100μs (massimo)
PC81713NSZ0X	-	Richiesta di offerta	7165	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	100	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm				200% a 500μA	500% a 500μA	-	200mV
PC81716NSZ0X	-	Richiesta di offerta	5818	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm				160% a 500μA	400% a 500μA	-	200mV
PC123X8YFZ0F	-	Richiesta di offerta	7362	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				100% a 5 mA	200% a 5 mA	-	200mV