Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Isolatori(2050)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Agenzia di approvazione	Numero di canali	Tipo di uscita	Tensione - Alimentazione	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Corrente: uscita alta, bassa	Corrente - Uscita/Canale	Velocità dati	Corrente - Uscita di picco	Tempo di salita/discesa (tip.)	Tensione - Uscita (max)	Tensione - Diretta (Vf) (Tipica)	Corrente - CC diretta (Se) (Max)	Tensione - Isolamento	Tensione - Stato spento	Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max)	Corrente - Mantieni (Ih)	Ingressi: Lato 1/Lato 2	Immunità transitoria in modalità comune (min)	Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max)	Distorsione dell'ampiezza dell'impulso (max)	Tensione - Alimentazione in uscita	Rapporto di trasferimento corrente (min)	Rapporto di trasferimento corrente (max)	Orario di accensione/spegnimento (tip.)	Saturazione Vce (massima)	Circuito Zero Crossing	dV/dt statico (Min)	Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max)	Attiva ora
TLP127(YASK-TPL,F)	-	Richiesta di offerta	9683	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano	TLP127	DC			1	Darlington		6-MFSOP, 4 derivazioni	-		1 (illimitato)	264-TLP127(YASK-TPLF)TR	EAR99	8541.49.8000	3.000		150mA			40 µs, 15 µs	300 V	1,15 V	50 mA	2500 Vrm									1000% a 1 mA	-	50 µs, 15 µs	1,2 V
TLP160G(IFT5,U,F)	-	Richiesta di offerta	6294	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				TLP160G								-		1 (illimitato)	264-TLP160G(IFT5UF)TR	EAR99	8541.49.8000	3.000
TLP3083(TP1,F	1.9500	Richiesta di offerta	670	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 100°C	Montaggio superficiale	6-SMD (5 conduttori), Ala di gabbiano	TLP3083			CQC, CSA, cUL, UL	1	Triac		6-SO, 5 Piombo	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.500							1,15 V	50 mA	5000 Vrm	800 V	100 mA	600μA (suggerimento)										SÌ	2 kV/μs (tip.)	5mA	-
TLP2530(F)	1.7600	Richiesta di offerta	4	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	8 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP2530	DC			2	Transistor		8-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50		-			-	15 V	1,65 V	25 mA	2500 Vrm									7% a 16 mA	-	300ns, 500ns	-
TLP293-4(V4LGB,E	1.6400	Richiesta di offerta	9035	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm)	TLP293	DC			4	Transistor		16-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm									100% a 500μA	600% a 500μA	3μs, 3μs	300mV
TLP120(F)	-	Richiesta di offerta	4000	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano	TLP120	CA, CC			1	Transistor		6-MFSOP, 4 derivazioni	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	50 mA	3750 Vrm									50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP385(Y,E	0,5500	Richiesta di offerta	2132	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP385	DC			1	Transistor		6-SO, 4 derivazioni	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TLP385(SI	EAR99	8541.49.8000	125		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm									50% a 5 mA	150% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP250(D4MBINVT5,F	-	Richiesta di offerta	7345	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto				TLP250								-		1 (illimitato)	264-TLP250(D4MBINVT5FTR	EAR99	8541.49.8000	1.500
TLP280-4(GB-TP,J,F	-	Richiesta di offerta	6888	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm)	TLP280	CA, CC			4	Transistor		16-SOP	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.500		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	50 mA	2500 Vrm									100% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP3064(TP1,SC,F,T)	-	Richiesta di offerta	3454	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro tagliato (CT)	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-SMD (5 conduttori), Ala di gabbiano	TLP3064				1	Triac		6-DIP (taglio), 5 derivazioni	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.500								6 mA	5000 Vrm	600 V		600 µA										SÌ		3mA
TLP748J(D4,F)	1.8600	Richiesta di offerta	3983	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP748			BSI, SEMKO, UR, VDE	1	SCR		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50							1,15 V	50 mA	4000 Vrm	600 V	150 mA	1mA										NO	5 V/μs	10mA	15 µs
TLP5751(TP,E	0,9645	Richiesta di offerta	6141	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	TLP5751		Accoppiamento ottico	CQC, CSA, cUL, UL	1			6-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.500	1A, 1A			1A	15ns, 8ns		1,55 V	20 mA	5000 Vrm					35 kV/μs	150ns, 150ns	50ns	15 V~30 V
TLP5212(E	5.4900	Richiesta di offerta	50	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	TLP5212		Accoppiamento ottico	CQC, CSA, cUL, UL, VDE	1			16-SO	scaricamento		1 (illimitato)	264-TLP5212(E	EAR99	8541.49.8000	50	2A, 2A			2,5 A	57ns, 56ns		1,67 V	25 mA	5000 Vrm					25 kV/μs	250ns, 250ns	50ns	15 V~30 V
4N35(CORTO,F)	-	Richiesta di offerta	2000	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	4N35	DC			1	Transistor con base		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	50		100mA			-	30 V	1,15 V	60 mA	2500 Vrm									40% a 10 mA	-	3μs, 3μs	300mV
TLP104(E)	1.5100	Richiesta di offerta	9716	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori	TLP104	DC			1	Collettore aperto	4,5 V ~ 30 V	6-SO, 5 Piombo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	125		8 mA	1Mbps		-		1,61 V	25 mA	3750 Vrm				1/0	15 kV/μs	550ns, 400ns
TLP2631TP1F	-	Richiesta di offerta	5085	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-40°C ~ 85°C	Montaggio superficiale	8-SMD, Ala di gabbiano	TLP2631	DC			2	Collettore aperto, morsetto Schottky	4,5 V ~ 5,5 V	8-SMD	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	1.500		16 mA	10 MBd		30ns, 30ns		1,65 V	20 mA	2500 Vrm				2/0	1kV/μs	75ns, 75ns
TLP183(BL,E	0,5100	Richiesta di offerta	4755	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP183	DC			1	Transistor		6-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TLP183(BLE	EAR99	8541.49.8000	125		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm									200% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP785(GR,F)	0,6400	Richiesta di offerta	4	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP785	DC			1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	100		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm									100% a 5 mA	300% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP5222(D4-TP,E	7.0100	Richiesta di offerta	1	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-40°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	TLP5222		Accoppiamento ottico	CQC, CSA, cUL, UL, VDE	1			16-SO	scaricamento				EAR99	8541.49.8000	1.500	2A, 2A			2,5 A	58ns, 57ns		1,67 V	25 mA	5000 Vrm					25 kV/μs	250ns, 250ns	50ns	15 V~30 V
TLP120(HO-GB,F)	-	Richiesta di offerta	4907	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Tubo	Obsoleto				TLP120								-		1 (illimitato)	264-TLP120(HO-GBF)	EAR99	8541.49.8000	150
TLP785F(BLL,F	-	Richiesta di offerta	6830	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Foro passante	4 DIP (0,400", 10,16 mm)	TLP785	DC			1	Transistor		4-DIP	scaricamento		1 (illimitato)	264-TLP785F(BLLF	EAR99	8541.49.8000	100		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm									200% a 5 mA	400% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP385(GRH,E	0,5500	Richiesta di offerta	2485	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP385	DC			1	Transistor		6-SO, 4 derivazioni	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TLP385(GRHE	EAR99	8541.49.8000	125		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm									150% a 5 mA	300% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP121(GRH-TP,F)	-	Richiesta di offerta	5792	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C~100°C	Montaggio superficiale	6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano	TLP121	DC			1	Transistor		6-MFSOP, 4 derivazioni	-	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TLP121(GRH-TPF)	EAR99	8541.49.8000	3.000		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,15 V	50 mA	3750 Vrm									50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP597J(F)	-	Richiesta di offerta	7997	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Massa	Obsoleto	-	-	-	TLP597	-				-		-	-	Conforme alla direttiva RoHS	Non applicabile		EAR99	8541.49.8000	50		-			-	-	-		-									-	-	-	-
TLP626(F)	-	Richiesta di offerta	6179	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	4 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP626	CA, CC			1	Transistor		4-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	100		50mA			8μs, 8μs	55 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm									100% a 1 mA	1200% a 1 mA	10μs, 8μs	400mV
TLP632(F)	-	Richiesta di offerta	9713	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Obsoleto	-55°C~100°C	Foro passante	6 DIP (0,300", 7,62 mm)	TLP632	DC			1	Transistor		6-DIP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)	TLP632F	EAR99	8541.49.8000	50		50mA			2μs, 3μs	55 V	1,15 V	60 mA	5000 Vrm									50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	400mV
TLP9121A(PSDGBTL,F	-	Richiesta di offerta	5767	Toshiba Semiconduttori e storage	*	Massa	Obsoleto												-			264-TLP9121A(PSDGBTLF	EAR99	8541.49.8000	1
TLP293(BLL-TPL,E	0,5100	Richiesta di offerta	3760	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 125°C	Montaggio superficiale	4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm)	TLP293	DC			1	Transistor		4-SO	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	2.500		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm									200% a 500μA	400% a 500μA	3μs, 3μs	300mV
TLP184(GB, SE	0,5100	Richiesta di offerta	2065	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP184	CA, CC			1	Transistor		6-SOP	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	125		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	3750 Vrm									100% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV
TLP385(TPR,E	0,5500	Richiesta di offerta	2461	Toshiba Semiconduttori e storage	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 110°C	Montaggio superficiale	6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori	TLP385	DC			1	Transistor		6-SO, 4 derivazioni	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.49.8000	3.000		50mA			2μs, 3μs	80 V	1,25 V	50 mA	5000 Vrm									50% a 5 mA	600% a 5 mA	3μs, 3μs	300mV