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Isolatori(2050)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Tipo | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Agenzia di approvazione | Numero di canali | Tipo di uscita | Tensione - Alimentazione | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Corrente: uscita alta, bassa | Corrente - Uscita/Canale | Velocità dati | Tipo di canale | Corrente - Uscita di picco | Orario di salita/discesa (tip.) | Tensione - Uscita (max) | Tensione - Diretta (Vf) (Tipica) | Corrente - CC diretta (Se) (Max) | Tensione - Isolamento | Tensione - Stato spento | Corrente - Stato attivo (It (RMS)) (Max) | Corrente - Mantieni (Ih) | Potenza isolata | Ingressi: Lato 1/Lato 2 | Immunità transitoria in modalità comune (min) | Ritardo di propagazione tpLH / tpHL (max) | Distorsione della larghezza dell'impulso (massima) | Tensione - Alimentazione in uscita | Rapporto di trasferimento corrente (min) | Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | Orario di accensione/spegnimento (tip.) | Saturazione Vce (massima) | Circuito Zero Crossing | dV/dt statico (Min) | Corrente - Attivazione LED (Ift) (Max) | Attiva ora |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | TLP3065(S,C,F) | - |  | 6195 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | TLP3065 | - | - | - | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP3065(SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||||||||||
 | TLP2531(F) | - | | 1 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP2531 | DC | 2 | Transistor | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | - | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 2500 Vrm | 19% a 16 mA | - | 200ns, 300ns | - | |||||||||||||||||||||||
 | TLP385(D4-GRH,E | 0,5400 | | 5312 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(D4-GRHE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4GR-TR,E | 0,5600 | | 3080 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
 | TLP292(GR-TPL,E | 0,5600 | | 2009 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm) | TLP292 | CA, CC | 1 | Transistor | 4-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 2.500 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP620-4(D4-LF1,F) | - | | 1651 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 16-SMD | TLP620 | CA, CC | 4 | Transistor | 16-SMD | scaricamento | 264-TLP620-4(D4-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 50mA | 2μs, 3μs | 55 V | 1,15 V | 50 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||
| DCL540D01(T,E | 6.3000 | | 7301 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | DCL540x01 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 16-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | Scopo generale | DCL540 | Accoppiamento magnetico | 4 | 2,25 V ~ 5,5 V | 16-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8542.39.0001 | 1.500 | 150Mbps | Unidirezionale | 0,9 n, 0,9 n | 5000 Vrm | SÌ | 4/0 | 100 kV/μs | 18,3 ns, 18,3 ns | 2,8 n | |||||||||||||||||||||||
| TLP781F(D4-GR-SD,F | - | | 2574 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,400", 10,16 mm) | TLP781F | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP781F(D4-GR-SDF | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 300% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP734F(D4GRLF4,MF | - | | 8383 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP734 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP734F(D4GRLF4MF | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP523-4(LF1,F) | - | | 1486 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP523 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP523-4(LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
 | TLP124F | - | | 4843 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SMD (4 conduttori), Ala di gabbiano | TLP124F | DC | 1 | Transistor | 6-MFSOP, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP124(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 150 | 50mA | 8μs, 8μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP512(TOJS,F) | - | | 5010 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP512 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP512(TOJSF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP351(F) | 1.9200 | | 9 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP351 | Accoppiamento ottico | - | 1 | 8-DIP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | 400 mA, 400 mA | 600mA | 50ns, 50ns | 1,55 V | 20 mA | 3750 Vrm | 10 kV/μs | 700ns, 700ns | - | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||||
| TLP750(D4COS-TP5,F | - | | 2015 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | -55°C~100°C | Foro passante | 8 DIP (0,300", 7,62 mm) | DC | 1 | Transistor con base | 8-DIP | scaricamento | 264-TLP750(D4COS-TP5F | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | 8 mA | - | 15 V | 1,65 V | 25 mA | 5000 Vrm | 10% a 16 mA | - | 200ns, 1μs | - | |||||||||||||||||||||||||
| TLP669LF(D4,S,C,F) | - | | 8098 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Massa | Obsoleto | - | Foro passante | 6-DIP (0,400", 10,16 mm), 5 conduttori | TLP669 | CSA, cUL, UL, VDE | 1 | Triac | 6-DIP | scaricamento | 264-TLP669LF(D4SCF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | - | 5000 Vrm | 800 V | 100 mA | - | SÌ | - | 10mA | - | |||||||||||||||||||||||||
 | TLP265J(V4-TPR,E | 0,8500 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP265 | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | Triac | 6-SOP | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 1,27 V | 50 mA | 3750 Vrm | 600 V | 70 mA | 1 mA (suggerimento) | NO | 500 V/μs (tip.) | 10mA | 20 µs | |||||||||||||||||||||||
 | TLP5774(E | 2.4500 | | 7814 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5774 | Accoppiamento ottico | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1,2 A, 1,2 A | 4A | 15ns, 8ns | 1,65 V | 8 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 10 V~30 V | |||||||||||||||||||||||
| TLP785(D4,F | - | | 7573 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Foro passante | 4 DIP (0,300", 7,62 mm) | TLP785 | DC | 1 | Transistor | 4-DIP | scaricamento | 1 (illimitato) | 264-TLP785(D4F | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,15 V | 60 mA | 5000 Vrm | 50% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 400mV | |||||||||||||||||||||||
 | TLP2398(TPL,E | - | | 1028 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2398 | DC | 1 | Push-pull, totem | 3V~20V | 6-SO, 5 Piombo | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2398(TPLETR | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 25 mA | 5Mbps | 15ns, 12ns | 1,5 V | 20 mA | 3750 Vrm | 1/0 | 20kV/μs | 250ns, 250ns | |||||||||||||||||||||||
| TLP552(MAT,F) | - | | 3433 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP552 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP552(MATF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2303(TPL,E | 0,8300 | | 3 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -40°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2303 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 80 mA | - | 18 V | - | 20 mA | 3750 Vrm | 500% a 5 mA | - | - | - | |||||||||||||||||||||||
| TLP137(TPL,F) | - | | 4538 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C~100°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 5 conduttori | TLP137 | DC | 1 | Transistor con base | 6-MFSOP, 5 derivazioni | - | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP137(TPLF) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 8μs, 8μs | 80 V | 1,15 V | 50 mA | 3750 Vrm | 100% a 1 mA | 1200% a 1 mA | 10μs, 8μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP5751(D4,E | 2.4300 | | 9678 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm) | TLP5751 | Accoppiamento ottico | CQC, CSA, cUL, UL, VDE | 1 | 6-SO | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 1A, 1A | 1A | 15ns, 8ns | 1,55 V | 20 mA | 5000 Vrm | 35 kV/μs | 150ns, 150ns | 50ns | 15 V~30 V | |||||||||||||||||||||||
| TLX9291(FDKGBTLF(O | - | | 7115 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Massa | Obsoleto | - | 264-TLX9291(FDKGBTLF(O | EAR99 | 8541.49.8000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP185(BLL-TR,SE | 0,6000 | | 7102 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP185 | DC | 1 | Transistor | 6-SOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 3.000 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 3750 Vrm | 200% a 5 mA | 400% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | |||||||||||||||||||||||
| TLP385(BL,E | 0,5500 | | 6092 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,173", larghezza 4,40 mm), 4 conduttori | TLP385 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 4 derivazioni | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | TLP385(BLE | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 50mA | 2μs, 3μs | 80 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 200% a 5 mA | 600% a 5 mA | 3μs, 3μs | 300mV | ||||||||||||||||||||||
| TLP631(BL-LF1,F) | - | | 6060 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP631 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP631(BL-LF1F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 50 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2309(E) | 1.2600 | | 229 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Tubo | Attivo | -40°C ~ 110°C | Montaggio superficiale | 6-SOIC (0,179", larghezza 4,55 mm), 5 conduttori | TLP2309 | DC | 1 | Transistor | 6-SO, 5 Piombo | scaricamento | Conforme alla direttiva RoHS | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 125 | 8 mA | - | 20 V | 1,55 V | 25 mA | 3750 Vrm | 15% a 16 mA | - | 1μs, 1μs (massimo) | - | |||||||||||||||||||||||
| TLP628M(GB-TP1,E | 0,9100 | | 4514 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 125°C | Montaggio superficiale | 4-SMD (0,300", 7,62 mm) | TLP628 | DC | 1 | Transistor | 4-SMD | scaricamento | 1 (illimitato) | EAR99 | 8541.49.8000 | 1.500 | 50mA | 5,5 µs, 10 µs | 350 V | 1,25 V | 50 mA | 5000 Vrm | 100% a 5 mA | 600% a 5 mA | 10μs, 10μs | 400mV | ||||||||||||||||||||||||
| TLP2451(F) | - | | 9513 | 0.00000000 | Toshiba Semiconduttori e storage | * | Tubo | Obsoleto | TLP2451 | - | 1 (illimitato) | 264-TLP2451(F) | EAR99 | 8541.49.8000 | 100 |
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