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Isolatori(172)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (massimo)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
PC817X4NIP1B	-	Richiesta di offerta	4056	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	6.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200mV
PC3SD11NTZBH	-	Richiesta di offerta	5410	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	PC3SD11		CSA, UR	1	Triac	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					NO	1kV/μs	7mA	100μs (massimo)
PC4SD11YXPCF	-	Richiesta di offerta	8392	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD	PC4SD11		CSA, UR, VDE	1	Triac	6-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.000				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA					NO	50 V/μs	5mA	100μs (massimo)
PC3H7CJ0001H	-	Richiesta di offerta	3676	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-	-	-		-			-	-	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	10.500	-	-	-	-		-				-	-	-	-
PC81713NIP1B	0,3603	Richiesta di offerta	8770	Tecnologia SHARP/Socle	PC8171	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC81713	DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento				EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm				100% a 500μA	600% a 500μA	-	200mV
PC817X1CSZ9F	-	Richiesta di offerta	4255	Tecnologia SHARP/Socle	PC817	Tubo	Obsoleto	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	scaricamento		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	2.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC123X2YFZ1B	-	Richiesta di offerta	8277	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	5.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				-	-	-	200mV
PC817X3NSZ9F	0,0659	Richiesta di offerta	1905	Tecnologia SHARP/Socle	PC817	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	100	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC817X2NIP1B	-	Richiesta di offerta	5338	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	6.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	-				-	-	-	200mV
PC123X2YUP1B	-	Richiesta di offerta	7429	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	4.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				-	-	-	200mV
PC3H712NIP1H	0,9100	Richiesta di offerta	44	Tecnologia SHARP/Socle	PC3H71	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	PC3H712	DC		1	Transistor	4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.500	500μA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	2500 Vrm				100% a 500μA	700% a 500μA	-	200mV
PC3SD11YTZCF	-	Richiesta di offerta	7567	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	PC3SD11		CSA, UR, VDE	1	Triac	6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.000				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					NO	1kV/μs	5mA	100μs (massimo)
PC123X1YIP1B	-	Richiesta di offerta	5403	Tecnologia SHARP/Socle	PC123	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC123X1	DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento				EAR99	8541.49.8000	5.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	890Vpk				50% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PC123X2YSZ1B	0,2274	Richiesta di offerta	1632	Tecnologia SHARP/Socle	PC123	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	PC123X2	DC		1	Transistor	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS			EAR99	8541.49.8000	100	20 mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PC3SD21YTZBF	-	Richiesta di offerta	6434	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	PC3SD21		CSA, UR, VDE	1	Triac	6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					SÌ	1kV/μs	7mA	50 µs (massimo)
PC123X1YFZ1B	-	Richiesta di offerta	1955	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	5.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				-	-	-	200mV
PC814X1CSZ9F	0,0940	Richiesta di offerta	5960	Tecnologia SHARP/Socle	PC814X	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	100	50mA	4μs, 3μs	35 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				20% a 1 mA	300% a 1 mA	-	200mV
PC817X2CSP9F	0,0750	Richiesta di offerta	9793	Tecnologia SHARP/Socle	PC817	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	2.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC817X7NSZ0F	-	Richiesta di offerta	3123	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	100	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				200% a 5 mA	260% a 5 mA	-	200mV
PC817X4NSZ0F	-	Richiesta di offerta	2417	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	100	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC3SF11YVZBH	-	Richiesta di offerta	1995	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori	PC3SF11		BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE	1	Triac	6-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					NO	1kV/μs	7mA	100μs (massimo)
PC852XNNSZ1H	-	Richiesta di offerta	4946	Tecnologia SHARP/Socle	PC852X	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	5.000	150mA	100 µs, 20 µs	350 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				1000% a 1 mA	15000% a 1 mA	-	1,2 V
PC12311NSZ0X	-	Richiesta di offerta	6412	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor	4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm				100% a 500μA	250% a 500μA	-	200mV
PC357N9J000F	-	Richiesta di offerta	6493	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm				130% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC123X1YUP0F	-	Richiesta di offerta	3614	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	-	Conforme alla direttiva RoHS	2 (1 anno)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	150% a 5 mA	-	200mV
PC4SD21YXPCF	-	Richiesta di offerta	2731	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD	PC4SD21		CSA, UR, VDE	1	Triac	6-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.000				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA					SÌ	500 V/μs	5mA	50 µs (massimo)
PC3SD21NTZDH	-	Richiesta di offerta	5950	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SD21		CSA, UR	1	Triac	6-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					SÌ	1kV/μs	3mA	50 µs (massimo)
PC357N7J000F	-	Richiesta di offerta	7881	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA	4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm				200% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC3SD21NTZBF	-	Richiesta di offerta	6844	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SD21		CSA, UR	1	Triac	6-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	425-2129-5	EAR99	8541.49.8000	50				1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA					SÌ	1kV/μs	7mA	50 µs (massimo)
PC123Y23FP9F	0,0900	Richiesta di offerta	5786	Tecnologia SHARP/Socle	PC123	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor	4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	2.000	2,5 mA	4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm				50% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV