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Isolatori(172)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Orario di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (massimo)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
PC123X8YUP0F	-	Richiesta di offerta	1939	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-SMD	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							100% a 5 mA	200% a 5 mA	-	200mV
PC817X3NIP1B	-	Richiesta di offerta	5573	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	6.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	-							-	-	-	200mV
PC123X8YSZ0F	-	Richiesta di offerta	2476	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							100% a 5 mA	200% a 5 mA	-	200mV
PC3SD11NTZCF	-	Richiesta di offerta	8003	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SD11		CSA, UR	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	425-2124-5	EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								NO	1kV/μs	5mA	100μs (massimo)
PC3H7CJ0000F	-	Richiesta di offerta	8766	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		DC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm							80% a 1 mA	160% a 1 mA	-	200mV
PC3H7BJ0001H	-	Richiesta di offerta	9806	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-	-	-		-			-		-	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	10.500	-		-	-	-		-							-	-	-	-
PC3H4AJ0001H	-	Richiesta di offerta	9767	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-	-	-		-			-		-	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	10.500	-		-	-	-		-							-	-	-	-
PC817XNNSZ0F	-	Richiesta di offerta	5703	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC817X2NSZ0F	-	Richiesta di offerta	8882	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							130% a 5 mA	260% a 5 mA	-	200mV
PC3H5J00000F	-	Richiesta di offerta	8020	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		DC		1	Darlington		4-Mini-Appartamenti	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	80 mA		60 µs, 53 µs	35 V	1,2 V	50 mA	2500 Vrm							600% a 1 mA	-	-	1 V
PC357N4J000F	0,8200	Richiesta di offerta	77	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC357	DC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
S2S4BY0F	-	Richiesta di offerta	2058	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD	S2S4		CSA, UR, VDE	1	Triac		4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	750					1,2 V	50 mA	3750 Vrm	600 V	50 mA	3,5mA								SÌ	100 V/μs	10mA	50 µs (massimo)
PC817X7NIP0F	-	Richiesta di offerta	5712	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	30mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							200% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC123X5YSZ0F	-	Richiesta di offerta	3898	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	70 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							200% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PC81713NIP1B	0,3603	Richiesta di offerta	8770	Tecnologia SHARP/Socle	PC8171	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC81713	DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento				EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm							100% a 500μA	600% a 500μA	-	200mV
PC4SD21NTZDF	-	Richiesta di offerta	6893	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC4SD21		CSA, UR	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	425-2152-5	EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	3,5mA								SÌ	500 V/μs	3mA	50 µs (massimo)
PC81712NSZ0X	-	Richiesta di offerta	6484	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm							160% a 500μA	400% a 500μA	-	200mV
PC357N3J000F	0,8200	Richiesta di offerta	100	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano	PC357	DC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	3750 Vrm							200% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PC817X3CSZ9F	-	Richiesta di offerta	6283	Tecnologia SHARP/Socle	PC817	Tubo	Obsoleto	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	2.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC457L0YIP0F	2.4200	Richiesta di offerta	18	Tecnologia SHARP/Socle	OPIC™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori	PC457L0	DC		1	Transistor		5-MFP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	8 mA		-	20 V	1,7 V	25 mA	3750 Vrm							19% a 16 mA	50% a 16 mA	200ns, 400ns	-
PC3SD21NTZDF	-	Richiesta di offerta	4868	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SD21		CSA, UR	1	Triac		6-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS		425-2131-5	EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								SÌ	1kV/μs	3mA	50 µs (massimo)
PC123XNYFZ0F	-	Richiesta di offerta	6216	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	70 V	1,2 V	20 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	400% a 5 mA	-	200mV
PC3H411NIP0F	-	Richiesta di offerta	2142	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)		CA, CC		1	Transistor		4-Mini-Appartamenti	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	10 mA	2500 Vrm							100% a 500μA	300% a 500μA	-	200mV
PC400J00000F	3.0800	Richiesta di offerta	40	Tecnologia SHARP/Socle	OPIC™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-25°C~85°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori	PC400	DC		1	Collettore aperto	3V~15V	5-MFP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000	50 mA	-	100 n., 50 n		1,1 V	50mA	3750 Vrm				1/0	-	6μs, 3μs
PC12311NSZ0X	-	Richiesta di offerta	6412	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	70 V	1,2 V	10 mA	5000 Vrm							100% a 500μA	250% a 500μA	-	200mV
PC3SF21YVZAH	0,6406	Richiesta di offerta	9060	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Attivo	-	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SF21		-	1	Triac		6-DIP	-				EAR99	8541.49.8000	60					-		5000 Vrm	600 V	100 mA	-								SÌ	-	10mA	-
PC817X2NSZ9F	0,0659	Richiesta di offerta	9047	Tecnologia SHARP/Socle	PC817	Tubo	Attivo	-30°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)		DC		1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	100	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							50% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC725V0NIPXF	-	Richiesta di offerta	1238	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-25°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD		DC		1	Darlington con base		6-SMD	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.000	150mA		100 µs, 20 µs	300 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							1000% a 1 mA	15000% a 1 mA	-	1,2 V
PC817X4NIP0F	-	Richiesta di offerta	7195	Tecnologia SHARP/Socle	-	Nastro e bobina (TR)	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Montaggio superficiale	4-SMD, Ala di gabbiano		DC		1	Transistor		4-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.000	50mA		4μs, 3μs	80 V	1,2 V	50 mA	5000 Vrm							300% a 5 mA	600% a 5 mA	-	200mV
PC3SF11YTZBF	-	Richiesta di offerta	2799	Tecnologia SHARP/Socle	-	Tubo	Interrotto alla SIC	-30°C~100°C	Foro passante	6-DIP (0,300", 7,62 mm), 5 conduttori	PC3SF11		BSI, CSA, DEMKO, FIMKO, SEMKO, UR, VDE	1	Triac		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50					1,2 V	50 mA	5000 Vrm	600 V	100 mA	3,5mA								NO	1kV/μs	7mA	100μs (massimo)